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场效应管MOSFET

（共找到“14”条查询结果）
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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

您是不是要找： 50N06场效应管 IRF730场效应管 MOSFET场效应管 mos场效应管 nec场效应管 场效应管

维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

公司类型
厦门
源头工厂
全新二极管MMD240S160B型号齐全 价格实惠 欢迎选购
全新二极管MMD240S160B型号齐全 价格实惠 欢迎选购
  • 型号/规格：

    MMD240S160B

  • 品牌/商标：

    MACMIC宏微

  • 环保类别：

    普通型

  • 功率特性：

    IGBT模块

  • 规格：

    其他

  • 封装材料：

    树脂封装

MMD70E120X MMD70E160X MMD70E180X MMD100E120X MMD100E160X MMD100E180X MMD150F120X MMD150F160X MMD150F180X MMD200F120X MMD200F160X MMD200F180X MMD250F120X MMD250F160X MMD25...

菲尼克斯Phoenix耦合I/O模块FLS PB M12 DO 8 M12-2A
菲尼克斯Phoenix耦合I/O模块FLS PB M12 DO 8 M12-2A
  • 型号/规格：

    FLS PB M12 DO 8 M12-2A

  • 品牌/商标：

    菲尼克斯

  • *类别：

    普通型

2736110 FLS PB M12 DO 8 M12-2A 用于PROFIBUS的一体化模块带有8个数字化输入，每个的负载能力为2 A。M12的连接使用了快速连接技术。 24 V DC的电源用于*短路和过载。 2736110 FLS PB M12 DO 8 M12-2A 关于此项目的信息 项目主页 附件 技术数据 /许可 PDF格式...

740P N-Channel Mos管
740P N-Channel Mos管
  • 品牌/商标：

    PowerMos

  • 型号/规格：

    PMS740P

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

PMS740P / PMS740F400V N沟道场效应管（N-channel Mosfet)特点:• 10.5A, 400V, RDS(on) = 0.53Ω @VGS = 10 V• 低栅电荷• *度&...

RSM-RKM5711-2M图尔克总线模块
RSM-RKM5711-2M图尔克总线模块
  • 型号/规格：

    RSM-RKM5711-2M

  • 品牌/商标：

    图尔克

  • 环保类别：

    普通型

厦门鼎源：韩汝连3 RSS4.5-PDP-TR RSM-RKM572-0,3M RSM-RKM572-0,5M RSM-RKM572-1M RSM-RKM572-1,5M RSM-RKM572-2M RKM572-0,3M RSM-2RKM57 RSM572-0,3M RSM57-TR2 WSM-WKM5711-0,5M WSM-WKM5711-1M WSM-WKM5711-1,5M WSM-WKM5711-2M WSM-WKM5711-3M WSM-WKM5...

原装AO3401A/AO3401
原装AO3401A/AO3401
  • 品牌/商标：

    Alpha/阿尔法

  • 型号/规格：

    AO3401/AO3401A

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    P-FET硅P沟道

厦门格亚电子科技有限公司是一家综合性、化的电子元器件*分销商；至今已成为福建市场多家知名品牌电子厂商的分销商、和合作伙伴；是福建市场较具规模的电子元器件供应商之一；自公司...

厦门办事处德国法勒VAHLE碳刷现货
厦门办事处德国法勒VAHLE碳刷现货
  • 品牌/商标：

    德国法勒

  • 型号/规格：

    LTE/LTE-U10

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    MIN/微型

  • 封装外形：

    CHIP/小型片状

  • 材料：

    GE-P-FET锗P沟道

德国vahle法勒 中国《厦门》办事处厦 门 科 比 特 自 动 化 技 术 有 限 公 司联 系 人 ： 乐 彬联系 ： 0 5 9 2 0 5Q Q: 9 6 3 9德国VAHLE移动供电系统VAHLE代理 VAHLE厂家 VAHLE价...

原装HFS12N65S
原装HFS12N65S
  • 品牌/商标：

    其他

  • 型号/规格：

    HFS12N65S

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

厦门格亚电子科技有限公司是一家综合性、化的电子元器件*分销商；至今已成为福建市场多家知名品牌电子厂商的分销商、和合作伙伴；是福建市场较具规模的电子元器件供应商之一；自公司...

IRF9540 TO-220
IRF9540 TO-220

    IRF9540NPBF IRF540NPBF IRF3205PBF IRF9530NPBF IRF640NPBF IRFP460NPBF

    MOS-P P沟道达林顿管 场效应管
    MOS-P P沟道达林顿管 场效应管
    • 品牌/商标：

      国产

    • 型号/规格：

      MOS-P LY5801

    • 种类：

      结型(JFET)

    • 沟道类型：

      P沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      S/开关

    • 封装外形：

      CHIP/小型片状

    • 材料：

      GE-P-FET锗P沟道

    工作原理 场效应管工作原理用一句话说，就是“漏*-源*间流经沟道的ID，用以门*与沟道间的pn结形成的反偏的门*电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度...

    *场效应管MOS管1N60，用于充电器、高频开关
    *场效应管MOS管1N60，用于充电器、高频开关
    • 型号/规格：

      1N60

    • 品牌/商标：

      TR

    • 封装形式：

      TO92/TO251

    • *类别：

      无铅*型

    • 安装方式：

      直插式

    • 包装方式：

      *条装

    • 功率特征：

      *率

    产品名称 产品类型 封装类别 应用领域 典型参数 产品特性说明 ID (A) VDSS(V) RDS (ON)Ω 1N60 场效应 晶体管 TO92/ TO251 充电器、 高频开关电源、 适配器N60是N沟道增强型场效应晶...

    MICRONE福建总代理MEM2311SG大热卖
    MICRONE福建总代理MEM2311SG大热卖

      品牌： MICRONE(南京微盟）；型号： MEM2311SG封装： SOP-8产品介绍： 完*全*替代市场上良莠不齐的4953，性能十分稳定，采用大芯片封装，目前已由多家大型显示屏客户*并大量投入生产使用，未曾出现任何品质问题，我们不是廉价产品，但我们是性价比的产品！品质敢做200%*！欢迎来电来函询洽索样！热卖专线： 我们将竭诚为您...

      场效应管 2M60 TO-251
      场效应管 2M60 TO-251
      • 品牌：

        AUK

      • 型号：

        2n60

      品牌/商标 AUK 型号/规格 2n60 种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 SP/*外形 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 2-4（V） 跨导 5（μS） 漏*电流 2000（mA） 本品为场效应管 2N60 TO-251 为2A 600V

      DCS 33dBm低噪放-功放一体化模块
      DCS 33dBm低噪放-功放一体化模块

        品牌:HELIOS 型号:LPAD18P33U/DV1G48HE 信息传送内容:都可以 支持网络:DCS 频段:75（MHz） 发射功率:2（W） 外形尺寸:185*90*29（mm） DCS 33dBm低噪放-功放一体化指标书 序列号：测试项目指标要求数据记录Forward前向Backward反向前向反向频率范围1805~1880MHz(或指定)1710~1785MHz（或指定）――――――带宽75MHz（或指...

        MOS-N N沟道达林顿管 场效应管
        MOS-N N沟道达林顿管 场效应管
        • 品牌/商标：

          国产

        • 型号/规格：

          MOS-N LY5802

        • 种类：

          *缘栅(MOSFET)

        • 沟道类型：

          N沟道

        • 导电方式：

          增强型

        • 用途：

          S/开关

        • 封装外形：

          CHIP/小型片状

        • 材料：

          N-FET硅N沟道

        工作原理 场效应管工作原理用一句话说，就是“漏*-源*间流经沟道的ID，用以门*与沟道间的pn结形成的反偏的门*电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度...

        场效应管MOSFET技术资料

        • 场效应管（MOSFET）检测方法与经验[2009-11-14]

          一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正

        • 场效应管（mosfet）参数符号意义[2008-05-28]

          Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流

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