CER-DIP/陶瓷直插
IRF630
硅(SI)
A/宽频带放大
FAIRCHILD/*童
N沟道
结型(JFET)
增强型
因国产市场存在多种芯片质量,导致质量上的差异,本店*所*品是性价比的产品,量大从优。本店所销售货品均为*货,样品恕不退货。 整包一般可以拆样。拆样单价请另外咨询,谢谢!现货批...
手机:15099926784
Samsung/三星
SSH7N90
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
S/开关
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
批发IR、ST、MOT、NEC、*童、富士通、东芝、三菱、松下、乐松、红宝石、*、三星、飞利浦等世界的拆机二*管、拆机三*管、拆机场效应管、拆机桥堆、可控硅、肖特基、达林顿、三端稳压、...
手机:
IR/国际整流器
IRF640NPBF
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
PRODU* INFORMATION(元件简介)Part No.(型号): IRF640NPBF Brand(厂家): IR Package(封装): TO-220 Voltage(电压值): 200VCurrent(电流值): 18A
手机:
ON/安森美
LM317
结型(JFET)
N沟道
增强型
M*金属半导体
东莞*旺电子有限公司代理*童FAIRCHILD、IR、意法半导体ST、友顺UTC、安森美ON、英飞凌Infineon、威世VISHAY等品牌的场效应管(MOS管),是UTC、NEC的*授权代理商,12年专注成就今日,代...
手机:13712812287
PFM1N80
PD
TO-92
无铅*型
直插式
盒带编带包装
型号:PFM1N80 品牌:PD (韩国品牌) 包装:2K 此产品为我司有大量现货库存,价格优惠!!!! 胡晓梅/Jessy Hu 骏源工程有限公司 (Smart Source Engineering Limited) 地址:深圳市...
电话:0755-25899460
手机:13826590515
ADSEMI
APM943
绝缘栅(MOSFET)
P沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
SMD(SO)/表面封装
GE-P-FET锗P沟道
APM9435为一颗P-MOSFET,VDS耐压为30V,VGS耐压为25V,提供的连续电流为6.2A,在VGS=10V时,导通阻抗为60mΩ,采用无铅的SOP-8封装,主要作为电源的开关和PWM的功率器件...
电话:0755-29305621
RUM003N02T2L
ROHM
*缘栅型场效应管/MOS场效应管
N型沟道
增强型
是
低频
提供原厂资料参考V
代理ROHM*产品 质量* 可提供样品和技术支持更多产品型号如下; QS8J4 QS8K13 BA05CCOFP-E2 BU97950FUV RSQ035N03TR BD3491FS BH1710FVC RPI-579N1 RB521S-40TE61 BU4216F-TR BA6418N
手机:13592908168
其他IC
IR/国际整流器
IRF3205
A/宽频带放大
0
P-DIT/塑料双列直插
0
GE-N-FET锗N沟道
香港艾特思科技有限公司,成立于2004年深圳,是个有热诚、敢于挑战的电子元器件供货商,只经营国际知名品牌IC,只提供进口原厂IC。我们承诺:所有销售的产品原装,产品符合生产厂家的...
电话:15978772545
F3415S
F3415S
IR
结型场效应管
N型沟道
耗尽型
是
销售IC集成电路,配套供应晶振、二三*管、电容、电阻、电感等DIP、SMD电子元器件,优势产品有:1、数字电路(TTL):74HC,74LS,74H*,74LVC,74AH*系列2、模拟电路(CMOS):4000,4500...
电话:13728789077
GMR-32B
结型JFET
新品
ALGaAS铝镓砷
耗尽型
N沟道
上海舒沃传动设备有限公司 地址:上海奉贤区西渡镇西闸公路1118弄 联 系 人:张凯 联系电话: 传真号码: 网 址: 相电源保护器、相序保护器ABJ1-14CY 三相电源保护器、相序保护器GMR...
电话:13585939314
TOS日本东芝
*缘栅MOSFET
MIX/混频
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
12(V)
8(V)
2(μS)
产品的详细情况型号: 2SK2698 EOL announced产品分类名: 晶体管/功率MOSFET/Nch 250V<VDSS≦500V 属性属性值条件部件型号2SK2698 *性N沟 漏源电压VDSS500 V 漏电流ID15 A ...
电话:13725505885
ST
TO-247
100――900V
0.2
200
900v
1.1――1.3Ω
A/宽频带放大
RoHS:/17795.aspx 数据列表 STx9NK90Z 类别 分离式半导体产品 FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物 漏*至源*电压(Vdss) 900V 电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 8A 开态Rds()@ Id...
电话:13826513400
2011
N-FET硅N沟道
绝缘栅(MOSFET)
其他IC
FQP10N60C
P-DIT/塑料双列直插
FREESCALE/飞思卡尔
N沟道
展亨科技是韩国三星MCU单片机的代理商。也是目前香港/深圳规模的原装三星MCU单片机的代理商及现货供应商。公司成立于1996年,总部设在香港。我司代理的品牌有:SAMSUNG(三星)、UBIS...
电话:0755-83030135
松下
结型JFET
新品
ALGaAS铝镓砷
耗尽型
N沟道
供应微波变压器、2M167B-M11、2M210-M1、2M244-M1/M6、2M210、2M167B、2M189、2M137、2M262、2M259、2M289、2M265、2M256、2M244、2M236等  2m167b-m11参数;2M167B-M11...
电话:15238601121
手机:18838029883
回收
键盘
食人鱼
显示屏回收/LED显示屏回收/回收LED显示屏--电话:、.我们24小时恭候您的来电!!! 中间人介绍重酬!! 多元电子从事显示屏回收/LED显示屏回收/回收LED显示屏项目, LED显示屏(LED panel):LED就是light emitting diode ,发光二*管的英文缩写,简称LED。LED...
电话:18682419296
AO3400
宏华电子经销MOS管AO3400;AO3406 SOT23 优质优价 特色标志:*产品型号:AO3400;AO3406 封装:SOT-23包装:3K/Reel产品名称:场效应管 产品特点:1.*率2电压输出范围宽 应用范围:MP3\MP4 数码相机、GPS模块、PDA、便携式测试仪器欢迎联系!我司可以提供样品,提供PDF资料,*周到的服务 ※*提醒※【主营】集成电路;二*管;三*管;CBB电容...
电话:15013763631
IR
IRF9530N
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
GE-P-FET锗P沟道
一,1A—10A各类直插,贴片二*管:普通二*管、快恢复二*管、*整流二*管HER系列、*快恢复二*管、肖特基二*管、稳压二*管、开关二*管、触发二*管、瞬变抑制二*管1.整流二*...
手机:13560739258
AP55T10GP-HF
APEC(富鼎*)
TO-220
无铅*型
直插式
盒带编带包装
Part Number Package T*e VDS (V) VGS (±V) IDS (A) RDS(ON) (mΩ max) at VGS= Tc=25°C Ta=25°C 100°C 10V 4.5V 2.5V 1.8V AP55T10GH-HF TO-25...
电话:025-1391303194
手机:13961473289
12
结型(JFET)
其他IC
IRF7425TRPBF
SMD(SO)/表面封装
IR/国际整流器
A/宽频带放大
N沟道
标准包装:4,000类别:分离式半导体产品家庭:FET - 单系列:HEXFET®FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物FET 特点:逻辑电平门漏*至源*电压(Vdss):20V电流 - 连续漏*(Id)...
手机:
N-FET硅N沟道
结型(JFET)
功率
TO-220
IRF840
CER-DIP/陶瓷直插
Vishay/威世通
A/宽频带放大
类别 MOSFET家庭 FET - 单系列 -FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能 标准漏源*电压 (Vdss) 500V电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时) 8A不同 Id、Vgs 时的 Rds On(...
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一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正
Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比(占空系数,外电路参数)di/dt---电流