英特尔宣布其首个3D封装技术Foveros已实现大规模量产，成为第二家实现3D封装量产的企业。英特尔表示，其名为Foveros的3D先进封装技术是一种首创的解决方案，可以使处理器的...
英特尔今天庆祝其位于新墨西哥州里奥兰乔的尖端工厂 Fab 9 开业。这一里程碑是英特尔此前宣布的 35 亿美元投资的一部分，旨在装备其新墨西哥工厂，以制造先进的半导体封装...
“将芯片从2D平铺封装改成3D立体式堆叠式封装已经成为目前半导体业界的共识，这种在第三维度上进行拓展的封装技术能够有效降低整个芯片的面积，提升集成度。3D封装顾名思义...
分类：名企新闻 时间：2020/8/17 阅读：1782 关键词：三星
近日，全球第二大晶圆代工厂格芯（GlobalFoundries）宣布，采用12nm FinFET工艺，成功流片了基于ARM架构的高性能3D封装芯片。这意味着格芯亦投身于3D封装领域，将与英特尔...
据报道，针对HPC芯片封装技术，台积电已在6月于日本VLSI技术及电路研讨会中，提出新型态SoIC之3D封装技术论文；透过微缩凸块密度，提升CPU/GPU处理器与存储器间整体运算速...
针对HPC芯片封装技术，台积电已在2019年6月于日本VLSI技术及电路研讨会(2019 Symposia on VLSI Technology & Circuits)中，提出新型态SoIC(System on Integrated Chips...
分类：业界动态 时间：2019/8/15 阅读：1515 关键词：3D封装技术
Intel发全新Agilex FPGA：10nm 3D封装、支持DDR5/PCIe 5.0
Intel全新的Agilex FPGA(现场可编程门阵列)今天正式问世，相比以往的Straix系列做了大量创新升级，可为边缘计算、嵌入式、网络(5G/NFV)、数据中心带来变革的应用和灵活的硬...
分类：新品快报 时间：2019/4/4 阅读：835 关键词：去耦电容
AMD公布3D封装技术：处理器与内存、缓存通过硅穿孔堆叠在一起
在Rice Oil&Gas高性能计算会议上，AMD高级副总裁Forrest Norrod介绍，他们正跟进3D封装技术，目标是将DRAM/SRAM(即缓存等)和处理器(CPU/GPU)通过TSV(硅穿孔)的方式整合...
3D封装成半导体大厂PK焦点，英特尔台积电三星中芯国际各有千秋
近几年来，受限于工艺、制程和材料的瓶颈，摩尔定律的演进开始放缓，芯片的集成越来越难以实现，3D封装开始被认为是后摩尔时代集成电路的一个重要发展方向。英特尔、台积电、三星等半导体大厂都对3D封装技术给予了高度重视。在日前举办的...
对半导体相关业者来说，各式先进工艺的演进向来是左右技术与市场发展的关键。不过，随着工艺发展，也有迥然不同的作法可望问世，进而带来通盘改变，而3DIC便是其中之一。对半导体业者而言，只要能兼顾高效能、低成本与小尺寸的特性，通常...
分类：业界要闻 时间：2010/11/12 阅读：629
IBM计划在今年样产首款利用金属实现芯片间直接互联的商用器件，这一改动虽小，但是在向3D封装的演进途中，它却堪称是一件意义重大的里程碑式事件。这种新型的芯片设计方式，可能会提高多种系统的性能，并降低其功耗和成本。在2008年，IBM...
时间：2007/7/27 阅读：1128 关键词：芯片
IBM计划在今年样产首款利用金属实现芯片间直接互联的商用器件，这一改动虽小，但是在向3D封装的演进途中，它却堪称是一件意义重大的里程碑式事件。这种新型的芯片设计方式，可能会提高多种系统的性能，并降低其功耗和成本。在2008年，IBM...
分类：业界要闻 时间：2007/7/26 阅读：400 关键词：芯片
NEC公司和Elpida尔必达以及Oki冲电气合作，宣布已经开发出一种创新的封装方式，可以将八颗存储芯片和一颗控制芯片垂直封装起来，各芯片中采用三维方式进行连接。技术的关键在于堆栈中芯片的连接方式，每颗芯片的上下各有超过1000支阵脚，...
分类：业界要闻 时间：2007/3/2 阅读：329 关键词：存储
三星电子(SamsungElectronics)日前宣布，它已开发出一种芯片三维封装技术，基于其专利晶圆级堆叠工艺(WSP)。三星的WSP技术采用“Si贯通电极”(throughsiliconvia)互连，实现了用于手机和其它产品的一系列小型混合式
三星电子(SamsungElectronics)日前宣布，它已开发出一种芯片三维封装技术，基于其专利晶圆级堆叠工艺(WSP)。三星的WSP技术采用“Si贯通电极”(throughsiliconvia)互连，实现了用于手机和其它产品的一系列小型混合式
