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场效应管MOSFET

（共找到“4599”条查询结果）
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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

您是不是要找： I/O模块 MOS管场效应管 nec场效应管 P沟道MOS场效应管 场效应管 低压场效应管

维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

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源头工厂
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WPM2015
WPM2015
  • 型号/规格：

    WPM2015-3/TR

  • 品牌/商标：

    WILL

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

上海韦尔半导体有限公司是一家以自主研发、销售服务为主体的半导体器件设计和销售公司，公司成立于2007年5月，总部坐落于有“中国硅谷”之称的上海张江高科技园区，在深圳、台湾、香...

上海煜昂闸能PMOS AFP1810S8RG 100V P-Channel Alfa-MOS
上海煜昂闸能PMOS AFP1810S8RG 100V P-Channel Alfa-MOS
  • 型号/规格：

    AFP1810S8RG

  • 品牌/商标：

    闸能

  • 封装形式：

    SOP-8P

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

上海煜昂电子科技有限公司，是一家经国家进口部、海关总署批准具有全国进口经营权的公司，隶属新加坡SCI集团，主要为半导体电子零组件供应商，ODM,OEM工厂提供销售和技术方案解决服务...

RDA5820收发一体芯片
RDA5820收发一体芯片
  • 型号/规格：

    RDA5820

  • 品牌/商标：

    RDA

  • 环保类别：

    无铅环保型

模块采用RDAMicroelectronics公司研发的RDA5820IC。此模 块外围组件少、噪声系数极小。具有体积小（1111）、低功耗、低成本、应用简单、使用范围广等优点。 是一款简单易用且具极高性价比的单芯片FM立体声收发模。 功能特点： A、采用超小的模块（601B）封装...

场效应管NTF5P03T3原装现货
场效应管NTF5P03T3原装现货
  • 型号/规格：

    NTF5P03T3

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装形式：

    SOT-223

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

NTF5P03T3 技术规格 制造商ON Semiconductor 产品种类MOSFET 功率 RoHS否 配置Single Dual Drain 晶体管极性P-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）0.1 Ohms 正向跨导 gFS（值/值）3.9 ...

BECKHOFF（倍福）模块，德国BECKHOFF（倍福）模块
BECKHOFF（倍福）模块，德国BECKHOFF（倍福）模块
  • 型号/规格：

    C9900-C542

  • 品牌/商标：

    BECKHOFF

  • 环保类别：

    普通型

Beckhoff倍福,beckhoff倍福,BECKHOFF模块,BECKHOFF倍福模块,beckhoff工控机,beckhoff倍福工业PC/现场总线模块,BECKHOFF倍福总线耦合器，BECKHOFF触摸屏。 Beckhoff 公司致力于为您实现基于 PC 控制技术的开放式自动化系统。我们的产品范围包括工业 PC、现场总...

PMZ250UN,315
PMZ250UN,315
  • 型号/规格：

    PMZ250UN,315

  • 品牌/商标：

    NXP（恩智浦）

  • 环保类别：

    无铅环保型

场效应管 MOSFET N沟道 20V 2.28A SOT883 晶体管极性:N沟道 电流, Id 连续:200mA 漏源电压, Vds:20V 在电阻RDS（上）:300mohm 电压 @ Rds测量:4.5V 阈值电压 Vgs:700mV 功耗 Pd:2.5W 工作温度值:-55°C 工作温度值:150°C 晶体管封装类型:SOT...

导热胶 导热硅胶ABL7101 超强抗氧化性
导热胶 导热硅胶ABL7101 超强抗氧化性
  • 品牌/商标：

    ABL

  • 有效物质含量：

    95（％）

  • 产品规格：

    通用型导热硅脂

  • 主要用途：

    适用于电子元器件的热传递，如晶体管、镇流器、热传感器、电脑风扇等,大功率晶体管（塑封管）、二极管与基材（铝、铜板）接触的缝隙的传热介质、整流器和电气的导热绝缘

供应导热胶 导热硅胶ABL7101 超强抗氧化性本公司生产的导热硅胶（又名散热硅胶、电子硅胶、散热胶、导热胶）是一种导热又绝缘的单组分室温硅胶，接触空气中的水份自行固化成弹性固体。● 产品特点※产品具有良好的导热能力；※较宽的温度适用范围（固化胶能在...

EUPEC/英飞凌IGBT模块FZ1200R16KF4
EUPEC/英飞凌IGBT模块FZ1200R16KF4
  • 型号/规格：

    FZ1200R16KF4

  • 品牌/商标：

    EUPEC/英飞凌

  • *类别：

    普通型

（1）600V IGBT ① 半桥（2单元） BSM50GB60DLC BSM75GB60DLC BSM100GB60DLC BSM200GB60DLC BSM150GB60DLC BSM300GB60DLC FF400R06ME3 FF200R06ME3 FF300R06ME3 FF200R06KE3 FF300R06KE3 FF400R06KE3 ② H桥（4单元） F4-100R06KL4 F4-150R06KL4 F4-200R06KL4...

FF300R12KE3
FF300R12KE3
  • 型号/规格：

    FF300R12KE3

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • *类别：

    无铅*型

供应Infineon(英飞凌) IGBT功率模块 FF300R12KE3 300A/1200V/2单元 封装：62mm *原装 经销EUPEC(优派克) Infineon(英飞凌)、 型号:FF300R12KE3 厂家:infineon英飞凌 批号: 14+ 数量：600 封装:IGBT 技术参数：300A1200V 产品性能：可使用在高频开关，高频炉，...

60CNQ035 原装模块 真实库存欢迎来电查询
60CNQ035 原装模块 真实库存欢迎来电查询
  • 型号/规格：

    60CNQ035

  • 品牌/商标：

    IR

  • 环保类别：

    无铅环保型

供应60CNQ035 原装模块北京现货真实库存欢迎来电查询 我们知道，在现代AC/DC开关电源技术中电解电容是必不可少的关键器件。但电解电容具有的内部损耗大、静电容量误差大、漏电流大、高低温特性差等固有缺陷，给电源产品带来高低温条件下可靠性差、寿命短等问...

三菱模块IGBT
三菱模块IGBT
  • 型号/规格：

    CM50DY-24H

  • 品牌/商标：

    三菱

  • *类别：

    无铅*型

北京慧峰腾达科技发展有限公司 http://www.hfvvvf.cn CM300DY-12H CM300E3Y-12E CM400DY-12H CM50E3U-12E CM75DU-12H CM75E3U-12E CM100DU-12H CM100E3U-12E CM150DU-12H CM150E3U-12E CM200DU-12H CM200E3U-12E CM300DU-12H CM300E3U-12E CM400DU-12H CM75DU...

优质英飞凌 IKW40N120H3，场效应管IKW40N120H3
优质英飞凌 IKW40N120H3，场效应管IKW40N120H3
  • 型号/规格：

    IKW40N120H3

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-247

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

型号：IKW40N129H3 品牌：INFINEON（英飞凌） 封装形式：TO-247 场效应管工作原理： 场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏...

原装*+现货 TP2510、TP2510N8-G
原装*+现货 TP2510、TP2510N8-G
  • 品牌/商标：

    SUP美国*技术

  • 型号/规格：

    TP2510

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    GEP/互补类型

  • 封装外形：

    LLCC/无引线陶瓷片载

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

*美国Supertexinc！原装现货，优势供应！长期订货，深圳现货库存15000PCS。如有需求，欢迎来电洽谈！"

*原装 SIR880DP-T1-E3 SIR880DP-T1-GE3
*原装 SIR880DP-T1-E3 SIR880DP-T1-GE3
  • 品牌/商标：

    Vishay/威世通

  • 型号/规格：

    SIR880DP-T1-E3 SIR880DP-T1-GE3

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

电源MOS管 SOP-8封装系列 半桥.全桥.高低端驱动IC 系列 Vishay Siliconix 推出不对称功率MOSFET系列Si… Vishay Siliconix推出业界的60V 功率MOSFE华强电子城科佳电子...

mos管
mos管
  • 品牌/商标：

    新加坡鸿盛半导体

  • 型号/规格：

    2N60/4N60/7N60/5N80

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    IGBT*缘栅比*

本公司供应新加坡鸿盛半导体MOS管，产品型号：1N60/2N60/4N60/7N607N/65//5N80/8N80等规格,欢迎来电洽谈！"

*童场效应管 FQPF10N60C 塑封 TO-220
*童场效应管 FQPF10N60C 塑封 TO-220
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    FQPF10N60C

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

亲，因公司项目更改，现*出售，需求者请联系： 陈 为上传方便，产品没有一一拍图片，请谅解！

*童原装IGBT单管 FGA25N120ANTD
*童原装IGBT单管 FGA25N120ANTD
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    FGA25N120ANTD

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

南京诚开电子科技有限公司 翟凌云 传真：部件编号说明封装FGH30T65UPDT650V，30A场截止沟道IGBTTO-247 3*H25T120SMD1200 V、25 A 场截止沟道 IGBTTO-247 3*H40T120SMD1200 V、40 A 场...

FQPF6N80C 原装现货*
FQPF6N80C 原装现货*
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    FQPF6N80C

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

深圳市洽通电子商行成立于2004年，是国内较早的电子元器件供应商。本公司成立以来*奉承以客为尊以诚为本，以服务打造行业品牌的经营信念为发展宗旨。公司实力雄厚，重信用守合同，*产...

XP161A0390PR
XP161A0390PR
  • 品牌/商标：

    TOREX

  • 型号/规格：

    XP161A0390PR

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    其他

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    MOS-TPBM/三相桥

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    M*金属半导体

经营手机电子元器件产品二三*管.肖特基.变容管.、TVS管、*D电路保护管，MOS管及电源管理IC等，为广大客户提供*的配套服务，欢迎来人来电资询。： 手机柯先生

KIA半导体 场效应管 KIA30N06BD
KIA半导体 场效应管 KIA30N06BD
  • 品牌/商标：

    KIA

  • 型号/规格：

    KIA30N06BD

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

KIA半导体成立于2005年，公司成立初起，就明确立足本土市场，研发为先导，了解客户需求，了解市场需求，运用*的集成电路设计方案和国际同步研发技术，结合中国市场的特点，向市场推出...

场效应管MOSFET技术资料

  • 场效应管（MOSFET）检测方法与经验[2009-11-14]

    一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正

  • 场效应管（mosfet）参数符号意义[2008-05-28]

    Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流

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