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场效应管MOSFET

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盐城
源头工厂
  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    供应逆变器场效应管IRFP064NPBF

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    C-MIC/电容话筒*

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    GE-P-FET锗P沟道

生产电容和电阻代理经销 二三*管 场效应管 集成电路 IGBT ST SANYO FSC TOS IR NXP 等一系列*元件

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRFZ44NPBF

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    P沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    HI-IMP/高输入阻*

  • 封装外形:

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料:

    P-FET硅P沟道

生产电容 电阻 代理经销*童 IR ST 三洋 东芝 二三*管 场效应管 集成电路 可控硅

  • 品牌:

    ST/意法

  • 型号:

    STW12NK80Z

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    A/宽频带放大

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    GE-P-FET锗P沟道

您好!我司生产电解电容和电阻 经销二三*管 场效应管 贴片类等各类电子元件.QQ7"

场效应管MOSFET技术资料

  • 场效应管(MOSFET)检测方法与经验[2009-11-14]

    一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正

  • 场效应管(mosfet)参数符号意义[2008-05-28]

    Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比(占空系数,外电路参数)di/dt---电流

电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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