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MOSFET

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

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ON晶体管NTR4101PT1G
ON晶体管NTR4101PT1G
  • 型号/规格：

    NTR4101PT1G

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装形式：

    DFN

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

深圳市星源微科技有限公司，成立于2008年10月，主营电子元器件领域国内外贸易和为客户提供剩余库存解决方案、批量采购。 只做原装，百分百自家现货，严格的品质管理、优异的技术支持...

AO8807 12V 6.5A TSSOP-8 2个P沟道
AO8807 12V 6.5A TSSOP-8 2个P沟道
  • 型号/规格：

    AO8807

  • 品牌/商标：

    AOS

  • 封装形式：

    TSSOP-8

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

深圳市港禾科技有限公司 所上传的产品图片均为真实库存拍摄 AO8807 12V 6.5A TSSOP-8 2个P沟道 AO8807 12V 6.5A TS...

产品种类: MOSFET CSD17578Q3AT
产品种类: MOSFET CSD17578Q3AT
  • 型号/规格：

    CSD17578Q3AT

  • 品牌/商标：

    TI

  • 封装形式：

    VSONP-8

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

型号：CSD17578Q3AT 深圳市腾桩电子有限公司，是电子元器件的国际分销商，代理分销TOSHIBA,IR,ST,ON,FAIRCHILD,TI,NXP,MAXIM-DALLAS，ADI,ALTERA,XILINX,MICROCHIP,品牌各种模拟器件...

MOSFET FDP8874
MOSFET FDP8874
  • 型号/规格：

    FDP8874

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装形式：

    TO-220-3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管装

芯片详情：产品属性 属性值 选择属性制造商: onsemi 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: Through Hole 封装 / 箱体: TO-220-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 C...

鹏领现货场效应管FDN338P
鹏领现货场效应管FDN338P
  • 型号/规格：

    FDN338P

  • 品牌/商标：

    鹏领

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

请新老顾客下单前先咨询客服。 封装： 0201（0603） 0402（1005） 0603（1608） 0805（2102） 1206（3216） 1210（3225） 1812（4532） 2220（5750）FDN338P 电压：4V 6.3V 10V 16V 2...

SI2301ADS-T1-GE3
SI2301ADS-T1-GE3
  • 型号/规格：

    SI2301ADS-T1-GE3

  • 品牌/商标：

    VISHAY/威世

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

深圳中元伟业经营世界厂家，MOS管/高频管/场效应管/变容管/电源IC，二三极管等SMD，产品主要应用于民用、工业、军事领域的通讯、网络、仪器仪表、电脑、电视、VCD/DVD、音响、IT等。...

AO3400 SOT-23 场效应管MOS管 AOS 原装现货
AO3400 SOT-23 场效应管MOS管 AOS 原装现货
  • 型号/规格：

    AO3400

  • 品牌/商标：

    AOS/万代

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

AO3400 SOT-23 场效应管MOS管 AOS 原装现货 产品图片： AO3400 SOT-23 场效应管MOS管 AOS 原装现货 AO3400 SOT-23 场效应管MOS管 AOS 原装现货 具体参数： 型号 AO3400 漏源电压-值：...

MOSFET 晶体管 FDN306P
MOSFET 晶体管 FDN306P
  • 型号/规格：

    FDN306P

  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD（飞兆）

  • 封装形式：

    SOT-3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

迪蒙信源电子有限公司是一家的电子器件经销商,经营各类进口IC芯片,二三级管，电阻电容，拥有大量现货库存, 现已成为各中小企业、医疗器材生产企业、研究院、航天研究院、各大专院校、...

AP9575AGH TO-252 MOS场效应管 P沟道
AP9575AGH TO-252 MOS场效应管 P沟道
  • 型号/规格：

    AP9575AGH

  • 品牌/商标：

    APEC/富鼎

  • 封装形式：

    TO-252

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

AP9575AGH TO-252 MOS场效应管 P沟道 <img src="https://file...

BSB280N15NZ3 优势 英飞凌
BSB280N15NZ3 优势 英飞凌
  • 型号/规格：

    BSB280N15NZ3

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    WDSON-2-3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

----- 致力于中小微客户提供全方位的现货供应链服务：请在线QQ联系或拨打电话联系下单快2小时发货 ,20000+型号，9000万+常备现...

IRFB4020PBF场效应管
IRFB4020PBF场效应管
  • 型号/规格：

    IRFB4020PBF

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-220

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    大功率

深圳市奥利腾科技有限公司业务部专营各国品牌集成电路，IC,晶振。并具有着丰富的电子行业经验，在激烈的市场竞争中，以其独特的经营方式，优质的服务，逐渐闯出了一套属于自己的行业...

质优价廉 ON BS107ARL1G MOSFET 200V 250mA 原厂原装
质优价廉 ON BS107ARL1G MOSFET 200V 250mA 原厂原装
  • 型号/规格：

    BS107ARL1G

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装形式：

    TO-92

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

安森美BS107ARL1G 场效应管 安森美BS107ARL1G场效应管相关资料： ds-漏源极击穿电压: 200V Id-连续漏极电流:250 mA Rds On-漏源导通电阻:6.4 Ohms 工作温度:+150C 场效应管：场效应晶...

SI2305 P沟道增强型MOSFET
SI2305 P沟道增强型MOSFET
  • 型号/规格：

    SI2305

  • 品牌/商标：

    CJ/长电

  • 封装形式：

    SOT23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

SI2305 -20V P沟道增强型MOSFET特征SI2305先进的沟槽工艺技术超低导通电阻的高密度电池设计包装尺寸SOT23VDS=-20VRDS（ON），Vgs@-4.5V, Ids@-2.8A ?笔记SI2305脉冲宽度受zui高结温限...

场效应管IRF3007S 全新现货
场效应管IRF3007S 全新现货
  • 型号/规格：

    IRF3007S

  • 品牌/商标：

    国际品牌

  • 封装形式：

    SMD/DIP

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    SMD/DIP

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    大功率

IRF3007S IRF3007S IRF3007S IRF3007S IRF3007S 深圳市现代芯城互联网科技有限公司，是国际知名的电子元件混合型分销商，公司在香港、深圳、美国、德国等地设有仓库和客户服务办事处...

IPDH4N03LA-G MOSFET 25V 90A TO252-3
IPDH4N03LA-G MOSFET 25V 90A TO252-3
  • 型号/规格：

    IPDH4N03LA-G

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    SMD

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

IPDH4N03LA-G 晶体管 Infineon 产品属性 IPDH4N03LA-G MOSFET 25V 90A TO252-3 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TO-252-...

NTR4003NT1G场效应管MOSFET
NTR4003NT1G场效应管MOSFET
  • 型号/规格：

    NTR4003NT1G

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装形式：

    SOT23-3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

深圳市博睿海科技电子有限公司 主营 TI（德州仪器）、ADI（亚德诺）、MAXIM（美信）、ON（安森美）、ARTERY雅特力、INFINEON（英飞凌)、NXP(恩智浦)、VISHAY（威世）、DIODES（美台）...

射频MOSFETs,BLC9G27LS-151AV
射频MOSFETs,BLC9G27LS-151AV
  • 型号/规格：

    BLC9G27LS-151AV

  • 品牌/商标：

    AMPLEON

  • 封装形式：

    SOT-1275-3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    托盘

  • 功率特征：

    大功率

  • 起订量：

    1

BLC9G27LS-151AV：特性和优势专为宽带应用设计（1805 MHz至2025 MHz）采用去耦引脚，提高视频带宽性能出色的耐用性高效很好的热稳定性内部匹配，便于使用高功率增益集成ESD保护符合欧...

TK100E10N1
TK100E10N1
  • 型号/规格：

    TK100E10N1

  • 品牌/商标：

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 封装形式：

    TO-220-3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    管件

  • 功率特征：

    小功率

产品属性类型描述类别 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 U-MOSVIII-H 包装 管件 产品状态 在售 FET 类型 N 通道 技术 MOS...

IRF640NSTRLPBF 自有库存 原装现货
IRF640NSTRLPBF 自有库存 原装现货
  • 型号/规格：

    英飞凌InfineonIRF640NSTRLPBF

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    D2PAK

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

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NTB18N06LT4G TO263全新原装长期
NTB18N06LT4G TO263全新原装长期
  • 型号/规格：

    NTB18N06LT4G

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装形式：

    TO263

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 60V 电流 - 连续漏极（Id）（25&#176;C 时） 15A（Tc） 驱动电压（ Rds On， Rds On） 5V 不同 Id，Vgs 时的 Rds O...

MOSFET行业资讯

什么是MOSFET?

  • 金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

  • 目录

    MOSFET

MOSFET技术资料

  • SiC MOSFET的栅极应力测试[2024-08-06]

    氧化物/SiC界面会在关键器件参数（如阈值电压（V）上产生较大的偏移第）、导通状态电阻 （RDS（开）），并且早期生存期失败。栅极氧化层处理（包括氮化）的改进导致栅极氧化层在标准可靠性和鉴定测试下的固有可靠性得到显着改善。其中一些测试来自硅器件测试...

  • 在电源中使用快速恢复二极管 MOSFET[2024-06-14]

    “超级结”技术凭借其优异的品质因数在击穿电压超过 600 V 的功率 MOSFET 市场占据主导地位。工程师在设计基于超级结的功率器件时必须考虑某些因素，以提高电源应用的效率、功率密度和可靠性。　　如图 1 所示，首先要考虑的一点是，P 柱从基区延伸，在漂移区...

  • 使用高级 SPICE 模型模拟 MOSFET 电流-电压特性[2024-06-11]

    绘制漏极电流与漏极电压的关系图　　我们首先绘制漏极电流 ( I D ) 与漏源电压 ( V DS ) 的基本图。为此，我们将栅极电压设置为远高于阈值电压的固定值，然后执行直流扫描模拟，其中V DD的值逐渐增加。图 1 显示了我们将使用的原理图。　　LTspice NMOS 示意...

  • ShinDengen - 符合AEC-Q101、高耐压900V MOSFET发售[2024-05-24]

    新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号，并将于4月发售。　　近年来，随着应对全球变暖带来的法规限制强化，环保汽车快速普及，这些汽车搭载了很多MOSFET。其中用于从400V级高电压电池转换为...

  • ShinDengen - 用于防止极性反接和反向电流的High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC发售[2024-05-24]

    新电元工业株式会社推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2007SW”。本产品与Nch-MOSFET组合，可作为理想二极管使用，为车载设备的小型化和低功耗化做贡献。 另外，与两个Nch-MOSFET组合，还可作为双向导通的半导体继电器使用，与传统的机械式继电器相...

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