西门康SKM100GB12T4
1200VV
 德国原装新件 供应各种型号 IGBT 模块SKM75GB123D、SKM75GB124D、SKM75GB125D、SKM75GB126D、SKM75GB12T4SKM100GB12T4、SKM150GB12T4、SKM300GB12T4、SKM200GB12T4 &am...
电话:0411-84618527
否
TOSHIBA/东芝
MG50Q2YS43
磁簧管(磁控式)
1200(V)
50(A)
1(Ω)
1(MΩ)
电话:8601082624246
手机:013501174269
单相/三相AC200(V)
PAM控制
塑壳
MEGA
电流型
内置1A滤波器
多相
*
电话:8601062110997
手机:13522771959
FAIRCHILD/*童
FGL60N100BNTD
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
CC/恒流
SP/*外形
N-FET硅N沟道
电话:83987713-810
产品介绍采用金属化薄膜无感式卷绕,*喷金工艺,迈拉胶带封装,阻燃环氧树脂密封,镀锡铜线引出。特点稳定性高、频率特性好、体积小、自愈性好、耐压高、过电流能力强用途主要用于UPS、变频器、电镀电源、逆变焊机等其他电力电子设备,IGBT吸收高频*电压、电流用。性能指标:使用温度范围-40℃~+85℃/+105℃电容量0.01~4.7&...
电话:86757283799722
800V-3000VDC(50KHZ)(V)
*率
固定
0.1UF-10UF(uF)
高频
滤波
MKPH-* 0.47UF/1200V
-40度至+85度
电话:86-571-89901072 86-571-88256289
TENTA/天泰
MPF
复合介质
高压
长方形
大功率
高频
固定
电话:86 755 86327963
国产
IGBT-F
电源
卡座
ZIF
二合一
CF
条形
电话:86 025 58816835
Semikron/西门康
SKM75GB128D
双向
二*
陶瓷封装
平板形
高频(快速)
不带散热片
电话:010-82625981
APEC台湾富鼎
AP30G120SW
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
DC/直流
P-DIT/塑料双列直插
P-FET硅P沟道
电话:86 0755 81815966
手机:13824385040
INFINEON/英飞凌
FZ400R12KS4
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
VHF/甚高频
LLCC/无引线陶瓷片载
IGBT*缘栅比*
电话:86075561111233
手机:13684970002
IRG4PC50WPBF
CER-DIP/陶瓷直插
IR/国际整流器
S/开关
IGBT*缘栅比*
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
电话:0755-27934303
2*150N-060
日本富士
无铅*型
电话:0755-13410139495
手机:13410139495
MMG50SR120B
江苏宏微
无铅*型
电话:0519-85166088-8086
手机:15961201711
EPCOS 铝电解电容
EPCOS
无铅*型
直插式
散装
uf
V
℃
电话:0755-83432507
BSM50GB600DLC
三肯
无铅*型
电话:027-51772074
手机:13277956648
富士IGBT: IGBT侍服上用模块 IGBT系列模块: 2*200NR060 1*200L120 2*150N060 2*300N120 2*300NR060 1*300L120 2*200N060 2*300P140 2*400NR060 1*400N120 2*300N060 2*200KB060 1*400N120 2*400N060 2*200KC060 1*...
电话:8605766421725
手机:13906561452
电力电子器件:固态继电器、固态调压模块、可控硅模块、可控硅触发器、IGBT模块及驱动电路、GTR及场效应模块、智能IGBT、IPM、PIM模块、整流桥模块等系列功率模块、承接自动化控制系统的设计、安装、调试等。
电话:86-0731-5821372
据报道,2024 年千年技术奖(2024 Millennium Technology Prize)授予了北卡罗来纳州立大学班特瓦尔·贾扬特·巴利加(Bantval Jayant Baliga)教授,以表彰其发明了绝缘栅双极晶体管 (IBGT)。 自 20 世纪 80 年代开发以来,IGBT 已成为风能、太阳能等高压...
Littelfuse公司 (NASDAQ:LFUS)是一家工业技术制造公司,致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率绝缘...
近日,智能电源和智能感知技术的领先企业安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),最新发布第 7代1200V QDual3 绝缘栅双极晶体管(IGBT)功率模块,与其他同类产品相比,该模块的功率密度更高,且提供高10%的输出功率。该800安培(A) QDual3 模块基于新的场截...
DGU5020GR是内置齐纳二极管和栅极电阻的500V耐压IGBT。 无外置箝位电路即可构成点火线圈的驱动电路。 在维持承受高自箝位感应开关能量(ESCIS)的同时实现低饱和电压特性。 同时,在全温度范围(?40 °C~175 °C),能维持极为稳定的耐压。 为系...
深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日宣布推出SCALE-iFlexXLT系列双通道即插即用型门极驱动器,适配单个LV100(三菱)、XHPTM 2(英飞凌)、HPnC(富士电机)以及耐压高达2300V的同等半导体...
采用快速 IGBT 开关的脉冲测量方法应用范围非常广泛。它适用于几乎所有类型的电感功率元件,从小型 SMD 电感器到重达几吨的 MVA 范围的功率扼流圈。 电流范围非常广,目前范围从 < 0.1 A 到 10000 A 目前可用的脉冲能量从 J 到 15 kJ 尽管测量...
IGBT的外形、等效结构和符号如图7-17所示,从等效结构图中可以看出,IGBI相当于一个 PNP 型三极管和增强型 NMOS 管以图 7-17(b)所示的方式组合而成。IGBT有三个极:C极(集电极)、G极(栅极)和E极(发射极)。 图 7-17中的IGBT是由PNP型三极管和N沟道MOS管组合...
区分电极 在区分 IGBT 各电极时,万用表选择二极管测量挡,红、黑表笔接任意两个引脚,正、反各测一次,当某次测量出现显示值在0.400~0.800范围的数值时,如图7—20(b)所示,表明两个引脚内部有一个二极管导通,该二极管反向并联在IGBT管的C、E极之间,...