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场效应管MOSFET

（共找到“63”条查询结果）
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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

您是不是要找： 7N60场效应管 IRF730场效应管 ir场效应管 P沟道MOS场效应管 场效应管 低压场效应管

维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

公司类型
杭州
源头工厂
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智能功率模块PM25RSB120云达电子科技
智能功率模块PM25RSB120云达电子科技
  • 型号/规格：

    PM25RSB120云达电子科技

  • 品牌/商标：

    MITSUBISHI（三菱）

  • 环保类别：

    普通型

云达电子科技供应 三菱 富士 IXYS 西门康 等品牌模块 MAX,AD,NXP,FSC,ST，金升阳模块，长电，STC大量原装现货供应， 智能功率模块PM25RSB120在变频调速中的应用 IGBT智能功率模块IPM(INTELLIGENT POWER MODULE) 是一种几个高速、低功耗的IGBT和选的门极驱动电...

IRFB3607
IRFB3607
  • 型号/规格：

    IRFB3607

  • 品牌/商标：

    INFINEON（英飞凌）

  • 封装形式：

    TO-220

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    中功率

IRFB3607 和FAN78883 Half-Bridge Gate-Drive ICFeaturesDescription. Floating Channel for Bootstrap Operation to +200VThe FAN7888 is a monolithic three half-bridge gate-driv...

杭州代理——温州大华晶体管继电器DHC1 DHC2 DHC2-H
杭州代理——温州大华晶体管继电器DHC1 DHC2 DHC2-H
  • 应用范围：

    时间

  • 品牌/商标：

    国产

  • 型号/规格：

    DHC1

  • 产品系列：

    DHC1

  • 触点负载：

    *率

  • 触点切换电流：

    /

  • 触点切换电压：

    /

  • 触点形式：

    一开三闭

*小型面板尺寸 DIN 36×36mm(DHC1) 合的标准:Q/WDH 01-2003、GB 14048.5-2001、IEC60947-5-1：1997 电 源 AC220V （50Hz） 触点电寿命 ≥1×105...

场效应管IRF630
场效应管IRF630
  • 型号/规格：

    IRF630

  • 品牌/商标：

    创博

  • 封装形式：

    直插型

  • *类别：

    普通型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    散装

富阳创博科技有限公司生产三*管（大功率）、场效应管、开关三*管、功放对管、*声波用晶体管等一系列功率分立器件。三*管：2SC3320 2SC5200 2SC3998 2S*237 2SC2922 3DD5686 3DF50C 2S...

场效应管IRF830 *童*原装
场效应管IRF830 *童*原装
  • 型号/规格：

    IRF830

  • 品牌/商标：

    *童

  • 封装形式：

    TO-220

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    散装

  • 功率特征：

    *率

公司生产大功功率三*管、*声波功率管、高反压三*管、功率三*管、行管、电视机用三*管、场效应管、开关三*管、功放对管、*声波用晶体管等一系列功率分立器件。 *产品：2SC3998（塑封：...

我公司长期提供STP75NF75，有意向联系我，价格详谈
我公司长期提供STP75NF75，有意向联系我，价格详谈
  • 品牌/商标：

    ST/意法

  • 型号/规格：

    STP75NF75

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

场效应管规格：品牌ST型号STP75NF75FP种类*缘栅(MOSFET)沟道类型N沟道导电方式增强型用途电动车充电电路封装外形CER-DIP/陶瓷直插材料GE-P-FET锗P沟道 原装，现货！ 品牌:ST 型号:STP...

场效应管 功率管 IRFP450
场效应管 功率管 IRFP450
  • 品牌/商标：

    NS/国半

  • 型号/规格：

    各种型号都有

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    HF/高频(射频)放大

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

我公司全系列供应以下贴片/直插电子元件： 贴片/直插：各种电阻 各种电容贴片/直插：各种二 三*管贴片/直插：各种LED发光二*管 贴片/直插：其他被动和配套元器件 IC类有：40**系列 比...

IR系列MOS,IRF840
IR系列MOS,IRF840
  • 品牌/商标：

    IR/国际整流器

  • 型号/规格：

    IRF840

  • 封装：

    TO-220

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

IRF3205PBF IRF1010E、 IRF640N、 IRF2807 IRF3710 IR2153、 IR2156、 IR2157、 IR21592、 IR2166、 IR2167 、 IR2520D、 IR2520DS 、 IR2161、 IR1150ISPBF IRF830PBF、 IRF840PBF、...

SSF6010 ( N沟道60A60V )
SSF6010 ( N沟道60A60V )
  • 品牌/商标：

    矽利康

  • 型号/规格：

    SSF6010

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

MOSFETPart NumberPackageConfigurationVDSS min(V)VGS(V)VGS(th) min(V)RDS(on) maxQg t* @Vgs=10V(nC)Qg t* @Vgs=4.5V(nC)Qgs(nC)Qgd(nC)ID(A)Pd max(W)Rg t*(Ω)at V...

原装* IGBT管 英飞凌 H20R1202 电磁炉*管
原装* IGBT管 英飞凌 H20R1202 电磁炉*管
  • 品牌/商标：

    INFINEON/英飞凌

  • 型号/规格：

    H20R1202

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

宝贝概略*，*出售！ 邮资说明 本店设置的邮费均以快递公司收费为准，所标均为*重快递费，具体邮费请咨询卖家。 本店可以发申通，圆通，中通，韵达等快递及EMS和平邮，一般选择发快递...

3DJ7场效应管
3DJ7场效应管

    杭州金达电子有限公司是一家以经营国产及*分立电子元器件为主.多元化发展的公司.主要经营各类RX20珐琅/RX21被漆/RXG20波纹/RX27水泥/RXQ酚醛/RX24铝壳/ZB板形/DX7滑动变阻器等大功率线绕电阻以及 RV/RA/CP/FCP/HP/WS/WX/WH/WI/WDD等*.国产线绕.碳膜.实芯.多圈.玻璃釉.导电塑料电位器,上海永星开关厂KCD/KD2/AD系列开关/苏州...

    IC *原装AOD409
    IC *原装AOD409
    • 封装外形：

      SMD(SO)/表面封装

    • 型号/规格：

      AOD409

    • 材料：

      P-FET硅P沟道

    • 用途：

      SW-REG/开关电源

    • 品牌/商标：

      AOS/美国万代

    • 沟道类型：

      P沟道

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 导电方式：

      增强型

    杭州*鹄电子科技有限公司--------的电子元器件供应商，只做*原装长期为各广大终端工厂提供电子元器件配套服务。严格的质量把关，*质量100%*本公司供应的产品较多，无法一一上传，如有...

    LWH300G603/LS产电IGBT模块/原装*LWH300G603
    LWH300G603/LS产电IGBT模块/原装*LWH300G603
    • 材料：

      N-FET硅N沟道

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 封装形式：

      功率型

    • 集电*允许电流ICM：

      300

    • 型号/规格：

      LWH300G603

    • 封装外形：

      SP/*外形

    • 截止频率fT：

      20KHZ

    • 品牌/商标：

      LS/产电

    产品名称：LWH300G603--韩国LS IGBT模块价格：电谈/面谈 该模块是韩国LS产电(原LG电子)针对工业应用推出的2单元LS IGBT模块。其相对竞争优势主要体现在两方面：一、质高：模块内嵌静...

    优势IR原装MOS管 IRF730 IRF740 IRF9530 IRF9540等等
    优势IR原装MOS管 IRF730 IRF740 IRF9530 IRF9540等等
    • 品牌/商标：

      IR/国际整流器

    • 型号/规格：

      IRF730

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    供应IR 原装*MOS管。IRF740IRF730IRF9530IRF9540IRF640IRF540等等IR型号MOS管长期备有大量库存，欢迎来电咨询！

    代理现货士兰微MOS SVF12N60
    代理现货士兰微MOS SVF12N60
    • 品牌/商标：

      SILAN/士兰微

    • 型号/规格：

      SVF12N60

    • 种类：

      *缘栅(MOSFET)

    • 沟道类型：

      N沟道

    • 导电方式：

      增强型

    • 用途：

      S/开关

    • 封装外形：

      CHIP/小型片状

    • 材料：

      N-FET硅N沟道

    ：余开权 手机：A、600V N沟道增强型场效应管描述SVF12N60T/F/S N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。*的工艺及条状的原胞设计...

    原装STP80NF70(电动车控制器)
    原装STP80NF70(电动车控制器)

      品牌：SGS法意电子型号：STP80NF70种类：*缘栅(MOSFET)沟道类型：N沟道导电方式：增强型ST针对国内电动车市场研发生产，延续了ST芯片平面制造工艺，VDSS:68V，ID:98A，内阻*9.8毫欧。更加适用于48V及以下电动车控制器，更高的电流，更低的内阻，强力推荐

      • 杭州新拓电子有限公司
      • 供应商等级： 免费会员
      • 企业类型：生产加工
      • 地区:浙江杭州

        • 电话：86 0571 88009063

        手机：15957108206

      场效应晶体管50N06
      场效应晶体管50N06

        品牌：STI美国半导体技术型号：HFP50N06种类：结型(JFET)沟道类型：N沟道导电方式：耗尽型HFP50N06 功率120W 50A 60V 内阻0.022,TO-220,有大量库存,*销售,有需要者请及时联系.联系电话.联系人:钟"

        TY8205A
        TY8205A
        • 品牌/商标：

          ALE美国

        • 型号/规格：

          TY8205

        • 种类：

          *缘栅(MOSFET)

        • 沟道类型：

          N沟道

        • 导电方式：

          耗尽型

        • 用途：

          DC/直流

        • 封装外形：

          SMD(SO)/表面封装

        • 材料：

          N-FET硅N沟道

        20V, 6A, RDS(on) (Max 25 mΩ) @ VGS=4.5VRDS(on) (Max 37 mΩ) @ VGS=2.5V■ Performance and Cost Competitive■ Advanced Trench Technology■ Low RD...

        FHP7N80 FHF7N80 FEIHONG场效应管
        FHP7N80 FHF7N80 FEIHONG场效应管
        • 品牌/商标：

          FEIHONG

        • 型号/规格：

          FHP7N80

        • 种类：

          *缘栅(MOSFET)

        • 沟道类型：

          N沟道

        • 导电方式：

          耗尽型

        • 封装外形：

          P-DIT/塑料双列直插

        • 材料：

          N-FET硅N沟道

        所报价格可能会随市场有所波动，具体请来电面议，祝合作愉快！目前杭州利普电子科技有限公司涉及配套领域：各种电源充电器及控制器、仪器仪表、*性照明类、汽车电子、音响设备、通讯...

        代理美格纳场效应管MDP9N60
        代理美格纳场效应管MDP9N60
        • 型号/规格：

          MDP9N60

        • 品牌/商标：

          Magnachip

        • 封装形式：

          TO-220

        • *类别：

          无铅*型

        • 安装方式：

          直插式

        • 包装方式：

          盒带编带包装

        • 功率特征：

          *率

        MDP9N60 TO-220F封装 VDS：600V ID:9A RDS(ON):1.0Ω 广泛应用于电动车,电源工具,汽车调压器 HID灯 金卤灯 LED灯 开关电源 锂电池保护 长期供应HID安定器 控制器 开关电源 电源驱动场...

        场效应管MOSFET技术资料

        • 场效应管（MOSFET）检测方法与经验[2009-11-14]

          一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正

        • 场效应管（mosfet）参数符号意义[2008-05-28]

          Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流

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