ST/意法
5N60-10N60
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
L/功率放大
GE-N-FET锗N沟道
原装拆机 MOSFET场效应管TO-220 4N60-10N60汕头市潮南区陈店镇兴龙电子商行主营拆机*翻新大铝电解电容、电源场效应管。我们的宗旨:给客户提供*稳定、*实惠的电容!我们的服务:有任...
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时间
*铠
JS14A-M
AC220
*率
3
220
常开型
产品参数S14A-M,A晶体管时间继电器的详细信息JS14A,JS14,JS14A-M,JS14A-Y,JSJ 深圳晶体管时间继电器 生产厂家/型号/价格JS14A晶体管时间继电器一、概述该系列晶体管时间继电器采用大...
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功率
Vishay/威世通
IRF9530
硅(Si)
TO-220
IRF9530 概述IR的第五代HEXFETs功率场效应管IRF9530采用*的工艺技术制造,具有*低的导通阻*。IRF9530这种特性,加上快速的转换速率,和以坚固耐用著称的HEXFET设计,使得IRF9530成为*...
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APEC/台湾富鼎
AP2306AGN-HF
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
▼Capable of 2.5V gate drive▼ Lower on-resistance▼ Surface mount package BVDSS 30VRDS(ON) 35mΩ ID 5A Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing t...
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IR/国际整流器
IRFR120N
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
汕头市飞粤电子主营:TO252,TO251,TO263,TO262,TO220.TO223等系列封装场效应管三*管肖特基,MICREL厂家IC,货充足,价格优势欢迎咨询
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ST/意法
P75NF75
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-ARR/陈列组件
P-DIT/塑料双列直插
GE-N-FET锗N沟道
P75NF75,P60NF06,50NF06,2SK4145,2SK3435,T430,IRF3205,IRF3710,IRF2807,IRF1010,IRF4905,IRFB3607.IRF4310,IRF740,IRF730,IRF830,IRF840,2SK2645.2SK2545,2SK2544,2SK2141,K1507,K29...
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FH
7N60
*缘栅(MOSFET)
P沟道
增强型
广州旌智电子科技有限公司是国内具有实力的欧洲/美国/日本/韩国/台湾电子元器件代理商和分销商之一,是一家从事三*管,场效应管和IC集成电路的销售企业,经营来自世界各地的系列产品...
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ST/意法
75NF75
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
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ST/意法
STP75NF75 P75NF75
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功率
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型号:BLT81厂家:NXP 参数: 500MA/7.5V/1.2W/900MHZ封装:SOT-223实价现货 可批发*售,*格另议。产品保质量30天,上机或损坏不包退款换货。退货所产生的邮费由买家支付,否则不予以退货。*到付件均拒收,请买家与客服沟通清楚。品种*,质量*,大量供货,价...
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ARK
DMZ6005
*缘栅(MOSFET)
P沟道
耗尽型
UNI/一般用途
CHIP/小型片状
N-FET硅N沟道
*ARK原厂原装现货 价格优势 实单量大可谈 型号 品牌 封装 批号 包装 价格 DMZ6005 / DMZ6005E ARK SOT-23 13+ 3000PCS 0.25 深圳市万丰联科电子有限公司主营产品: 三*管-场效应管mos...
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Toshiba/东芝
K1120 K1358
结型(JFET)
P沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
平祥电子经营部坐落于粤东电子城, 批发与*售二三*管,桥堆,场效应管,肖特基,快恢复,电解电容,安规电容,涤纶电容,CBB电容,瓷片电容和DIP、等电子元器件。型号*,货源充足,一...
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TRU*EMI 信安
TSF5N60M
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
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Toshiba/东芝
TK10A60D
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N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
品名封装品牌TK15A60UTO-220F东芝2SK4013TO-220F东芝TK12A50DTO-220F东芝TK12A60DTO-220F东芝TK12A60UTO-220F东芝TK10A60DTO-220F东芝TK11A60DTO-220F东芝TK13A60DTO-220F东芝TK15A60...
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INFINEON/英飞凌
BSP89
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N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
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FDN357N
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N沟道
耗尽型
A/宽频带放大
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型号:FDN357N封装:SOT-23品牌:*童批号:13+PDF资料链接:http://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/51386/FAIRCHILD/FDN357N.html
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(纯铝制散热片,适用于电子、电脑、电器配套,起到散热作用)*店:散热片长度可变,可根据买家需求进行开孔、氧化颜色、开凿等加工,价格另算.(注:订做及加工有数量的要求,详情请...
电话:86 0755 83382886
FAIRCHILD/*童
FDD850N10L
*缘栅(MOSFET)
MOSFET N 通道,金属氧化物
增强型
MOS-HBM/半桥组件
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
FDD6030L30V N沟道逻辑PowerTrench® MOSFETFDD6690A30V N沟道PowerTrench® MOSFETFCD620N60ZFN 沟道 SuperFET® II FRFET® MOSFET 6...
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IR/国际整流器
IRF1010
结型(JFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
ALGaAS铝镓砷
批量供应 IRF1010 场效应管 *拆机 量大价优 【新源兴电子】大电流MOS管 仪器测试 优势供应拆机STP75NF75 STP65NF06 STP60NF06 IRF1010E IRF2807 IRF3205 2SK4145 2SK3435 AOT430 50N0...
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一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正
Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比(占空系数,外电路参数)di/dt---电流