TrendForce: 预计2024 年，HBM 需求将翻一番
TrendForce 表示，到 2024 年，HBM 位的需求将增加一倍，但扩张所需的 TSV 设备的供应和实施将推迟大部分所需的产能增长，直到 2024 年第二季度。 2022+HBM市场供应充足...
分类：行业趋势 时间：2023/8/14 阅读：2015 关键词：HBM
TrendForce预计，美光去年的HBM市场份额为10%，明年将缩减至3%至5%
根据外媒报道，有预测称 SK 海力士和三星电子在高带宽内存 (HBM) 市场上的市场份额差距将缩小。 HBM 是一种通过垂直堆叠多个 DRAM 模块来增强功能的技术。这项创新被集...
分类：行业趋势 时间：2023/8/11 阅读：2122 关键词：HBM市场
Nvidia 周二 发布了 其下一代 Grace Hopper Superchip 平台的改进版本，该平台配备 HBM3e 内存，用于人工智能和高性能计算。新版本的 GH200 Grace Hopper 采用相同的 Grace CPU 和 GH100 Hopper 计算 GPU，但配备了容量和带宽更高的 HBM3...
分类：新品快报 时间：2023/8/9 阅读：449 关键词：Nvidia
美光旨在通过其最新一代高带宽内存 (HBM3) 技术实现高带宽、效率和速度之间的平衡。 美光科技最近宣布“业界首款”HBM3 Gen2内存芯片已进入样品阶段。随着生成式人工智...
美光已开始提供 8 高 24GB HBM3 Gen2 内存样品
它基于美光的 1β (1-beta) DRAM 工艺节点构建，允许将 24Gb DRAM 芯片组装到行业标准封装尺寸内的 8 高立方体中。 容量为 36GB 的 12 高堆栈将于 2024 年第一季度开始...
根据外媒报道，全球对称为 ChatGPT 的生成式人工智能的热潮迅速增加了对能够处理大规模数据的高性能 DRAM（也称为高带宽内存（HBM））的需求。 7月31日，据半导体行业人...
美光推出性能更出色的大容量高带宽内存(HBM)助力生成式人工智能创新
Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）今日宣布，公司已开始出样业界首款8层堆叠的24GB容量第二代HBM3内存，其带宽超过1.2TB/s，引脚速率...
分类：新品快报 时间：2023/7/28 阅读：483 关键词：人工智能
SK 海力士有望通过进一步减少 NAND 产量来引领 HBM 市场
三星电子和SK海力士在第一季度表现不佳后，第二季度继续陷入困境。今年上半年，两家公司的累计赤字都达到了可观的数字，接近15万亿韩元（117.6亿美元）。尽管如此，由于NAND闪存产量减少以及DDR5和高带宽等人工智能相关高价值产品的需求...
过去几个季度，内存市场面临着过去 15 年来最严重的低迷。自 2021 年第三季度以来， DRAM 和 NAND 价格分别下降了 57% 和 55%。最严重的下跌始于 2022 年第二季度的最后几...
分类：业界动态 时间：2023/7/19 阅读：798 关键词：3D NAND
全球人工智能芯片市场领导者SK海力士的技术实力备受业界关注，该公司于2013年首次开发出高带宽存储器（HBM）。 据业内人士7月16日消息，SK海力士于7月12日为证券分析师举办了企业演示会(IR)。在本次会议中，就SK海力士对HBM技术的前景...
分类：名企新闻 时间：2023/7/19 阅读：353 关键词：SK海力士
据韩媒报道，韩国三星电子公司正在加紧努力，更深入地渗透到HBM3市场，由于其在整个内存芯片市场中所占的份额很小，因此相对于其他高性能芯片来说，该公司一直忽视了这一领...
随着存储半导体行业将在今年下半年大幅反弹的预期增强，SK海力士股价自年初以来已飙升超过50%。随着人工智能（AI）的蓬勃发展，高带宽内存（HBM）和双倍数据速率5（DDR5）...
分类：名企新闻 时间：2023/6/27 阅读：559 关键词：DDR5 RAM
SK 海力士准备 HBM3E 内存：比 HBM3 速度提升 25%
SK 海力士 宣布推出 其 HBM3 内存的增强版，将数据传输速率提高 25%，从而为使用这种优质 DRAM 的应用程序提供相当大的性能提升。为人工智能 (AI) 和高性能计算 (HPC) 开发...
分类：名企新闻 时间：2023/5/31 阅读：613 关键词：SK 海力士
因为人工智能等应用的火热，市场对HBM的需求水涨船高，但纵观这个市场，韩国的两家存储巨头三星和SK海力士正在成为这个市场唯二赢家。 近日，SK海力士更是带来了全新的H...
分类：业界动态 时间：2023/5/31 阅读：624 关键词：HBM3E
SK 海力士开发出世界首款 24GB HBM3 12 堆叠 DRAM 芯片
SK 海力士通过在世界上首次垂直堆叠 12 个独立的 DRAM 芯片，开发出具有世界最高容量 24 GB 的新 HBM3 产品。HBM 代表高带宽内存。预计在快速增长的生成人工智能 (AI) 市场...
