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IGBT

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  • 品牌/型号:

    西门康SKM100GB12T4

  • 额定电压:

    1200VV

 德国原装新件 供应各种型号 IGBT 模块SKM75GB123D、SKM75GB124D、SKM75GB125D、SKM75GB126D、SKM75GB12T4SKM100GB12T4、SKM150GB12T4、SKM300GB12T4、SKM200GB12T4 &am...

  • 是否提供**:

  • 品牌/商标:

    TOSHIBA/东芝

  • 型号/规格:

    MG50Q2YS43

  • 种类:

    磁簧管(磁控式)

  • 额定电压:

    1200(V)

  • 额定电流:

    50(A)

  • 接触电阻:

    1(Ω)

  • *缘电阻:

    1(MΩ)

  • 额定电压:

    单相/三相AC200(V)

  • 输出电压调节方式:

    PAM控制

  • 外型:

    塑壳

  • 产品系列:

    MEGA

  • 直流电源性质:

    电流型

  • 滤波器:

    内置1A滤波器

  • 电源相数:

    多相

  • 应用范围:

    *

  • 品牌:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号:

    FGL60N100BNTD

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    CC/恒流

  • 封装外形:

    SP/*外形

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

    产品介绍采用金属化薄膜无感式卷绕,*喷金工艺,迈拉胶带封装,阻燃环氧树脂密封,镀锡铜线引出。特点稳定性高、频率特性好、体积小、自愈性好、耐压高、过电流能力强用途主要用于UPS、变频器、电镀电源、逆变焊机等其他电力电子设备,IGBT吸收高频*电压、电流用。性能指标:使用温度范围-40℃~+85℃/+105℃电容量0.01~4.7&...

    • 额定电压:

      800V-3000VDC(50KHZ)(V)

    • 功率特性:

      *率

    • 调节方式:

      固定

    • 标称容量:

      0.1UF-10UF(uF)

    • 频率特性:

      高频

    • 应用范围:

      滤波

    • 型号:

      MKPH-* 0.47UF/1200V

    • 温度系数:

      -40度至+85度

    • 品牌:

      TENTA/天泰

    • 型号:

      MPF

    • 介质材料:

      复合介质

    • 应用范围:

      高压

    • 外形:

      长方形

    • 功率特性:

      大功率

    • 频率特性:

      高频

    • 调节方式:

      固定

    • 品牌/商标:

      国产

    • 型号/规格:

      IGBT-F

    • 应用范围:

      电源

    • 种类:

      卡座

    • 接口类型:

      ZIF

    • 支持卡数:

      二合一

    • 读卡类型:

      CF

    • 形状:

      条形

    • 品牌/商标:

      Semikron/西门康

    • 型号/规格:

      SKM75GB128D

    • 控制方式:

      双向

    • *数:

      二*

    • 封装材料:

      陶瓷封装

    • 封装外形:

      平板形

    • 关断速度:

      高频(快速)

    • 散热功能:

      不带散热片

    • 品牌/商标:

      APEC台湾富鼎

    • 型号/规格:

      AP30G120SW

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      DC/直流

    • 封装外形:

      P-DIT/塑料双列直插

    • 材料:

      P-FET硅P沟道

    • 品牌:

      INFINEON/英飞凌

    • 型号:

      FZ400R12KS4

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      VHF/甚高频

    • 封装外形:

      LLCC/无引线陶瓷片载

    • 材料:

      IGBT*缘栅比*

    • 型号/规格:

      IRG4PC50WPBF

    • 封装外形:

      CER-DIP/陶瓷直插

    • 品牌/商标:

      IR/国际整流器

    • 用途:

      S/开关

    • 材料:

      IGBT*缘栅比*

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 型号/规格:

      2*150N-060

    • 品牌/商标:

      日本富士

    • *类别:

      无铅*型

    • 型号/规格:

      MMG50SR120B

    • 品牌/商标:

      江苏宏微

    • *类别:

      无铅*型

    • 型号/规格:

      EPCOS 铝电解电容

    • 品牌/商标:

      EPCOS

    • *类别:

      无铅*型

    • 安装方式:

      直插式

    • 包装方式:

      散装

    • 标称容量范围:

      uf

    • 额定电压范围:

      V

    • 温度系数范围:

    • 型号/规格:

      BSM50GB600DLC

    • 品牌/商标:

      三肯

    • *类别:

      无铅*型

    • 武汉威能设备公司

    • 供应商等级: 免费会员
    • 企业类型:经销商
    • 地区:湖北武汉
    • 电话:027-51772074

      手机:13277956648

      富士IGBT: IGBT侍服上用模块 IGBT系列模块: 2*200NR060 1*200L120 2*150N060 2*300N120 2*300NR060 1*300L120 2*200N060 2*300P140 2*400NR060 1*400N120 2*300N060 2*200KB060 1*400N120 2*400N060 2*200KC060 1*...

      • 叶秀英(个体经营)

      • 供应商等级: 免费会员
      • 企业类型:贸易型
      • 地区:浙江
      • 电话:8605766421725

        手机:13906561452

        电力电子器件:固态继电器、固态调压模块、可控硅模块、可控硅触发器、IGBT模块及驱动电路、GTR及场效应模块、智能IGBT、IPM、PIM模块、整流桥模块等系列功率模块、承接自动化控制系统的设计、安装、调试等。

        IGBT行业资讯

        • IGBT发明者,获巨额奖金

          据报道,2024 年千年技术奖(2024 Millennium Technology Prize)授予了北卡罗来纳州立大学班特瓦尔·贾扬特·巴利加(Bantval Jayant Baliga)教授,以表彰其发明了绝缘栅双极晶体管 (IBGT)。  自 20 世纪 80 年代开发以来,IGBT 已成为风能、太阳能等高压...

        • Littelfuse - 用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器

          Littelfuse公司 (NASDAQ:LFUS)是一家工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率绝缘...

        • Onsemi -安森美推出最新的第7代IGBT模块助力可再生能源应用简化设计并降低成本

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        • Power Integrations推出适用于1.2kV至2.3kV“新型双通道” IGBT模块的单板即插即用型门极驱动器

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        什么是IGBT?

        • IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
        • IGBT

        IGBT技术资料

        • IGBT 脉冲测量方法的优点?正确选择脉冲测量

          采用快速 IGBT 开关的脉冲测量方法应用范围非常广泛。它适用于几乎所有类型的电感功率元件,从小型 SMD 电感器到重达几吨的 MVA 范围的功率扼流圈。   电流范围非常广,目前范围从 < 0.1 A 到 10000 A   目前可用的脉冲能量从 J 到 15 kJ   尽管测量...

        • 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)外形、等效结构与符号

          IGBT的外形、等效结构和符号如图7-17所示,从等效结构图中可以看出,IGBI相当于一个 PNP 型三极管和增强型 NMOS 管以图 7-17(b)所示的方式组合而成。IGBT有三个极:C极(集电极)、G极(栅极)和E极(发射极)。  图 7-17中的IGBT是由PNP型三极管和N沟道MOS管组合...

        • 用数字万用表检测IGBT

          区分电极  在区分 IGBT 各电极时,万用表选择二极管测量挡,红、黑表笔接任意两个引脚,正、反各测一次,当某次测量出现显示值在0.400~0.800范围的数值时,如图7—20(b)所示,表明两个引脚内部有一个二极管导通,该二极管反向并联在IGBT管的C、E极之间,...

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