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场效应管MOSFET

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  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    IRF630

  • 材料:

    硅(SI)

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

因国产市场存在多种芯片质量,导致质量上的差异,本店*所*品是性价比的产品,量大从优。本店所销售货品均为*货,样品恕不退货。 整包一般可以拆样。拆样单价请另外咨询,谢谢!现货批...

  • 品牌/商标:

    Samsung/三星

  • 型号/规格:

    SSH7N90

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

批发IR、ST、MOT、NEC、*童、富士通、东芝、三菱、松下、乐松、红宝石、*、三星、飞利浦等世界的拆机二*管、拆机三*管、拆机场效应管、拆机桥堆、可控硅、肖特基、达林顿、三端稳压、...

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRF640NPBF

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

PRODU* INFORMATION(元件简介)Part No.(型号): IRF640NPBF Brand(厂家): IR Package(封装): TO-220 Voltage(电压值): 200VCurrent(电流值): 18A

  • 品牌/商标:

    ON/安森美

  • 型号/规格:

    LM317

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 材料:

    M*金属半导体

东莞*旺电子有限公司代理*童FAIRCHILD、IR、意法半导体ST、友顺UTC、安森美ON、英飞凌Infineon、威世VISHAY等品牌的场效应管(MOS管),是UTC、NEC的*授权代理商,12年专注成就今日,代...

  • 型号/规格:

    PFM1N80

  • 品牌/商标:

    PD

  • 封装形式:

    TO-92

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

型号:PFM1N80 品牌:PD (韩国品牌) 包装:2K 此产品为我司有大量现货库存,价格优惠!!!! 胡晓梅/Jessy Hu 骏源工程有限公司 (Smart Source Engineering Limited) 地址:深圳市...

  • 品牌/商标:

    ADSEMI

  • 型号/规格:

    APM943

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    GE-P-FET锗P沟道

APM9435为一颗P-MOSFET,VDS耐压为30V,VGS耐压为25V,提供的连续电流为6.2A,在VGS=10V时,导通阻抗为60mΩ,采用无铅的SOP-8封装,主要作为电源的开关和PWM的功率器件...

  • 型号/规格:

    RUM003N02T2L

  • 品牌/商标:

    ROHM

  • 类型:

    *缘栅型场效应管/MOS场效应管

  • 沟道类型:

    N型沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • **:

  • 适合频率:

    低频

  • 工作电压:

    提供原厂资料参考V

代理ROHM*产品 质量* 可提供样品和技术支持更多产品型号如下; QS8J4 QS8K13 BA05CCOFP-E2 BU97950FUV RSQ035N03TR BD3491FS BH1710FVC RPI-579N1 RB521S-40TE61 BU4216F-TR BA6418N

  • 类型:

    其他IC

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRF3205

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 漏极电流:

    0

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 开启电压:

    0

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

香港艾特思科技有限公司,成立于2004年深圳,是个有热诚、敢于挑战的电子元器件供货商,只经营国际知名品牌IC,只提供进口原厂IC。我们承诺:所有销售的产品原装,产品符合生产厂家的...

  • 李胜利
  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:生产企业
  • 地区:
  • 电话:15978772545

  • 品牌/型号:

    F3415S

  • 型号/规格:

    F3415S

  • 品牌/商标:

    IR

  • 类型:

    结型场效应管

  • 沟道类型:

    N型沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 加工定制:

销售IC集成电路,配套供应晶振、二三*管、电容、电阻、电感等DIP、SMD电子元器件,优势产品有:1、数字电路(TTL):74HC,74LS,74H*,74LVC,74AH*系列2、模拟电路(CMOS):4000,4500...

  • 品牌/型号:

    GMR-32B

  • 种类:

    结型JFET

  • 特色标志:

    新品

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 沟道类型:

    N沟道

上海舒沃传动设备有限公司 地址:上海奉贤区西渡镇西闸公路1118弄 联 系 人:张凯 联系电话: 传真号码: 网 址: 相电源保护器、相序保护器ABJ1-14CY 三相电源保护器、相序保护器GMR...

  • 品牌/型号:

    TOS日本东芝

  • 种类:

    *缘栅MOSFET

  • 用途:

    MIX/混频

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 开启电压:

    12(V)

  • 夹断电压:

    8(V)

  • 低频跨导:

    2(μS)

产品的详细情况型号: 2SK2698 EOL announced产品分类名: 晶体管/功率MOSFET/Nch 250V<VDSS≦500V 属性属性值条件部件型号2SK2698 *性N沟 漏源电压VDSS500 V 漏电流ID15 A ...

  • 品牌/型号:

    ST

  • 封装:

    TO-247

  • 击穿电压:

    100――900V

  • 低频噪声系数:

    0.2

  • 输入*压保护:

    200

  • 栅源击穿电压:

    900v

  • 漏源动态电阻:

    1.1――1.3Ω

  • 用途:

    A/宽频带放大

RoHS:/17795.aspx 数据列表 STx9NK90Z 类别 分离式半导体产品 FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 漏*至源*电压(Vdss) 900V 电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 8A 开态Rds()@ Id...

  • 批号:

    2011

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 种类:

    绝缘栅(MOSFET)

  • 类型:

    其他IC

  • 型号/规格:

    FQP10N60C

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 品牌/商标:

    FREESCALE/飞思卡尔

  • 沟道类型:

    N沟道

展亨科技是韩国三星MCU单片机的代理商。也是目前香港/深圳规模的原装三星MCU单片机的代理商及现货供应商。公司成立于1996年,总部设在香港。我司代理的品牌有:SAMSUNG(三星)、UBIS...

  • 品牌/型号:

    松下

  • 种类:

    结型JFET

  • 特色标志:

    新品

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 沟道类型:

    N沟道

供应微波变压器、2M167B-M11、2M210-M1、2M244-M1/M6、2M210、2M167B、2M189、2M137、2M262、2M259、2M289、2M265、2M256、2M244、2M236等  2m167b-m11参数;2M167B-M11...

  • 品牌/型号:

    回收

  • 输入设备:

    键盘

  • LED光源种类:

    食人鱼

显示屏回收/LED显示屏回收/回收LED显示屏--电话:、.我们24小时恭候您的来电!!! 中间人介绍重酬!! 多元电子从事显示屏回收/LED显示屏回收/回收LED显示屏项目, LED显示屏(LED panel):LED就是light emitting diode ,发光二*管的英文缩写,简称LED。LED...

  • 品牌/型号:

    AO3400

宏华电子经销MOS管AO3400;AO3406 SOT23 优质优价 特色标志:*产品型号:AO3400;AO3406 封装:SOT-23包装:3K/Reel产品名称:场效应管 产品特点:1.*率2电压输出范围宽 应用范围:MP3\MP4 数码相机、GPS模块、PDA、便携式测试仪器欢迎联系!我司可以提供样品,提供PDF资料,*周到的服务 ※*提醒※【主营】集成电路;二*管;三*管;CBB电容...

  • 品牌/商标:

    IR

  • 型号/规格:

    IRF9530N

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-P-FET锗P沟道

一,1A—10A各类直插,贴片二*管:普通二*管、快恢复二*管、*整流二*管HER系列、*快恢复二*管、肖特基二*管、稳压二*管、开关二*管、触发二*管、瞬变抑制二*管1.整流二*...

  • 型号/规格:

    AP55T10GP-HF

  • 品牌/商标:

    APEC(富鼎*)

  • 封装形式:

    TO-220

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    盒带编带包装

Part Number Package T*e VDS (V) VGS (±V) IDS (A) RDS(ON) (mΩ max) at VGS= Tc=25°C Ta=25°C 100°C 10V 4.5V 2.5V 1.8V AP55T10GH-HF TO-25...

  • 批号:

    12

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 类型:

    其他IC

  • 型号/规格:

    IRF7425TRPBF

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 沟道类型:

    N沟道

标准包装:4,000类别:分离式半导体产品家庭:FET - 单系列:HEXFET®FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 特点:逻辑电平门漏*至源*电压(Vdss):20V电流 - 连续漏*(Id)...

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 应用范围:

    功率

  • 封装形式:

    TO-220

  • 型号/规格:

    IRF840

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 品牌/商标:

    Vishay/威世通

  • 用途:

    A/宽频带放大

类别 MOSFET家庭 FET - 单系列 -FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能 标准漏源*电压 (Vdss) 500V电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时) 8A不同 Id、Vgs 时的 Rds On(...

场效应管MOSFET技术资料

  • 场效应管(MOSFET)检测方法与经验[2009-11-14]

    一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正

  • 场效应管(mosfet)参数符号意义[2008-05-28]

    Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比(占空系数,外电路参数)di/dt---电流

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