HBM

HBM资讯

三星测试第五代原型机,传输速度比 HBM3 快 50%

三星电子已确认将其第五代 HBM3E 产品命名为“Shinebolt”。随着三星加快HBM3E的开发和营销,预计它将紧随该领域的领导者SK海力士。  据业内人士10月17日透露,三星电子...

分类:名企新闻 时间:2023/10/18 阅读:231 关键词:三星

HBM 4,有史以来最大变化

高带宽内存 (HBM) 在上市不到 10 年的时间里取得了长足的进步。它极大地提高了数据传输速率,将容量提高了几个数量级,并获得了大量的功能。据DigiTimes援引首尔经济报道称...

分类:业界动态 时间:2023/9/14 阅读:439 关键词:HBM 4

三星已确定向AMD供应HBM3

在此之前,三星已确定向AMD供应HBM3,明年三星的HBM市占率将有可能超过50%。 花旗全球市场证券执行董事Lee Se-chul表示,“三星将从今年第四季度开始(向英伟达)供应HB...

分类:名企新闻 时间:2023/9/7 阅读:587 关键词:三星

SK 海力士推出全球首款第五代 HBM

SK海力士成功研发出全球首款第五代高带宽内存(HBM),为高性能DRAM树立了新标杆。 8月21日,SK海力士宣布,“我们已经成功开发出用于人工智能(AI)的超高性能DRAM,称...

分类:名企新闻 时间:2023/8/22 阅读:321 关键词:SK 海力士HBM

TrendForce: 预计2024 年,HBM 需求将翻一番

TrendForce 表示,到 2024 年,HBM 位的需求将增加一倍,但扩张所需的 TSV 设备的供应和实施将推迟大部分所需的产能增长,直到 2024 年第二季度。 2022+HBM市场供应充足...

分类:行业趋势 时间:2023/8/14 阅读:1940 关键词:HBM

TrendForce预计,美光去年的HBM市场份额为10%,明年将缩减至3%至5%

根据外媒报道,有预测称 SK 海力士和三星电子在高带宽内存 (HBM) 市场上的市场份额差距将缩小。 HBM 是一种通过垂直堆叠多个 DRAM 模块来增强功能的技术。这项创新被集...

分类:行业趋势 时间:2023/8/11 阅读:2060 关键词:HBM市场

Nvidia 推出全球首款采用 HBM3e 的产品。

Nvidia 周二 发布了 其下一代 Grace Hopper Superchip 平台的改进版本,该平台配备 HBM3e 内存,用于人工智能和高性能计算。新版本的 GH200 Grace Hopper 采用相同的 Grace CPU 和 GH100 Hopper 计算 GPU,但配备了容量和带宽更高的 HBM3...

分类:新品快报 时间:2023/8/9 阅读:415 关键词:Nvidia

美光第二代HBM3内存实现带宽、效率与速度的同时提升

美光旨在通过其最新一代高带宽内存 (HBM3) 技术实现高带宽、效率和速度之间的平衡。 美光科技最近宣布“业界首款”HBM3 Gen2内存芯片已进入样品阶段。随着生成式人工智...

分类:新品快报 时间:2023/8/4 阅读:537 关键词:美光HBM3内存

美光已开始提供 8 高 24GB HBM3 Gen2 内存样品

它基于美光的 1β (1-beta) DRAM 工艺节点构建,允许将 24Gb DRAM 芯片组装到行业标准封装尺寸内的 8 高立方体中。 容量为 36GB 的 12 高堆栈将于 2024 年第一季度开始...

分类:名企新闻 时间:2023/8/1 阅读:312 关键词:美光DRAM 芯片

HBM 需求仍激增:三星、SK 海力士领先

根据外媒报道,全球对称为 ChatGPT 的生成式人工智能的热潮迅速增加了对能够处理大规模数据的高性能 DRAM(也称为高带宽内存(HBM))的需求。 7月31日,据半导体行业人...

分类:业界动态 时间:2023/8/1 阅读:353 关键词:HBM三星SK 海力士

美光推出性能更出色的大容量高带宽内存(HBM)助力生成式人工智能创新

Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,纳斯达克股票代码:MU)今日宣布,公司已开始出样业界首款8层堆叠的24GB容量第二代HBM3内存,其带宽超过1.2TB/s,引脚速率...

分类:新品快报 时间:2023/7/28 阅读:450 关键词:人工智能

SK 海力士有望通过进一步减少 NAND 产量来引领 HBM 市场

三星电子和SK海力士在第一季度表现不佳后,第二季度继续陷入困境。今年上半年,两家公司的累计赤字都达到了可观的数字,接近15万亿韩元(117.6亿美元)。尽管如此,由于NAND闪存产量减少以及DDR5和高带宽等人工智能相关高价值产品的需求...

分类:名企新闻 时间:2023/7/27 阅读:435 关键词: NAND SK 海力士

混合键合是下一代 3D NAND 和 HBM 的关键

过去几个季度,内存市场面临着过去 15 年来最严重的低迷。自 2021 年第三季度以来, DRAM 和 NAND 价格分别下降了 57% 和 55%。最严重的下跌始于 2022 年第二季度的最后几...

分类:业界动态 时间:2023/7/19 阅读:716 关键词:3D NAND

SK海力士的“HBM信心”的基础是什么?

全球人工智能芯片市场领导者SK海力士的技术实力备受业界关注,该公司于2013年首次开发出高带宽存储器(HBM)。 据业内人士7月16日消息,SK海力士于7月12日为证券分析师举办了企业演示会(IR)。在本次会议中,就SK海力士对HBM技术的前景...

分类:名企新闻 时间:2023/7/19 阅读:292 关键词:SK海力士

三星电子将深入渗透到HBM3市场

据韩媒报道,韩国三星电子公司正在加紧努力,更深入地渗透到HBM3市场,由于其在整个内存芯片市场中所占的份额很小,因此相对于其他高性能芯片来说,该公司一直忽视了这一领...

分类:业界动态 时间:2023/6/27 阅读:562 关键词:三星HBM3市场