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场效应管MOSFET

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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

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SEP品牌AO3401 丝印A19T SOT-23 2.5A-2.8A20V贴片MOS管N沟道
SEP品牌AO3401 丝印A19T SOT-23 2.5A-2.8A20V贴片MOS管N沟道
  • 型号/规格：

    AO3401

  • 品牌/商标：

    SEP

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

商品属性品牌 SEP 型号 AO3401 封装 SOT-23 批号 2023+ 配置类型 贴片MOS管N沟道 FET类型 N沟道漏源电压 20V 漏源电流 2.8A 漏源导通电阻 4.5V栅源电压 12V 栅极电荷 14 工作温度范围...

仙童 场效应管 FAIRCHILD BSS138
仙童 场效应管 FAIRCHILD BSS138
  • 型号/规格：

    BSS138NH6327

  • 品牌/商标：

    FAIRCHILD（飞兆）

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 品牌：

    FAIRCHILD

  • 丝印：

    SS

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AOTF4S60采购 AOTF4S60商
AOTF4S60采购 AOTF4S60商
  • 型号/规格：

    AOTF4S60

  • 品牌/商标：

    NA

  • 封装形式：

    SOP8

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

AOTF4S60 一手货源 进口原装现货长期供应！ 深圳市现代芯城互联网科技有限公司，是国际的电子元件混合型分销商，公司在香港、深圳、美国、德国等地设有仓库和客户服务办事处，专注于...

IR IRF9540NPBF TO-220 MOS管 原装
IR IRF9540NPBF TO-220 MOS管 原装
  • 品牌：

    IR/国际整流器

  • 型号：

    IRF9540NPBF

  • 封装：

    TO-220

  • 批号：

    询问

  • FET类型：

    N沟道

  • 漏源电压（Vdss）：

    100V

  • 漏极电流(Id)：

    23A（Tc）

  • 漏源导通电阻(RDS On)：

    10V

IRF9540NPBF TO-220 参数： IRF9540NPBF TO-220 参数： IRF9540NPBF TO-220 参数： 产品属性 属性值 搜索类似 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格:...

主营anpec场效应管代理 全系列
主营anpec场效应管代理 全系列
  • 型号/规格：

    anpec场效应管代理

  • 品牌/商标：

    NXP（恩智浦）

  • 封装形式：

    SOP

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

anpec场效应管代理规格: 造商：Alpha &amp; Omega Semiconductor Inc 描述：MOSFET 2N-CH 40V 6A 8-SOIC FET 类型：2 个 N 沟道（双） FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：...

SPW47N60C3 场效应管 TO-247
SPW47N60C3 场效应管 TO-247
  • 型号/规格：

    SPW47N60C3

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-247

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    直插

SPW47N60C3 SPW47N60C3 SPW47N60C3 属性 参数值 商品目录 MOS(场效应管) 漏源电压（Vdss） 650V 连续漏极电流（Id）（25&#176;C 时） 47A 栅源极阈值电压 3.9V @ 2.7mA 漏源导通...

XBLW/芯伯乐 50P06D TO-252 MOS管
XBLW/芯伯乐 50P06D TO-252 MOS管
  • 型号/规格：

    50P06D

  • 品牌/商标：

    XBLW/芯伯乐

  • 封装形式：

    TO-252

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    大功率

XBLW/芯伯乐 国产品牌50P06D深圳市博伟奇电子有限公司是一家专注于集成电路产品代理分销，致力于为客户提供灵活、高效、可靠的芯片服务。公司总部设在中国深圳，由一批具有海内外企业...

中兴通讯模块
中兴通讯模块
  • 型号/规格：

    96843LPAB_090901-R6

  • 品牌/商标：

    中兴

  • 环保类别：

    无铅环保型

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IGBT模块
IGBT模块
  • 型号/规格：

    CM75E3U-12H

  • 品牌/商标：

    MITSUBISHI

  • 环保类别：

    无铅环保型

供应IGBT模块。平讯达电子更多新产品请你登陆：http://www.pxddz.com/企业网进入站查看咨询。

IRF530NPBF IR品牌 TO-220封装 IRF530NPBF现货 百分百原装
IRF530NPBF IR品牌 TO-220封装 IRF530NPBF现货 百分百原装
  • 型号/规格：

    IRF530NPBF

  • 品牌/商标：

    IR

  • 封装形式：

    TO-220

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

产品信息 场效应管 MOSFET N TOV 17A 晶体管极性: N沟道 电流, Id 连续: 17A 漏源电压, Vds: 100V 在电阻RDS（上）: 90mohm 电压 @ Rds测量: 10V 阈值电压 Vgs: 4V 功耗 Pd: 63W 晶体...

主营华晶MOS管 全系列 代理
主营华晶MOS管 全系列 代理
  • 型号/规格：

    全系列

  • 品牌/商标：

    NXP（恩智浦）

  • 封装形式：

    SOP

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

主营华晶MOS管 全系列 代理 场效应管工作原理，是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，...

场效应管IRF3007S 全新现货
场效应管IRF3007S 全新现货
  • 型号/规格：

    IRF3007S

  • 品牌/商标：

    国际品牌

  • 封装形式：

    SMD/DIP

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    SMD/DIP

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    大功率

IRF3007S IRF3007S IRF3007S IRF3007S IRF3007S 深圳市现代芯城互联网科技有限公司，是国际知名的电子元件混合型分销商，公司在香港、深圳、美国、德国等地设有仓库和客户服务办事处...

场效应管 BSC010NE2LSG,010NE2LS,BSC010NE2
场效应管 BSC010NE2LSG,010NE2LS,BSC010NE2
  • 型号/规格：

    BSC010NE2LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,25V,100A,0.001Ω

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    QFN-8 5*6/PG-TDSON-8

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    5000/盘

BSC010NE2LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,25V,100A,0.001Ω 深圳市金城微零件有限公司是一家代理经营半导体电子元件公司，是深圳电子商会常务理事单位。经过十几年的发展，公...

ULN2803ADWR 封装SOP18 达林顿晶体管
ULN2803ADWR 封装SOP18 达林顿晶体管
  • 型号/规格：

    ULN2803ADWR

  • 品牌/商标：

    TI

  • 环保类别：

    普通型

  • 晶体管极性:：

    NPN

  • 最大直流电集电极电流：

    500 mA

深圳市华美欧科技有限公司 经销批发的贴片电容、钽电容、贴片电阻、贴片二三极管、集成电路芯片消费者市场，在消费者当中享有较高的地位，公司与多家零售商和代理商建立了长期稳定的...

SI2301ADS-T1-GE3
SI2301ADS-T1-GE3
  • 型号/规格：

    SI2301ADS-T1-GE3

  • 品牌/商标：

    VISHAY/威世

  • 封装形式：

    SOT-23

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

深圳中元伟业经营世界厂家，MOS管/高频管/场效应管/变容管/电源IC，二三极管等SMD，产品主要应用于民用、工业、军事领域的通讯、网络、仪器仪表、电脑、电视、VCD/DVD、音响、IT等。...

场效应管 电压-40V 电流-15A TJ15P04M
场效应管 电压-40V 电流-15A TJ15P04M
  • 型号/规格：

    TJ15P04M

  • 品牌/商标：

    TOSHIBA（东芝）

  • 封装形式：

    TO-252

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    小功率

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET...

NTB18N06LT4G TO263全新原装长期
NTB18N06LT4G TO263全新原装长期
  • 型号/规格：

    NTB18N06LT4G

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装形式：

    TO263

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

  • 功率特征：

    中功率

FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 60V 电流 - 连续漏极（Id）（25&#176;C 时） 15A（Tc） 驱动电压（ Rds On， Rds On） 5V 不同 Id，Vgs 时的 Rds O...

AOD4186，N沟道增强型场效应晶体管
AOD4186，N沟道增强型场效应晶体管
  • 型号/规格：

    全系列

  • 品牌/商标：

    美国万代

  • 封装形式：

    TO252

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

AOD4186结合先进的沟槽MOSFET技术具有低电阻包提供极低的RDS（ON）。这个装置是理想的低高压变频器的应用。AOD4186参数：VDS（V）=40VID = 35A （VGS = 10V）RDS（ON）&amp;lt; 1...

FCPF1300N80Z ON（安森美） 场效应管
FCPF1300N80Z ON（安森美） 场效应管
  • 型号/规格：

    FCPF1300N80Z

  • 品牌/商标：

    ON（安森美）

  • 封装形式：

    TO-220-3

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

因电子元器件涨幅较大，网站库存价格没办法实时更新，请联系客服，以当天报价为准。谢谢理解~ 品牌： ON/安森美 型号： FCPF1300N80Z 批号： 2050 封装： TO-220-3 数量： 3000 QQ： ...

低压mosfet
低压mosfet
  • 型号/规格：

    HGN021N06SL

  • 品牌/商标：

    恒泰柯

  • 封装形式：

    HGD035N08AL

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    卷带编带包装

低压mosfet低压mosfet特点：高速电源开关，逻辑电平增强体二极管dv/dt能力增强雪崩强度100%的ui测试，100%的Rg测试无铅，无卤素低压mosfet应用：SMPS同步整流硬开关和高速电路在电信...

场效应管MOSFET技术资料

  • 场效应管（MOSFET）检测方法与经验[2009-11-14]

    一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正

  • 场效应管（mosfet）参数符号意义[2008-05-28]

    Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流

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