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场效应管MOSFET

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

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MW6S010GNR1 - 射频功率场效应管 MOSFET N沟道 宽带 68V
MW6S010GNR1 - 射频功率场效应管 MOSFET N沟道 宽带 68V
  • 类型：

    通信IC

  • 品牌/商标：

    FRE*CALE/飞思卡尔

  • 型号/规格：

    MW6S010

  • 电源电压：

    0.1

  • 功率：

    0.1

  • 频率：

    0.1

  • 用途：

    仪器

  • 封装：

    TO-270

Channel T*eNChannel ModeEnhancementDrain Source Voltage (Max)68VPower Gain (T*)@Vds20dBFrequency (Min)450MHzFrequency (Max)1.5GHzPackage T*eTO-270 EPPin Count3Input Capac...

MOS管 IRFZ34N 质量测试* 现货
MOS管 IRFZ34N 质量测试* 现货
  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格：

    IRFZ34N

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式：

    增强型

汕头市盈信扬电子有限公司成立于1991年，是国内较早的电子元器件供应商。本公司成立以来*奉承以客为尊以诚为本，以服务打造行业品牌的经营信念为发展宗旨。公司实力雄厚，重信用守合...

  • 杨泽滨(个体经营)
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：生产企业
  • 地区:广东汕头

    • 手机：18029567921

原装ON 单路晶体管(BJT) NPN M*T3904LT1G SOT-23
原装ON 单路晶体管(BJT) NPN M*T3904LT1G SOT-23
  • 封装形式：

    SOT-23

  • 型号/规格：

    M*T3904LT1G

  • 材料：

    硅(Si)

  • 品牌/商标：

    ON安森美

  • 应用范围：

    功率

标准包装：3,000类别：分离式半导体产品家庭：晶体管(BJT) - 单路系列：-晶体管类型：NPN电流 - 集电* (Ic)（）：200mA电压 - 集电*发射*击穿（）：40VIb、Ic条件下的Vce饱和度（）：...

L1084S 原装集成IC
L1084S 原装集成IC
  • 品牌/商标：

    NIKO

  • 型号/规格：

    L1084S

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    ALGaAS铝镓砷

  • 类型：

    其他IC

-本公司经营范围如下： 二*管：1/2W、1W、2W、5W全系列稳压管、1N4148开关二*管、1N60检波二*管、DB3触发二*管、整流管系列、。 三*管：TO-92、TO-92S、TO-92，TO-126、TO-220封装的...

小额批发 三*管y5 晶体三*管
小额批发 三*管y5 晶体三*管
  • 封装形式：

    贴片型

  • 型号/规格：

    y5

  • 品牌/商标：

    *

  • 材料：

    硅(Si)

  • 应用范围：

    功率

半导体三*管又称“晶体三*管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中...

专营VISHAY原装全系列 IRF840ASTRL FET分立半导体
专营VISHAY原装全系列 IRF840ASTRL FET分立半导体
  • 品牌/商标：

    Vishay/威世通

  • 型号/规格：

    IRF840ASTRL

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    MOSFET N 通道，金属氧化物

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    D-G双栅四*

  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 材料：

    IGBT*缘栅比*

标准包装 800类别 分立半导体产品家庭 FET - 单系列 -包装 带卷 (TR)FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能 标准漏源*电压 (Vdss) 500V电流 - 连续漏* (Id)（25° C...

IRIRFP260场效应TO-247质量*，欢迎详询
IRIRFP260场效应TO-247质量*，欢迎详询
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRFP260

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    S/开关

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

买家须知：为了更好地方便您的购物，保障您的权益，请您仔细阅读以下购物需知，谢谢合作! 友情提示：本店商品都为实价，样品价或行情变动会有小幅度调整，希望大家体谅和*支持 因型号...

**芯片【*】【BU508A】大功率*声波晶体管
**芯片【*】【BU508A】大功率*声波晶体管
  • 集电*耗散功率PCM：

    150W

  • 集电*允许电流ICM：

    10A

  • 封装形式：

    直插型

  • 截止频率fT：

    1

  • 型号/规格：

    三*管 BU508A

  • 材料：

    硅(SI),硅(SI)

  • 品牌/商标：

    SANYO/三洋

  • 应用范围：

    功率

BU508A大功率开关三*管 TO-247.【器件种类】硅功率高压开关晶体管、大功率开关三*管【品牌厂商】CHENGYU【工业型号】BU508A【公司型号】BU508A【主要参数】15A，125W，hFE&ge...

MOS场效应管 P沟道 AO4459*原装 AOS SOP-8 现货热卖
MOS场效应管 P沟道 AO4459*原装 AOS SOP-8 现货热卖
  • 类型：

    其他IC

  • 品牌/商标：

    AOS/美国万代

  • 型号/规格：

    AO4459

  • 用途：

    音响

  • 封装：

    SOP-8

  • 批号：

    13+

品牌 ： AOS 年份 ：13+ 封装 ：SOP-8 包装 ：2500/PCS 型号 ： AO4459 备注 ：MOS场效应管 P沟道 现货*热卖 欢迎光临深圳市信华泰电子有限公司实体店淘宝经营部.主营：经营IC.二三级...

场效应管 WFF10N60 WISDOM TO-220F
场效应管 WFF10N60 WISDOM TO-220F
  • 品牌/商标：

    Wisdom/威士顿

  • 型号/规格：

    WWF10N60/10N60/FQPF10N60C

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

型号：WWF10N60品牌：WIDOM威士顿封装：TO-220F参数：10A,600V,0.73ohm,Si,POWER,MOSFET

SUP75P05-08
SUP75P05-08
  • 品牌/商标：

    Vishay/威世通

  • 型号/规格：

    SUP75P05*08

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    HG/高跨导

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    ALGaAS铝镓砷

◇◇◇深圳市伟成达電子商行◇◇◇ 原[深圳市通达电子商行]一家综合性电子元件供应商,拥有对电子元件分销有多年销售经验的团队，一直致力于－－大中小功效三*管，三．四．五端压稳压...

G20N50C SIHG20N50V VISHAY品牌单管*原装
G20N50C SIHG20N50V VISHAY品牌单管*原装
  • 品牌/商标：

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格：

    G20N50C

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

本公司经营电子产品，包括世界名厂各种工业功率.电源模块/IPM.PIM.IGBT.GTR.可控硅.整流.DC-DC.AC-AC.DC-AC等系列;各种金封镙旋型*整流二*管，肖特二*管，稳压管二*管，快速可控硅;还...

GC2605晶群MOS n沟道场效应管 MOS管厂家 场效应管
GC2605晶群MOS n沟道场效应管 MOS管厂家 场效应管
  • 品牌/商标：

    晶群

  • 型号/规格：

    GC2605

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    MOS-HBM/半桥组件

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

Part No. Package Configuration BVds(V)Vgs(V)ID(A)25°CVth(V)MaxRds(on) Max(mΩ) /25°C @Vgs=*DProtect 10V 5V 4.5V 4V 2.5V 1.8V 1.25VGC2...

*批发拆机场效应管SSH10N90A
*批发拆机场效应管SSH10N90A
  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 型号/规格：

    SSH10N90A

  • 用途：

    L/功率放大

  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 导电方式：

    增强型

盛达电子经营部位于中国广东省汕头市潮南区陈店镇粤东电子城，盛达电子经营部是一家经销批发的私营独资企业。主要生产电子元器件，二三*管，场效应管安规电容，CBB电容，小功率管，整...

  • 盛达电子经营部
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：经销商
  • 地区:广东汕头

    • 手机：13682999282

东芝2SK2962,光耦、二三*管、MOS管多型号多品牌优势现货。
东芝2SK2962,光耦、二三*管、MOS管多型号多品牌优势现货。
  • 型号/规格：

    2SK2962

  • 品牌/商标：

    TOSHIBA（东芝）

  • 封装形式：

    to-92

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

品牌：TOSHIBA 型号：2SK2962 产地：泰国 包装：盒=3000PCS 箱=30000PCS 广泛应用：光伏逆变器和电源，*，大电流开关，斩波调压器，直流CONVERTERAND和电机驱动应用。 深圳市海纳伟业...

现货ZETEX MOS管 ZXM64N035G
现货ZETEX MOS管 ZXM64N035G
  • 品牌/商标：

    Zetex/捷特科

  • 型号/规格：

    ZXM64N035G

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    P沟道

  • 导电方式：

    增强型

本产品性能稳定,质量*.*无铅,主要途：电视机，数码相机，ＡＶ设备，汽车音响，手机,通信基础设备，硬盘驱动器，光盘驱动器，电脑主板,和其它电了设备 如还有什么不明白,请直接与我联...

欧母龙OMLON计时计数器H8CA-SDLS
欧母龙OMLON计时计数器H8CA-SDLS
  • 应用范围：

    计数，计时

  • 品牌/商标：

    OMLON/欧母龙

  • 型号/规格：

    H8CA-SDLS

  • 产品系列：

    H8CA

  • 触点负载：

    微功率

  • 触点切换电流：

    10A

  • 触点切换电压：

    DC30V

  • 触点形式：

    晶体管输出

深圳市宝安区沙井镇威尔斯电子工具经营部 经销批发的温控器、PLC、变频器，触摸屏，感应器，连接器，继电器，电源，开关等消费者市场，在消费者当中享有较高的*，公司与多家*售商和代...

：FSC牌子:FQA28N50 【优势代理】 【原装】
：FSC牌子:FQA28N50 【优势代理】 【原装】
  • 品牌/商标：

    FSC/*童

  • 型号/规格：

    FQA28N50

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    TV/电视

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

FQA28N50场效应管MOSFET N TO-* 晶体管*性: N沟道 电流, Id连续: 28.4A 电压, Vds: 500V 在电阻RDS（上）: 160mohm 电压@ Rds测量: 10V 阈值电压, Vgs th典型值: 5V 功耗, Pd: 310W ...

*销售原装*童现货 FQP5N60C 5N60
*销售原装*童现货 FQP5N60C 5N60
  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格：

    FQP5N60C

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

济南市美斯捷电子商行成立于2000年，我公司是电子元器件厂家指定代理商和电子元件批发商，我们以产品的品种多,质量好,价格低,电子元器件性配套完善闻名于*，公司追求*和周到的服务质...

原装IR 场效应管 IRF530 TO220 *原装* 批发*售
原装IR 场效应管 IRF530 TO220 *原装* 批发*售
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRF530

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    HA/行输出级

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    IGBT*缘栅比*

咨询： 洪生 如需批量采购各种电子元件，需要配套报价，请 传真：或加 我们将尽可能给予惠的价格，良的质量！【买家须知】1.价格是根据市场行情波动和数量的变化而调整的，产品信息上...

场效应管MOSFET技术资料

  • 场效应管（MOSFET）检测方法与经验[2009-11-14]

    一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正

  • 场效应管（mosfet）参数符号意义[2008-05-28]

    Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流

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