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CER-DIP/陶瓷直插
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TOSHIBA/东芝
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SMD(SO)/表面封装
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P-FET硅P沟道
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IR/国际整流器
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GE-N-FET锗N沟道
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CER-DIP/陶瓷直插
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P-DIT/塑料双列直插
SI2301
N-FET硅N沟道
MOS-HBM/半桥组件
博明
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耗尽型
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电,也称为单*型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10^8~10^9&Omeg...
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Alpha/阿尔法
AO3401
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GE-P-FET锗P沟道
AO3401是一个单个P沟道金属氧化物场效应管。它采用了*的沟道技术,拥有*的导通电阻RDS(ON),*2.5V的门*开启电压。它适合用做负载开关或者PWM开关。 深圳市柯诺利电子地址:深圳市福田...
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AOZ1013AI
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IR/国际整流器
IRFR3411TRPBF
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IR/国际整流器
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IR/国际整流器
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SOP-8/N沟道 30V 7A
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制造商:Vishay 晶体管*性:N-Channel 汲*/源*击穿电压:30 V 闸/源击穿电压:+/- 20 V 漏*连续电流:7 A 电阻汲*/源* RDS(导通):30 mOhms 配置:Single 工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/S...
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SMD(SO)/表面封装
GT3409
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P-FET硅P沟道
SW-REG/开关电源
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产品相关介绍:30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET30V P沟道增强型MOS管VDS= -30VRDS(ON), Vgs@-10V, = 97mΩRDS(ON), , = 125mΩRDS(ON), , = 150m&a...
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稳压IC
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一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正
Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比(占空系数,外电路参数)di/dt---电流