TrendForce 高级副总裁 Avril Wu 表示,到 2024 年底,DRAM 行业预计将分配约 250K/m (14%) 的总产能用于生产 HBM TSV,预计年度供应位增长约为 260%。 HBM 在 DRAM 行...
分类:行业趋势 时间:2024/3/20 阅读:925 关键词:HBM
继HBM3取得成功后,SK海力士率先量产第五代HBM、HBM3E DRAM,并将其供应给美国半导体公司Nvidia,巩固了其在高带宽内存(HBM)市场的主导地位。 3月19日,SK海力士宣布...
分类:名企新闻 时间:2024/3/20 阅读:437 关键词:SK海力士
SK海力士公司今天宣布,其最新的超高性能AI内存产品HBM3E1已开始量产,并于3月下旬开始向客户供货。七个月前,该公司公布了 HBM3E 开发的成功。 SK 海力士是 HBM3E 的第...
分类:业界动态 时间:2024/3/19 阅读:202 关键词:SK 海力士
三星电子驳斥了有关其计划为 HBM(高带宽内存)引入 MUF(模制底部填充)工艺的报道,称这“不属实”。 13日,路透社援引多位消息人士的话称,“三星电子将使用MUF技术...
集邦咨询:HBM3最初由SK海力士独家供应,AMD验证后三星股价快速上涨
TrendForce强调了HBM市场的当前格局,截至2024年初,该市场主要集中在HBM3 。NVIDIA 即将推出的 B100 或 H200 型号将采用先进的 HBM3e,标志着内存技术的下一步发展。然而...
分类:行业趋势 时间:2024/3/14 阅读:956 关键词:HBM3
三星电子在 NVIDIA AI 活动上推出全球首款 HBM3E 12 层
三星电子将在 Nvidia 的一场活动中进行突破性的展示,展示物理高带宽内存 (HBM) 3E 12 层 (H),预计将于今年上半年量产。 HBM 的主要客户 Nvidia 准备在上半年推出其下...
美光开始量产行业领先的 HBM3E 解决方案,加速人工智能发展
全球内存与存储解决方案领先供应商 Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,纳斯达克股票代码:MU)近日宣布已开始量产其 HBM3E 高带宽内存 解决方案。英伟达 H20...
分类:新品快报 时间:2024/3/5 阅读:261 关键词:人工智能
三星电子在业界率先量产第五代 HBM(称为“HBM3E”),以扭转人工智能半导体关键组件高带宽内存(HBM)的市场动态。 12层,今年上半年。 2 月 27 日,三星宣布开发出 HB...
分类:名企新闻 时间:2024/2/29 阅读:343 关键词:三星
作为英伟达高带宽存储器合作伙伴,SK海力士在HBM市场处于领导地位。日前,SK海力士副社长Kim Ki-tae表示,今年公司的HBM已经售罄,已开始为2025年做准备。虽然外部不稳定因...
分类:业界动态 时间:2024/2/27 阅读:341 关键词:SK海力士
根据了解,全球DRAM制造企业美光正在接受主要客户的HBM3E的质量评价,美光预计2023年市场份额约为5%,排名第三,美光CEO Sanjay Mehrotra表示:“我们正处于为英伟达下一代...
分类:名企新闻 时间:2023/12/28 阅读:569 关键词:HBM3E
美光科技与英特尔等其他领先的人工智能 (AI) 半导体公司一起,加大了挑战行业领跑者的力度。12月24日,据半导体行业消息人士透露,全球第三大DRAM制造商美光目前正在对其开...
分类:业界动态 时间:2023/12/27 阅读:711 关键词:美光
根据外媒报道,美光科技与英特尔等其他领先的人工智能 (AI) 半导体公司一起,加大了挑战行业领跑者的力度。12月24日,据半导体行业消息人士透露,全球第三大DRAM制造商美光...
SK 海力士正准备推出“2.5D 扇出”封装作为其下一代存储半导体技术。由于今年在高带宽内存(HBM)领域的成功表现,SK海力士对下一代芯片技术领域充满信心,似乎正在加紧努...
分类:业界动态 时间:2023/12/20 阅读:537 关键词:HBM封装
SK海力士成立了一个名为“人工智能基础设施”(AI Infra)的专门组织,以加强其在高带宽内存(HBM)业务这一高价值产品领域的竞争力。AI Infra 组织由副总裁 Kim Joo-sun ...
分类:名企新闻 时间:2023/12/11 阅读:345 关键词:SK海力士