据digitimes报道，三星电子将其下一代高带宽内存 (HBM) 芯片的量产推迟至 2026 年，这表明在正在进行的 DRAM 重新设计工作中，三星电子将采取更加谨慎的推出方式。 该公司最初计划在 2025 年下半年开始量产基于 10nm 级第六代 1c DRAM...
分类：业界动态 时间：2025/7/28 阅读：90 关键词：SK海力士
据digitimes报道，三星电子将其下一代高带宽内存 (HBM) 芯片的量产推迟至 2026 年，这表明在正在进行的 DRAM 重新设计工作中，三星电子将采取更加谨慎的推出方式。 该公...
分类：业界动态 时间：2025/7/28 阅读：286 关键词：DRAM
SK海力士是英伟达(Nvidia)高带宽内存产品的主要供应商，该公司公布第二季度业绩稳健，得益于人工智能芯片需求的强劲增长。 这家韩国内存芯片制造商周四表示，全球大型科...
分类：名企新闻 时间：2025/7/24 阅读：602 关键词：SK海力士
三星本月拟向 AMD、英伟达供 HBM4 样品，挑战 SK 海力士市场地位
据韩媒《亚洲日报》报道，三星正积极筹备，计划在本月底之前向 AMD、英伟达等行业巨头提供 HBM4 样品。这一举动预示着存储芯片市场将迎来一场新的竞争风暴。 回顾过往，三星在 HBM（高带宽内存）市场的发展历程可谓充满挑战。在 HBM3 ...
根据外媒报道，在科技飞速发展的当下，高带宽内存（HBM）作为人工智能和云计算领域的关键组件，其市场动态备受关注。高盛分析师近日发布预测，2026 年 HBM 市场可能出现供...
分类：行业趋势 时间：2025/7/21 阅读：1056 关键词：HBM
HBM 短缺态势延续至 2027 年，DRAM 行业迎上行周期
摩根大通发布的内存市场研究报告显示，HBM（高带宽内存）市场供需紧张的局面将持续至 2027 年。在供需紧张、技术迭代与 AI 需求的共同作用下，该市场规模还将不断扩大，HBM...
三星副会长赴美，与英伟达商洽 HBM3E 供货及 HBM4 方向
据韩媒 news1 披露，三星电子 DS（半导体）部门主管、公司副会长全永贤近期前往美国，与芯片巨头英伟达展开了一系列重要洽谈，主要围绕 HBM3E 12 层产品供应及代工业务，旨...
在 AI 芯片发展的浪潮中，高带宽内存（HBM）市场成为了各大芯片制造商竞争的焦点。当三星电子的 HBM3E 芯片迟迟未能获得英伟达认证时，美光科技正加速在 HBM 市场的布局，...
分类：业界动态 时间：2025/7/5 阅读：386 关键词： AI 芯片
三星电子近期在高带宽存储器（HBM）领域的一系列动作引发了广泛关注。2025 年第二季度末，三星电子做出了一项重要决策 —— 减少 12 层 HBM3E（第五代高带宽存储器）的产量...
分类：业界动态 时间：2025/7/3 阅读：254 关键词：三星
三星发力：第二代 SOCAMM 研发加速，挑战 HBM 市场地位
在人工智能浪潮席卷的当下，内存技术的革新成为半导体行业竞争的关键战场。尽管第一代 SOCAMM（System - On - Chip Attached Memory Module，系统级芯片附加内存模块）尚未...
分类：业界动态 时间：2025/7/3 阅读：219 关键词：SOCAMM
美光公布了截至 2025 年 5 月 29 日的 FY2025Q3 财季（2025 年 3 - 5 月）业绩，该季营收表现亮眼，达到 93 亿美元，环比增长 15%，同比增长 37%。在 Non - GAAP 标准下，...
在人工智能浪潮席卷全球的当下，高带宽内存（HBM）市场的竞争愈发激烈。继英伟达之后，亚马逊旗下的 AWS 成为 SK 海力士 HBM 业务的又一关键客户。随着全球范围内对 AI 数...
SK 海力士聚焦 HBM 商机，暂缓 1c DRAM 内存量产设备采购
据韩国媒体 the bell 当地时间 6 月 12 日报道，在 HBM（高带宽内存）市场占据领先地位的 SK 海力士，对其下一代 1c nm（第 6 代 10nm 级）DRAM 内存量产线的设备采购节奏...
分类：名企新闻 时间：2025/6/17 阅读：356 关键词：SK 海力士
SK 海力士聚焦 HBM 市场，搁置 1c DRAM 内存量产设备采购计划
据韩国媒体 the bell 当地时间本月 12 日报道，在 HBM（高带宽内存）市场占据领先地位的 SK 海力士，对下代 1c nm（第 6 代 10nm 级）DRAM 内存量产线的设备采购节奏做出调...
分类：名企新闻 时间：2025/6/16 阅读：449 关键词：SK 海力士
