WAFER/裸芯片
3N50
N-FET硅N沟道
SW-REG/开关电源
*
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
我司经销MOS场效应管芯片/晶圆/3N50，质量*。芯片基本性质：芯片型号Model3N50 芯片尺寸：2.55*2.55 硅片直径(㎜)φ125/φ150 正面电*金属铝 背面电*金属银 VD...
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品牌:国产 型号:7N60 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 开启电压:-（V） 夹断电压:-（V） 低频跨导:-（μS） *间电容:-（pF） 低频噪声系数:-（dB） 漏*电流:7000（mA） 耗散功率:48000（mW）产品简介7N60N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高...
电话：0415-6161121
品牌:- 型号:6N60 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:WAFER/裸芯片 材料:N-FET硅N沟道我公司经销MOS场效应管芯片/晶圆6N60，质量*。我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系，共同发展！产品介绍：6N60是专为*开关电源而设计的一种*的高压MOSFET，具有...
电话：0415-3178696
TW
IRF640
品牌/商标 TW 型号/规格 IRF640 种类 *缘栅 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 夹断电压 200（V） 饱和漏*电流 18（mA） 我公司经销MOS场效应管芯片/晶圆IRF640，质量*。我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系，共同发展！ 芯片基本性质：：芯片型号ModelIRF640芯片尺寸：3.59*4.59VDSS200VRDS(on)0.18...
电话：0415-2188181
一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正
Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流
