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场效应管MOSFET

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  • 品牌/商标:

    YAU日本GENERAL

  • 型号/规格:

    STP10NK80ZFP

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    M*金属半导体

柜台现货,深圳市福田区赛格广场二楼2347柜,主营:二三*管,场效应,IGBT ,单双向可控硅,快恢复,三四端稳压,达林顿大.中.小功率三*管,BTS系列,各种IC集成电路和模块等。

  • 品牌/商标:

    FRE*CALE/飞思卡尔

  • 型号/规格:

    FQPF10N60C

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

深圳市力通微电子有限公司热卖变频器IC 音响IC 逻辑信号IC 开关电源IC 电焊机IC MOS管 光藕 常用型号。。。主要包括TTL(数字电路):74HC/H*/LS/ALS/AC/A*/F系列;CMOS(模拟电路):400...

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRFP4568PBF

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 材料:

    GE-P-FET锗P沟道

深圳弘城信电子经营部为实体店的网络销售部。 主要经营电子元器件。坚持实物拍摄各位买家*。我们坚持销售掌柜在线可加联系:温馨提示:推荐使用“购物车”...

  • 品牌/商标:

    Toshiba/东芝

  • 型号/规格:

    2SK3568

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

深圳市富莱德科技有限公司,是一家集营销、代理为一体的电子元器件经销企业,于为广大客户、厂商提供全系列电子元器件配套供应。公司经过多年的拼搏发展,凭借的服务水平,*的产品质...

  • 品牌/商标:

    AOS/美国万代

  • 型号/规格:

    AOD4132

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

本公司主营 MOSFET 场郊应管元件主营品牌有 AOS, 微盟MicrOneAO3400,AO3401,AO3402,AO3403,AO3404,AO3406,AO3407,AO3409,AO3413,AO3415,AO3416,AO4405,AO4407,AO4409,AO4410,AO8820,A...

  • 品牌/商标:

    *童 三星 哈里斯 ST MOT等厂家

  • 型号/规格:

    50N06

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-ARR/陈列组件

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

汕头明达电子长期大量*批发全系列拆机电动摩托车控制器.转换器及充电器场效应管 型号概要 STP75NF75 STP65NF06 STP60NF06 IRF1010E IRF2807 IRF3205 IRFB3607 2SK4145 2SK3435 AOT430...

  • 品牌/商标:

    ANPEC/茂达

  • 型号/规格:

    APM2301

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

深圳市盛华科电子是ANPEC(茂达)电源管理IC授权供应商,产品主要包括:电源转换及电源管理IC,马达驱动器IC,音频功放器IC,离散式功率元件等.性价比优,货源充足稳定,代理产品主要型号有:各...

  • 品牌/商标:

    AOS/美国万代

  • 型号/规格:

    AO4916

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

VDS (V) = 30V ID = 8.5A (VGS = 10V)RDS(ON)< 17mΩ RDS(ON) < 27mΩ 的电子元器件供应商常备现货,物美价廉,量大从优!公司坚持...

  • 品牌/商标:

    ME (微盟)

  • 型号/规格:

    ME6206L33PG

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    DIFF/差分放大

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    P-FET硅P沟道

描述: 特点: 高输出电压:±2% ME6206 系列是高纹波抑制率、低功耗 输出电压:1.5V~5.0V(步长 0.1V) 低压差,具有过流和短路保护的 CMOS 降压 工作电压:6V 型电压稳...

  • 品牌/商标:

    ON/安森美

  • 型号/规格:

    T6N10E

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

本产品质量*,价格优惠。汕头市潮南区陈店利兴电子商店 本公司经销的拆机,散新,原装贴片管TO-252、TO-251型号*、价格合理。本公司以重信用、守合同、*产品质量,以多品种经营特色和...

  • 品牌/商标:

    OB

  • 型号/规格:

    OB2269

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 功率:

    80%

华本天成优质供应 OB2269 电流模式PWM控制器芯片 质量稳定 价格优势 OB2269是一个高度集成的电流模式PWM1电流模式PWM控制器 一般说明:*控制集成电路优化,低待机功耗和成本*的离线反...

  • 品牌/商标:

    韩国索森美

  • 型号/规格:

    8N60C

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

MOS采购商8N60 MOS管代理商8N60*:/MOS管供应商:SSF8N60 TO-220塑封由深圳市三资电子科技有限公司代理商供应:供应地址:深圳市福田区中航路国利大厦1310室 SSF8N60全称为SOURC*EMI...

  • 品牌/商标:

    LT/凌特

  • 型号/规格:

    LT1172*

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 类型:

    其他IC

  • 封装:

    T0252

深圳市捷锦微电子有限公司主营LT,ST,TI,NXP,NS,AD,MAX,ATMEL等系列品牌!*原装,价格优势,代理分销商,只做*原装,*十,欢迎来电咨询! 林,陈R

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    K80E08K3

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

汕头宇星电子长期大量批发全系列拆机电动自行车控制器.转换器场效应管如st75NF75 T430 T428 K3435 K4145 60NF06 65NF06 IRF1010 IRF2807 IRF3205 三端稳压LM317等TO-220系列三级管欢...

  • 品牌/商标:

    SILAN/士兰微

  • 型号/规格:

    mos管

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    P-FET硅P沟道

坚持“以人为本”的人才战略原则,以“客户满意”为的生产、营销体系,快捷的信息反应系统、技术支持、售后服务,完善的营销网...

  • 品牌/商标:

    AOS/美国万代

  • 型号/规格:

    AO3421

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    P-FET硅P沟道

*原装现货,货真价实,*出售AOD4106AOS08+PBSOTAOD4108AOS06+PBSOTAOD4108AOS06+PBSOTAOD411AOS06+PBSOTAOD411AOS06+PBSOTAOD411AOS08+PBTO-252199

  • 品牌/商标:

    FUJI/富士通

  • 型号/规格:

    1*H50D-060

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MOS-ARR/陈列组件

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

大中小功效三*管,三.四.五端压稳压,电源模块.可控硅,场效应,特基,快恢复二*管, APT系列,TOP系列,BTS系列 BTA系列 TIP系列 IGBT 光耦 I*TL(數字電路):74HC/H*/LS/ALS/AC/A*...

  • 深圳市森扬电子商行
  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东深圳
  • 电话:86 0755 13728957709

    手机:13728957709

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    P75NF75

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

一、本店*产品宝贝*支持支付宝交易与银行打款; 二、买家请从收到货时起四十八小时内确认货款提供保质服务,*时将不提供保质服务;不便之处,敬请凉解!(收货时间以该快递网站数据为...

  • 庄楚彪(个体经营)
  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东汕头
  • 电话:86 0754 84490014

  • 品牌/商标:

    Panasonic/松下

  • 型号/规格:

    2SK3031

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 封装形式:

    SOT-251

  • 应用范围:

    功率

1.产品图片为形象图片,以实物为准;2.根据购买数量的不同会有不同的价格浮动,以实时销售报价为准!3.产品参数为非人士填写,请以数据为准本商行主营产品:电解电容、IC集成电路、二...

  • 品牌/商标:

    TRU*EMI/信安

  • 型号/规格:

    TSF10N60M

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

产品型号封装电压TSP640MTO-220200VTSP740MTO-220400VTSP830MTO-220500VTSD5N50MTO-252500VTSP840MTO-220500VTSP13N50MTO-220500VTSA20N50MTO-*500VTSU2N60MTO-251600VTSD2N60MTO-252...

场效应管MOSFET技术资料

  • 场效应管(MOSFET)检测方法与经验[2009-11-14]

    一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正

  • 场效应管(mosfet)参数符号意义[2008-05-28]

    Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比(占空系数,外电路参数)di/dt---电流

电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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