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场效应管MOSFET

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  • 品牌/商标:

    台湾茂达

  • 型号/规格:

    APM2301CAC-TRG

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

仓库一角 仓库一角 [公司简介] 欢迎光临惠顾,深圳市福田区同佳电子经营部将为你提供*的优质服务,量大价格优惠.公司主营*贴片集成电路,公司销售IC集成电路,配套供应晶振、二三*管...

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格:

    STTH2003CF

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

  • 用途:

    MOS-HBM/半桥组件

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

MOS管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—*缘体(insulator)—半导体。MOS管的so...

  • 品牌/商标:

    PHI IR ST SEC

  • 型号/规格:

    FS22SM-10

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

我司长期提供质优价廉的场效应管和各种二*管产品,场效应管,型号*。供货及时,*质量!诚邀各地厂家商家强强合作,共谋市场发展!!

  • 品牌/商标:

    ST/意法

  • 型号/规格:

    P50NE10

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

主 营 本厂长期供应:场效应管、可控硅、大电流管、 高压管、肖特基、快恢复、达林顿、三端稳压 等一系列二、三*管 主打电动车控制器一系列二、三*管 主营:P75NF75 60NF06 F1010E IRF...

  • 林春德
  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:广东汕头
  • 手机:

  • 品牌:

    Hitachi/日立

  • 型号:

    K1522

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

优势供应2SK1522 K1522原装现货。 我司该货源稳定,质量*。三*管我们有大量现货,货源稳定,且质量有*。我们的产品远销*各地,一直以来,*让利,诚信经营,本着*格重质量,讲信用守合...

  • 品牌:

    IPS

  • 型号:

    IPS MOS 4N60

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MOS-FBM/全桥组件

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

FTP/A04N60C,(600V,4A).(可代Fairchild FQPF5N60C(SSS4N60B) Toshiba 2SK2750(2SK3567) IR FIB*0GLC ST STP4NK60ZFP),"

  • 品牌/商标:

    国产

  • 型号/规格:

    2SK1489 /TO-264

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

环融电子半导体主要生产销售:SOT-23,TO-92,T0-92L,T0-126,TO-220,封装三*管,*是在8000系列,9000系列,13000系列等型号,在国内具有价格优势和质量保障。同时提供配套整流二*...

  • 品牌/商标:

    SILAN/士兰微

  • 型号/规格:

    SVD10N65F

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    VA/场输出级

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    GaAS-FET砷化镓

长期现货供应SILAN士兰微场效应管600V、650V系列的高压MOS管SVD10N65F,产品质量稳定,价格优惠特点:* 4A,650V,RDS(on)=2.3Ω@VGS=10V* 低栅*电荷量* 低反向传输电容* ...

  • 品牌/商标:

    德国法勒

  • 型号/规格:

    LTE/LTE-U10

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MIN/微型

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    GE-P-FET锗P沟道

德国vahle法勒 中国《厦门》办事处厦 门 科 比 特 自 动 化 技 术 有 限 公 司联 系 人 : 乐 彬联系 : 0 5 9 2 0 5Q Q: 9 6 3 9德国VAHLE移动供电系统VAHLE代理 VAHLE厂家 VAHLE价...

  • 型号/规格:

    STK0260F

  • 品牌/商标:

    AUK

  • 封装形式:

    TO-220

  • *类别:

    无铅*型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    单件包装

  • 功率特征:

    小功率

深圳市嘉谊兴电子有限公司是一家电子元器件配套商, 已有多年的配套服务经验,在电子行业里是一家是**的商家。主营二三*管 MOS管场效应管 集成电路 电源IC 可控硅 光耦 肖特基 快恢复...

  • 额定电压:

    AC127

  • 产品系列:

    晶体管闪烁继电器

  • 线圈电源:

    220

  • 额定电流:

    10A

  • 线圈功率:

    110

  • 触点切换电流:

    10

  • 触点切换电压:

    220

  • *护特征:

    敞开式

JSZ-2闪烁继电器晶体管闪烁继电器为一般科学实验及工业生产之电路故障基本元件,是广泛应用于石油,化工,机电等故障报警闪烁指示的自动控制元件晶体闪烁继电器采用新颖的振荡电路,...

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    FGH60N60SFDTU

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

深圳市圳想电子有限公司在电子元器件产品领域拥有10余年的经验,是一家专门服务于电子企业的综合性公司,在元器件方面我们已取得美国GPM、日本松木(MATSUKI)、台湾UPI、山东淄博美...

  • 品牌/商标:

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格:

    IKW50N60T

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    HI-IMP/高输入阻*

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

汇兴(香港)股份有限公司成立于2002年,公司主要业务为电子元器件代理分销、配套和应用技术支持等,公司成立已来在逆变焊机,逆变器,变频器、UPS/EPS、电源、电机控制器、机械设备...

  • 品牌/商标:

    ATMEL/爱特梅尔

  • 型号/规格:

    2301

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MOS-FBM/全桥组件

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

ATM2301的主要技术参数:(可*替代2301)MOS管在电路上是一个常见的元器件。我司大量现货供应。 我们的服务宗旨:产品+服务+诚信顾客至上,品质,持续*,客户满意!

  • 品牌/商标:

    NS/国半

  • 型号/规格:

    1N60 2N60 6N60 8NN60

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    DUAL/配对管

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    M*金属半导体

广泛用于各种电器 1N60 2N60 3N60 4N60 5N60 6N60 7N60 8N60 9N60 10N60

  • 品牌/商标:

    Vishay/威世通

  • 型号/规格:

    SI7858BDP-T1-GE3

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MOS-ARR/陈列组件

SI7858BDP-T1-GE3 12v 2.5mohms pwrpak so-8 n-ch原装*!"

  • 封装外形:

    LLCC/无引线陶瓷片载

  • 型号/规格:

    13N06

  • 材料:

    *肖特基势垒栅

  • 用途:

    L/功率放大

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 导电方式:

    增强型

型号繁多,无法一一上传实物图片,请谅解,若有需要可向本公司要求提供图片电子行业价格变动快,请下单前先咨询当天的价格以免出现不愉快,谢谢! 威尔奇电子从2001年起从事电子元器...

  • 品牌:

    HEZEVI

  • 型号:

    KD2300

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    S/开关

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    GE-N-FET锗N沟道

KD2300可兼容、代用、代换、替换市面上各类型的2300;Si2300,APM2300,CEM2300,STS2300,AP2300,MT2300,ME2300, 陈忠章

  • 类型:

    其他IC

  • 品牌/商标:

    FRE*CALE/飞思卡尔

  • 型号/规格:

    场效应管结型J201

  • 封装:

    TO-92

  • 批号:

    2012

  • 用途:

    *

*原装现货參數說明DescriptionN通道通用放大器Pins/Package*/TO-92Pd(max.)0.625WId(max.)1m*ds(max.)40VVgsN/P Ch.NRds(on)(max.) Ω重量0.15g

  • 品牌/商标:

    ATT美国电话电报

  • 型号/规格:

    *.251

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MOS-INM/*组件

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    P-FET硅P沟道

不会有残留现象发生,耐气候性,而溶济,而水性等,用于建筑和室内养生等场合。 包装规格: 宽度长度包装个装内装外装

场效应管MOSFET技术资料

  • 场效应管(MOSFET)检测方法与经验[2009-11-14]

    一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正

  • 场效应管(mosfet)参数符号意义[2008-05-28]

    Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比(占空系数,外电路参数)di/dt---电流

电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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