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场效应管MOSFET

(共找到“7”条查询结果)
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福州
源头工厂
  • 型号/规格:

    6*7132-*D32-0AA0

  • 品牌/商标:

    西门子

  • *类别:

    普通型

西门子模块6*7132-*D32-0AA0 型号,欢迎来电询价 6*7132-*D32-0AA0 6*7131-1BL01-0XB0 6*7131-*D01-0AA0 6*7131-*F00-0AA0 6*7132-1BL00-0XB0 6*7132-*B31-0AB0 6*7132-*D02-0AA0 6*7132-*D32-0AA0 6*7132-*F00-0AA0 6*7134-4FB01-0AB0 6*7134-4GB01-0AB0 6*7...

  • 福州力乐电气有限公司
  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:贸易/代理/分销
  • 地区:福建福州
  • 电话:0591-83760680

    手机:13559106628

  • 品牌:

    BGS

  • 型号:

    MOS结型场效应管系列

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

公司供应型号:650V系列:1N65,2N65,4N65,5N65,7N65,8N65,10N65,12N65;600V系列:1N60,2N60,4N60,5N60, 7N60,8N60,10N60,12N60;500V系列:BF830,BF840;400V系列:BF730,BF740;200V系...

  • 型号/规格:

    TM218LDA24DRN

  • 品牌/商标:

    施耐德

  • 封装形式:

    10

  • *类别:

    普通型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

  • 功率特征:

    *功率

福州京驰自动化设备有限公司是一家集工业自动化系统集成,自动化产品代理销售为一体的高新技术企业。公司以国际*的自动化产品为依托,以雄厚的技术力量为基础,同时拥有一批在工业自...

  • 品牌:

    ADV美国*半导体

  • 型号:

    各种

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    FM/调频

  • 封装外形:

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料:

    SENSEFET电流敏感

TO-220封装

    品牌:Toshiba东芝 型号:MIG20J105LA 控制方式:GTO(门*关断) *数:多* 封装材料:树脂封装东芝IGBT模块 拆机 8成新

    • 品牌/商标:

      BGS

    • 型号/规格:

      BF740

    • 种类:

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型:

      N沟道

    • 导电方式:

      增强型

    • 用途:

      V-FET/V型槽MOS

    • 封装外形:

      P-DIT/塑料双列直插

    • 材料:

      N-FET硅N沟道

    规格型号ID(A)PW(W)25℃BVdss(V)Vth(V)Vgs(V)Ron(10V)(Ω)封装形式应用领域MinMaxT*MaxBF&plu*n;300.40.5TO251/220电子整流器、常压*灯公司供应型号: N型-650V...

      品牌:富士 型号:IGBT模块 批号:IGBT模块 封装:IGBT模块深圳佳利电子有限公司供应深圳富士IGBT单管深圳佳利电子有限公司供应富士IGBT单管赵刚.cnhttp://szjiali.china.herostart.com中国广东深圳市福田区华强北路赛格广场1D094深圳佳利电子有限公司是一家集代理和销售电子元器件为一体的合资公司。主要经营各种日本品牌电子...

      场效应管MOSFET技术资料

      • 场效应管(MOSFET)检测方法与经验[2009-11-14]

        一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正

      • 场效应管(mosfet)参数符号意义[2008-05-28]

        Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比(占空系数,外电路参数)di/dt---电流

      电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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