以下是您搜索【IGBT】的结果,共找到292条相关资讯

Power Integrations推出具有快速短路保护功能且 适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器

深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出全新系列的即插即用型门极驱动器,新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块,具有增强的保护功能,可...

时间:2024/1/2 阅读:335 关键词:门极驱动器

Infineon - 全新4.5 kV XHP 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化

许多应用都出现了采用更小IGBT模块,以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出了4.5 kV XHP ...

分类:新品快报 时间:2024/1/2 阅读:545 关键词:驱动器

全新4.5 kV XHP 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化和效率最大化

许多应用都出现了采用更小IGBT模块,以及将复杂设计转移给产业链上游的明显趋势。为了顺应小型化和集成化的全球趋势,英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出了4.5 kV XHP3...

分类:新品快报 时间:2023/12/25 阅读:698 关键词:IGBT模块

Power Integrations推出具有快速短路保护功能且适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器

适合额定耐压1200V和1700V应用的通用型可扩展门极驱动器  深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出全新系列的即插即用型门...

分类:新品快报 时间:2023/12/14 阅读:452 关键词:驱动器

ROHM - 新增SiC和IGBT模型,罗姆官网可提供超过3,500种LTspice模型

利用嵌入了功率元器件的电路仿真工具,提高设计的便利性  全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都)扩大了支持电路仿真工具*1 LTspice 的SPICE模型*2阵容。LTspice具有电路图捕获和波形查看器功能,可以提前确认和验证电路是否按设计预期工...

时间:2023/11/24 阅读:142 关键词:SiCIGBT

Infineon - 英飞凌推出面向高能效电源应用的第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX:IFNNY)推出分立式650V IGBT7 H7新品,进一步扩展其第七代TRENCHSTOP? IGBT产品阵容。全新器件配备尖端的EC7共封装二极管,先进的发射器控制设计结合高速技术,以满足对环保和高效电源解决方案日益增长...

时间:2023/11/6 阅读:119 关键词:英飞凌

1200 V 900 A 双 IGBT模块--FF900R12IE4

PrimePACK 2 1200 V、900 A 半桥双 IGBT 模块,采用 TRENCHSTOP IGBT4、第四代发射极控制二极管、温度检测 NTC 和快速开关芯片。也适用于热界面材料 。  特征描述  提高工作结温 Tvj op  ...

分类:新品快报 时间:2023/10/13 阅读:297 关键词:IGBT

英飞凌推出面向高能效电源应用的第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX:IFNNY)推出分立式650V IGBT7 H7新品,进一步扩展其第七代TRENCHSTOP IGBT产品阵容。全新器件配备尖端的EC7共封装二极管,先进的发射器控制设计结合...

分类:新品快报 时间:2023/10/11 阅读:253 关键词:英飞凌

意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效

意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V,最高工作温度拓宽到175°C,更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变性能和更长久的可靠性。 新推出的 STPO...

分类:新品快报 时间:2023/9/12 阅读:364 关键词:IGBT晶体管

英飞凌最近发布了第 7 代 IGBT 的 650V H 变体

根据消息,第 7 代的总数达到了两个电压范围的三个类别: H7为650V和1.2kV,T7为650V和1.2kV,S7为1.2kV。 “T7 和 S7 都定义了 SCWT [短路耐受时间],这是慢速开关应用(通常是驱动应用...

分类:新品快报 时间:2023/8/28 阅读:532 关键词: IGBT 英飞凌

以高度灵活性满足高功率密度和性能需求:英飞凌扩展1200 V 62 mm IGBT7 产品组合,推出全新电流额定值模块

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出搭载1200 V TRENCHSTOP IGBT7芯片的62 mm半桥和共发射极模块产品组合。模块的最大电流规格高达 800 A ,扩展了英飞凌采用成熟的62 m...

分类:新品快报 时间:2023/8/7 阅读:352 关键词:英飞凌

SCALE-iFlex LT NTC IGBT/SiC模块门极驱动器可增强系统的可观测性和整体性能

PI新推出的SCALE-iFlex LT NTC系列IGBT/SiC模块门极驱动器可提供负温度系数(NTC)数据,从而实现变换器系统的精确温升管理并确保均流精确性。由于支持多个功率模块并联,因此可极大地提高可再生...

分类:新品快报 时间:2023/8/1 阅读:565 关键词:SiC模块

Nexperia 开始生产 IGBT,起始电压为 600V

“IGBT是一项相对成熟的技术,”该公司表示。“尽管如此,随着太阳能电池板和电动汽车充电器的普及,这些设备的市场预计将增长。Nexperia 的 600V IGBT 采用载流子存储沟槽栅极场截止结构,可在...

分类:名企新闻 时间:2023/7/6 阅读:411 关键词:Nexperia IGBT

Nexperia推出新款600 V单管IGBT,可在电源应用中实现出色效率

基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布,将凭借600 V器件系列进军绝缘栅双极晶体管(IGBT)市场,而30A NGW30T60M3DF将打响进军市场的第一炮。Nexperia在其庞大的产品组合中增加了I...

分类:新品快报 时间:2023/7/5 阅读:500 关键词:IGBT

Onsemi - 安森美开发IGBT FS7开关平台,性能领先,应用工业市场

领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi,美国纳斯达克上市代号:ON),推出一系列全新超高能效1200V绝缘栅双极型晶体管(IGBT),具备业界领先的性能水平,最大程度降低导通损耗和开关损耗。这些新器件旨在提高快速开关应用能效,将主要用...

时间:2023/6/19 阅读:204 关键词:电子

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