/MKP-SC/SE
吸收高频尖峰电压,电流
轴向引出线
0.01~4.7(μF)
5(%)
金属化薄膜无感式卷绕
圆柱型,方形
250V~800V.DC(V)V
电话:86 0757 28396315
手机:15918197205
<!-- .at_2{FONT-SIZE: 15pt; FONT-FAMILY: 宋体; mso-ascii-font-family: 'Times New Roman'; mso-hansi-font-family: 'Times New Roman'} .at_6{MARGIN: 0cm 0cm 0pt; TEXT-INDENT: 30.1pt; mso-char-i...
电话:8601082684858
手机:13371727652
千格
CBB15 CBB91 CBB93
复合介质
谐振
圆柱形
大功率
高频
固定
电话:8607317826505
手机:013907499665
微调
3000(V)
0.0047~10(uF)
高频
UPS,逆变器,感应加热,电焊机等设备的IGBT模块吸收保护
CSC 1200V 1.0
-40~85℃
±10(%)
电话:86 0755 86197553
手机:13714064331
SZGKT
20N120
双向
三极
树脂封装
平板形
高频(快速)
不带散热片
电话:86075527578291
手机:13823390688
进口
SKKT273/16E
双向
二极
塑料封装
平板形
普通
不带散热片
电话:8601082772263,82772362
手机:13811462916
是
台湾
BR4010
整流
整流
常规(V)
常规(V)
常规(A)
电话:86053283024135
手机:13854299102
FAIRCHILD/仙童
FSBB30CH60F
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
MOS-TPBM/三相桥
P-DIT/塑料双列直插
IGBT绝缘栅比极
电话:86 755 82539765
手机:13714695911
IR/国际整流器
IRG4BC20UD
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
-(V)
-(V)
-(μS)
电话:86 0755 82543303
手机:13148773838
FAIRCHILD/仙童
FGA25N120ANTD
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
电话:010-83210971
手机:13261560816
FAIRCHILD/仙童
FGA25N120 TO-3P
功率
面接触型
锗(Ge)
直插型
金属封装
200(W)
电话:518031 0755 61681420
手机:13632555351
TO-247
GMGB25N120S
硅
桂微牌
塑料封装
是
功率
电话:8607735858088
手机:5858088
整流管
ABB
5STP06D1200
点接触型
模块封装
其他
电话:861062106568
手机:13801059099
PSHI27W
PSHI
IGBT驱动器 型号:PSHI27W/F PSHI 10.PSHI 23. PSHI 25. PSHI 26. PSHI 27. PSHI 30. PSHI 52等.....型号是专为通用IGBT开发的智能系列大功率驱动板,可以驱动1200V,1700V,3300V,6500V及600V的全系列IGBT。 产品...
电话:010-62567686
手机:13621008984
FUJI/富士通
SGG50-12SC1
50(A)
来电查询(KW)
*()
手机:
汽车级IGBT模块
FUJI
无铅*型
电话:17810152438
手机:17810152438
APT40GF120JRDQ2
Microsemi
无铅*型
电话:010-62561983
PM600HHA060
三菱
无铅*型
电话:010-89136863
手机:13810693095
据报道,2024 年千年技术奖(2024 Millennium Technology Prize)授予了北卡罗来纳州立大学班特瓦尔·贾扬特·巴利加(Bantval Jayant Baliga)教授,以表彰其发明了绝缘栅双极晶体管 (IBGT)。 自 20 世纪 80 年代开发以来,IGBT 已成为风能、太阳能等高压...
Littelfuse公司 (NASDAQ:LFUS)是一家工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率绝缘...
近日,智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),最新发布第 7代1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管(IGBT)功率模块,与其他同类产品相比,该模块的功率密度更高,且提供高10%的输出功率。该800安培(A) QDual3 模块基于新的场截...
DGU5020GR是内置齐纳二极管和栅极电阻的500V耐压IGBT。 无外置箝位电路即可构成点火线圈的驱动电路。 在维持承受高自箝位感应开关能量(ESCIS)的同时实现低饱和电压特性。 同时,在全温度范围(?40 °C~175 °C),能维持极为稳定的耐压。 为系...
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日宣布推出SCALE-iFlexXLT系列双通道即插即用型门极驱动器,适配单个LV100(三菱)、XHPTM 2(英飞凌)、HPnC(富士电机)以及耐压高达2300V的同等半导体...
采用快速 IGBT 开关的脉冲测量方法应用范围非常广泛。它适用于几乎所有类型的电感功率元件,从小型 SMD 电感器到重达几吨的 MVA 范围的功率扼流圈。 电流范围非常广,目前范围从 < 0.1 A 到 10000 A 目前可用的脉冲能量从 J 到 15 kJ 尽管测量...
IGBT的外形、等效结构和符号如图7-17所示,从等效结构图中可以看出,IGBI相当于一个 PNP 型三极管和增强型 NMOS 管以图 7-17(b)所示的方式组合而成。IGBT有三个极:C极(集电极)、G极(栅极)和E极(发射极)。 图 7-17中的IGBT是由PNP型三极管和N沟道MOS管组合...
区分电极 在区分 IGBT 各电极时,万用表选择二极管测量挡,红、黑表笔接任意两个引脚,正、反各测一次,当某次测量出现显示值在0.400~0.800范围的数值时,如图7—20(b)所示,表明两个引脚内部有一个二极管导通,该二极管反向并联在IGBT管的C、E极之间,...