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场效应管MOSFET

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

您是不是要找： 7N60场效应管 AOS场效应管 irf场效应管 MOSFET场效应管 mos场效应管 P场效应管

维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

公司类型

所在地区

源头工厂

KA3842 RL207 6A-10 IN5408

品牌/商标：
Directed美国
型号/规格：
3842
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
耗尽型
用途：
MIX/混频
封装外形：
SMD(SO)/表面封装
材料：
M*金属半导体

本公司诚接配套业务经营范围如下：配套电动车冲电器、控制器、开关电源等全套元器件。质量*，价格优惠。*： : 何先生,陈【运费说明】★方案1：顺丰快递【国内速度*快、服务】资费说...

结型场效应管陈淑青
供应商等级： 免费会员
企业类型：经销商
地区:江苏无锡

手机：

场效应管 IRFP254 IXTR 30N25 DPH 30

N-Channel Power MOSFET(N沟道增强型功率MOS场效应管（漏源电压为250V，导通电阻为0.14&Omega;，漏电流为25A）)主要作用：1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻*很高，因此耦合电容可以容量较小，不*使用电解电容器。2.场效应管很高的输入阻**适合作阻*变换。常用于多级放大器的输入级作阻*变换。3....

结型场效应管上海板升自动化科技有限公司
供应商等级： 免费会员
企业类型：经销商
地区:上海

手机：18019499161

FGL60N100BNDT

品牌/商标：
FAIRCHILD/*童
型号/规格：
FGL60N100BNDT
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
D-G双栅四*
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
GE-N-FET锗N沟道

供应FGL60N100BNDT60A/1000 TO-264IGBT单管，广泛用于电焊机，变频电源，电磁炉，充电机，*声波发生器等产品上"

结型场效应管必高升国际有限公司
供应商等级： 免费会员
企业类型：经销商
地区:广东深圳

手机：

BL场效应管2N7002,SOT-23

品牌：
BL银河Galaxy
型号：
2N7002,SOT-23
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
AM/调幅
封装外形：
SMD(SO)/表面封装
材料：
M*金属半导体

我公司是一家经营电子元器件的公司，2002年成立，注册资金200万美元，平均年销售额1200万美元。总公司在香港，由于业务发展需要，又分设了上海、深圳分公司，2008年我司又在深圳设立L...

结型场效应管上海宝晟科技有限公司
供应商等级： 免费会员
企业类型：经销商
地区:上海

手机：

*场效应管 IRFR5305 TO-252

品牌/商标：
IR/国际整流器
型号/规格：
IRFR5305
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
MIN/微型
封装外形：
SMD(SO)/表面封装
材料：
GE-P-FET锗P沟道

深圳市庆明达电子经营部&mdash;&mdash;值得您信赖的电子元器件供应商！深圳市庆明达电子经营部是一家经营*IC以及其他电子元件的经销商。IC品牌主要以TOSHIBA（东芝）...

结型场效应管深圳市福田区庆明达电子经营部
供应商等级： 免费会员
企业类型：经销商
地区:广东深圳

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【原装】 **童场效应管 FDS6682 SOP8

品牌/商标：
FAIRCHILD/*童
型号/规格：
FDS6682
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
P沟道
导电方式：
耗尽型
用途：
GEP/互补类型
封装外形：
CHIP/小型片状
材料：
GaAS-FET砷化镓

【产品信息】 **童场效应管 FDS6682 SOP8【实物拍摄】【优势产品】1. 场效应MOS管: (品牌为英飞凌，*童，美国万代，IR,ST,ON,NEC。FUJI)30V系列:IPD04N03LAG IPD06N03LAG IPD13N03LA...

结型场效应管朝鸿伟业电子商行
供应商等级： 免费会员
企业类型：经销商
地区:广东深圳

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2300场效应管，MOSFET场效应管2300

品牌/商标：
HJP
型号/规格：
2300
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型

*高低压MOS场效应管2300.2301.2302.2312.2323.3400.3401.3415.3443.3447.4228.4407.4410.4414.4425.4430.4435.4501.4503.4532.4569.4822.4946.4953.9980.96968.8203.8205.8209.8810.8...

结型场效应管深圳市汇嘉埔电子有限公司
供应商等级： 免费会员
企业类型：生产企业
地区:广东深圳

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原装IR2103 / TR2103S 系列

品牌/商标：
IR/国际整流器
型号/规格：
IR2103 / IR2103S
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
耗尽型
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
GE-N-FET锗N沟道

供应原装*IR IR2103 / IR2103S 全系列，现货，欢迎*咨询。"

结型场效应管郑洪鑫
供应商等级： 免费会员
企业类型：经销商
地区:广东深圳

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BT151U-650C

品牌/商标：
ETC美国电子晶体管
型号/规格：
BT151U-650C
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
P沟道
导电方式：
耗尽型

产品种类】高压、单向可控硅【工业型号】BT151U-500C、BT151U-600C、BT151U-650C、BT151U-800CBTA151-500R、BTA151-600R、BTA151-650R、BTA151-800R【公司型号】HBTA151-500R、HBTA15...

结型场效应管深圳市科茂隆电子有限公司
供应商等级： 免费会员
企业类型：经销商
地区:广东深圳

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ic 原装场效应管 FS20KM-5

类型：
其他IC
封装形式：
直插型
型号/规格：
FS20KM-5
批号：
2007
品牌/商标：
Mitsubishi/三菱
封装材料：
塑料封装
封装：
TO-220F
应用范围：
功率

北京银盛铭商贸有限公司欢迎您本公司主要经营：二三*管、场效应管、肖特基、快恢复、达林顿、IGBT、集成电路。公司地址：北京市海淀区知春路118号知春电子城三层1358室实体门面：北京...

北京银盛铭商贸有限公司
供应商等级： 免费会员
企业类型：经销商
地区:北京

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IR/英飞凌全系列MOS管

品牌/商标：
INFINEON/英飞凌
型号/规格：
IRF1N60到IRF25N60
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
MOS-FBM/全桥组件
封装外形：
P-DIT/塑料双列直插
低频噪声系数：
——

主要用于开关电源上面高压MOS,同时也有用在控制器上面的低压MOS. 恒达通科技有限公司是一家经*相关部门批准注册的企业。恒达通科技有限公司凭着良好的信用、优良的服务与多家企业建立...

恒达通科技有限公司
供应商等级： 免费会员
企业类型：生产企业
地区:广东深圳

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IRL540NPBF 100%原装现货库存欢迎咨询

品牌/商标：
IR/国际整流器
型号/规格：
IRL540NPBF
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
P沟道
导电方式：
增强型
用途：
D-G双栅四*
封装外形：
P-DIT/塑料双列直插
材料：
IGBT*缘栅比*

样品可拍，数量一个起拍大兴电子位于深圳市福田区华强北电子元器件商业地带，常备有大量现货。公司 *凭借直接的一手采购渠道，充足的货源、合理的价格、*的质量为客户提供价优质高...

深圳市福田区大兴电子商行
供应商等级： 免费会员
企业类型：经销商
地区:广东深圳

手机：

4N60 FIR4N60BPG_TO-251 场效应管原装质量*

品牌/商标：
-
型号/规格：
4N60 FIR4N60BPG
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
HI-REL/高*性
封装外形：
P-DIT/塑料双列直插
材料：
N-FET硅N沟道

本公司坚持品质为优，顾客为上的宗旨！*，质量*，量大从优！单价请详谈！欢迎新老客户来电垂谈！：林手机：各种常见的MOSFET技术 ●双栅*MOSFET 双栅*（dual-gate）MOSFET通常用在...

深圳市宝安区新安源鸿达电子商行
供应商等级： 免费会员
企业类型：生产型,贸易型
地区:深圳

电话：86-0755-29766720

20N3L*原装现货

品牌/商标：
ON/安森美
型号/规格：
20N3L
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
FM/调频
封装外形：
SMD(SO)/表面封装
材料：
M*金属半导体

&gt;&gt;南鸿达特色服务&lt;&lt;一：BOM报价电路板所需型号种类众多，建议客户提供物料清单，我司时间为您报价，互相协商，达成共识，*双赢。二：样...

深圳市南鸿达电子科技有限公司
供应商等级： 免费会员
企业类型：经销商
地区:广东深圳

手机：

IRF840 IR MOS 场效应管 **原装

型号/规格：
IRF840
品牌/商标：
IR
种类：
场效应管

数据列表 IRF840PBF产品相片 TO-220AB PKG标准包装 1,000类别分离式半导体产品家庭 FET - 单路系列 -FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25&deg; C 850 毫欧 @ 4.8A, 10V漏*至源*电压(Vdss) 500V电流 - 连续漏*...

深圳市海森鸿达电子有限公司
供应商等级： 免费会员
企业类型：经销商
地区:广东深圳

手机：

G4PC30U G4PC30UD IGBT W/DIODE 600V 23A TO247AC

品牌/商标：
IR/国际整流器
型号/规格：
G4PC30UD
种类：
*缘栅(MOSFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
用途：
A/宽频带放大
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
ALGaAS铝镓砷

1数据列表IRG4PC30UDPbF产品相片TO-247-3产品目录绘图IRG Series CircuitIR Transistor TO-247AC标准包装25类别分离式半导体产品家庭IGBT - 单路系列-IGBT 类型-电压 - 集电*发射*击...

深圳市福田区博大电子经营部
供应商等级： 免费会员
企业类型：经销商
地区:广东深圳

手机：13713855989

【原装*】2N3055/MJ2955

批号：
11+
材料：
N-FET硅N沟道
种类：
*缘栅(MOSFET)
类型：
其他IC
型号/规格：
2N3055/MJ2955
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
品牌/商标：
ST/意法
用途：
L/功率放大

本公司提供优势的集成电路，品质*，价格优势。货源充足。。。欢迎来电询价。AT24C系列 MAX接口系列 74HC系列 CD4000系列 LM功放电源系列 74HC00 74HC04 74HC14 74HC138 74HC164 74HC2...

深圳市福田区芯联创电子商行
供应商等级： 免费会员
企业类型：生产企业
地区:广东深圳

手机：15986810860

贴片 FQD2N60C 600V 1.9A 场效应管 TO-252 2N60

品牌/商标：
AO
型号/规格：
2N60
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
P沟道
导电方式：
耗尽型
用途：
ZF/中放
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插
材料：
GaAS-FET砷化镓

友，感谢您在千*万的卖家当中选择了我们，进入到我们(新源电子元件销售店)的阿里巴巴网络销售中心，我们将以优质的配件质量，的服务态度来回报的大驾光临，回报你的惠顾！！◆本店不...

广州市越秀区新源电子经营部
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企业类型：经销商
地区:广东广州

手机：13527736886

西门子（SIEMENS）IGBT模块

型号/规格：
BSM200GA120DN2
品牌/商标：
INFINEON（英飞凌）
*类别：
普通型

西门子（SIEMENS）IGBT模块德国EUPEC(西门子）IGBT模块电流参数据库85C标称/型号参数型号参数价格技术支持欢迎来电咨询！ ◇◇兴◇恒◇泰◇ 西门子（SIEMENS）IGBT模块DN2：标准系列 BSM200GA120DN2 1单元，200A/1200V BSM150GB120DN2 2单元，150A/120...

北京健科芯坤科技有限公司
供应商等级： 免费会员
企业类型：经销商
地区:北京北京市

电话：010-62919943

手机：18801493738

热卖 STP75NF75 75NF75 *现货 TO220

品牌/商标：
ST/意法
型号/规格：
STP75NF75 75NF75
种类：
结型(JFET)
沟道类型：
N沟道
导电方式：
增强型
封装外形：
CER-DIP/陶瓷直插

三端稳压 L7805CV L7806CV L7808CV L7809CV L7810CV L7812CV L7815CV L7818CV L7824CV KA7805ETU KA7812ETU 晶体管 TIP41C TIP42C MJD41C/42C TIP31/32C MJD31C/32C TIP122/127 MJD12...

陈晓伟
供应商等级： 免费会员
企业类型：经销商
地区:广东深圳

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场效应管MOSFET技术资料

场效应管（MOSFET）检测方法与经验[2009-11-14]
一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正
场效应管（mosfet）参数符号意义[2008-05-28]
Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流

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