三星本月拟向 AMD、英伟达供 HBM4 样品，挑战 SK 海力士市场地位
据韩媒《亚洲日报》报道，三星正积极筹备，计划在本月底之前向 AMD、英伟达等行业巨头提供 HBM4 样品。这一举动预示着存储芯片市场将迎来一场新的竞争风暴。 回顾过往，三星在 HBM（高带宽内存）市场的发展历程可谓充满挑战。在 HBM3 ...
三星副会长赴美，与英伟达商洽 HBM3E 供货及 HBM4 方向
据韩媒 news1 披露，三星电子 DS（半导体）部门主管、公司副会长全永贤近期前往美国，与芯片巨头英伟达展开了一系列重要洽谈，主要围绕 HBM3E 12 层产品供应及代工业务，旨...
台积电集成 80 个 HBM 4 封装技术，引领 AI 半导体新潮流
台积电凭借其在封装技术领域的创新成果再次成为焦点。近日，台积电公布了用于超大型 AI 半导体的 “晶圆系统（SoW - X）” 封装技术，该技术瞄准了下一代 AI 半导体市场，...
美光出样 HBM4 36GB 12Hi 内存，加速 AI 内存市场竞争
在人工智能计算时代，高带宽内存（HBM）作为一种高价值、高性能的产品，在数据处理领域扮演着举足轻重的角色。近期，HBM4 的发展取得了新的进展，各大半导体企业纷纷布局，...
I/O 翻倍冲击 HBM4 DRAM Die 面积，初期 12Hi 堆栈售价逾 600 美元
据韩媒 the bell 当地时间昨日报道，HBM4 内存的 I/O 数量相较于此前产品实现了翻倍，达到 2048。这一变化对 SK 海力士和美光产生了显著影响，由于他们在 HBM4 DRAM 上沿用...
分类：业界动态 时间：2025/6/11 阅读：181 关键词：DRAM
三星豪投 HBM4，借 1c DRAM 挑战 SK 海力士市场霸主
近日，有消息传出，三星正通过激进投资策略，试图缩小与 SK 海力士在 HBM4 市场的差距，挑战其霸主地位。 科技媒体 ZDNet Korea 于 5 月 22 日报道，三星计划在韩国华城...
三星在韩国首尔举行的人工智能半导体论坛上透露，该公司计划在其HBM4中采用混合键合技术，以降低发热量并实现超宽内存接口。相比之下，据EBN报道，该公司的竞争对手SK海力...
分类：业界动态 时间：2025/5/15 阅读：375 关键词：三星HBM 4
JEDEC 近期发布的 HBM4 规范对 AI 训练硬件开发者来说是个好消息。HBM4 是快速发展的高带宽内存 (HBM) DRAM 标准的最新规范，据 JEDEC 称，HBM4 可提供 2TB/s 的内存性能和...
分类：业界动态 时间：2025/4/25 阅读：682 关键词：HBM4
SK海力士19日宣布，推出面向AI的超高性能DRAM新产品12层HBM4，并且全球首次向主要客户提供了其样品。 综合多家媒体和分析机构的消息，这里所指的“主要客户”，就是NVID...
分类：名企新闻 时间：2025/3/20 阅读：486 关键词：SK海力士
三星电子已确认将通过 4NANO（纳米，十亿分之一米）代工半导体制造工艺试产“逻辑芯片”，该芯片是第六代高带宽存储器 (HBM4) 的大脑。在完成逻辑芯片的最终性能验证后，三...
分类：名企新闻 时间：2025/1/6 阅读：447 关键词：电池
美光正在积极扩大其在高带宽内存市场的份额，利用不断增长的 AI 芯片需求来加速增长。为支持这一扩张，该公司将从美国芯片制造商协会获得高达 61.65 亿美元的 CHIPS 法案资...
分类：业界动态 时间：2024/12/27 阅读：978 关键词：HBM 4
Rambus宣布推出业界首款HBM4控制器IP，加速下一代AI工作负载
·基于一百多项HBM成功设计案例，确保芯片一次流片成功 ·在低延迟下提供超过HBM3两倍的吞吐量，满足生成式AI和高性能计算（HPC）工作负载的需求 ·扩展了业界领先的高性能内存解决方案的半导体IP产品组合 图1：Rambus HBM4控制...
时间：2024/11/26 阅读：89 关键词：HBM4控制器IP
特斯拉已向SK海力士和三星提交了HBM4（第六代高带宽存储器）的采购意向，并要求这两家公司提供通用HBM4芯片样品。特斯拉预计将在对比三星电子和SK海力士的样品性能之后，确...
特斯拉已要求三星和 SK 海力士提供 HBM4 芯片样品。这两家半导体公司都在为特斯拉开发第六代高带宽内存芯片原型。 据KEDGlobal报道，特斯拉已要求三星和 SK 海力士供应...
分类：业界动态 时间：2024/11/20 阅读：578 关键词：特斯拉
