进入8月，有传闻称，韩国存储芯片巨头三星电子（以下简称“三星”）的8层HBM3E内存（高带宽内存新一代产品）已通过英伟达测试。对此，三星回应：与事实相距甚远。其相关人员表示：“我们不能证实与我们客户相关的传闻，但这个报道不是真的。正如我们上个月电话会议上所说的，质量测试还在进行中，在那之后还没有取得更多进展。”这番解释中，依然能看到HBM3E内存产品是三星打入英伟达产品链的“敲门砖”。
　　英伟达CEO黄仁勋曾公开表示：“我们需要的HBM数量非常庞大，目前正在与三星、SK海力士和美光洽谈，已经收到这三家公司的产品。”英伟达作为HBM厂商的客户，三大存储芯片厂商都在尽全力争取其订单，而现在的HBM产品就是HBM3E。
　　HBM3E时代到来
　　据市场研究机构Mordor Intelligence预测，从2024年到2029年，HBM市场规模预计将从约25.2亿美元激增至79.5亿美元，期间年复合增长率高达25.86%。为抢占这一增量市场，三星、SK海力士、美光等厂商正在加速推动HBM的规格迭代。
　　从2015年HBM技术发布至今，HBM已经从HBM1升级到了HBM3E。HBM3E作为新一代高带宽内存技术，可以提供高达9.6Gb/s的扩展数据速率，相比前一代HBM3的6.4Gb/s有显著提升。这一提升使得HBM3E能够提供更高的内存带宽，满足高性能计算和人工智能应用对数据传输速度的需求。在功耗方面，HBM3E也有显著优化，相比竞争对手的产品，其功耗可降低30%。这得益于其先进的电源管理技术，如降低内核电压和I/O信号电压等。HBM3E的容量也得到了提升。例如，三星电子开发的36GB HBM3E 12H DRAM，其性能和容量均比前代产品提升50%以上。
　　HBM3E凭借其出色的带宽、高容量和低功耗特性，已成为AI训练硬件的。随着AI训练数据集的不断增长，需要支持TB级带宽的加速器来加速训练过程。HBM3E正是满足这一需求的理想解决方案。此外，HBM3E还广泛应用于高性能计算（HPC）、图形处理等领域。
　　在HBM赛道，SK海力士力压三星成为龙头老大，市场研究公司集邦咨询报告显示，2023年，SK海力士以53%的市场份额在HBM市场实现领先，第二名和第三名分别为占据市场份额38%的三星电子和占据市场份额9%的美光。从技术到产量再到订单，SK海力士目前掌握着HBM领域的话语权，更是英伟达的“心头好”。虽然此次三星的HBM3E产品还没有通过英伟达的应用测试，但也从侧面说明，三星正在冲击SK海力士的订单。
　　此前有消息称，三星自去年以来一直在寻求通过英伟达对HBM3型号的测试，但由于一些问题并未通过检测。但近日，三星的HBM3芯片成功了英伟达，进入供应阶段，可用于为中国市场开发的不太复杂的处理器，也证明英伟达开始慢慢接受三星产品融入产品线。
　　三星也为此做了全面的努力，计划今年开始量产HBM3E产品，预计HBM3E占其HBM整体的销售额比例将实现大幅增长。今年第二季度该比例略高于10%，预计到今年第四季度将增长到60%。三星预计今年下半年HBM的销量将比上半年增长3.5倍，存储产品供应量将在2025年翻一番。三星存储销售和营销负责人Kim Jaejune表示，三星将为几家客户供货，但未透露客户姓名。另外，就目前三星对其下半年的业绩预测也能看出，三星相信自己的HBM3E产品能在今年内通过英伟达的应用测试，并拿到大订单。
　　至于三星的订单有可能拿到多大，还得看其产品质量和价格能不能持平或超过其同样来自韩国的竞品公司SK海力士。
　　SK海力士自然也感受到了压力，近期也表示，根据截至今年年底的生产能力，该公司已经完成了对2025年HBM内存产能的分配。并且，为了满足市场对HBM3E的旺盛需求，SK海力士计划大幅增加1bnm制程DRAM内存产能。目标在今年年底前将1bnm内存晶圆投片量增至9万片，明年上半年进一步增加到14万~15万片。为此，SK海力士计划将其位于京畿道利川市的M16内存晶圆厂升级至1bnm工艺。在下一代技术方面，SK海力士计划将HBM新产品的供应周期从2年缩短至1年，在2025年和2026年完成HBM4（第6代）和HBM4E（第7代）的技术开发和量产。
　　英伟达对这位合作伙伴的供应能力也十分满意，此前还宣布将与台积电和SK海力士一起组建“三角联盟”，共同研究下一代HBM技术。
　　综上所述，三星的HBM3E产品如果在年内平稳通过测试，很有可能获得英伟达的订单，但英伟达恐怕会将订单的大头留给合作更加密切的“老伙伴”SK海力士，除非三星能提供更具性价比的产品。
　　16日，韩媒The Elec报道称，三星电子计划于今年底启动下代HBM4内存的流片，为明年底的12层堆叠HBM4产品量产做准备。