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场效应管MOSFET

（共找到“42”条查询结果）
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MOSFET 结型场效应管 IGBT模块 IPM模块 PIM模块

您是不是要找： 7N60场效应管 irf场效应管 MOSFET场效应管 P沟道场效应管 低压场效应管 电动车场效应管

维库认证标签：源头工厂维库电子市场认证核实该公司为生产制造型企业申请源头工厂

公司类型
无锡
源头工厂
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无锡固电ISCBD681晶体管 无锡
无锡固电ISCBD681晶体管 无锡
  • 集电极耗散功率PCM：

    40

  • 集电极允许电流ICM：

    4

  • 封装形式：

    TO-126

  • 型号/规格：

    BD681

  • 材料：

    硅(Si)

  • 品牌/商标：

    ISC、iscsmi

  • 封装材料：

    塑料封装

  • 应用范围：

    功率

DESCRIPTION ·Collector–Emitter Breakdown Voltage—: V(BR)CEO= 100V·DC Current Gain—: hFE= 750(Min) ...

开关电源-高压MOS管 三极管 8N65-TO-220F原装 全新
开关电源-高压MOS管 三极管 8N65-TO-220F原装 全新
  • 型号/规格：

    8N65

  • 品牌/商标：

    kevin

  • 封装形式：

    TO-220F

  • 环保类别：

    无铅环保型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    单件包装

【购买须知】 1、小批量与整盘价格：整盘购买请咨询客服。由于行情变动频繁，暂不能实时更新在线价格，购买前请务必咨询客服后，再拍产品。 2、订单金额：当前总金额低于100元的订单...

华润华晶mos管CS1N60A3H
华润华晶mos管CS1N60A3H
  • 型号/规格：

    CS1N60

  • 品牌/商标：

    华晶

  • 封装形式：

    TO-251

  • *类别：

    无铅*型

  • 安装方式：

    直插式

  • 包装方式：

    盒带编带包装

联系：，： 华晶mos管CS1N60A3H，主要应用于LED驱动电源，充电器，电源逆变器，LED灯等，主要的客户有：浙江阳光、德国欧司朗、飞利浦、雷士、三雄、镇江强凌、厦门东林、西普尔、纽...

厂家6703 替代AO6604 sot-23-6封装 20V 3A N+P场效应管 原装进口
厂家6703 替代AO6604 sot-23-6封装 20V 3A N+P场效应管 原装进口
  • 型号/规格：

    OGFD6703

  • 品牌/商标：

    OGFD

  • 封装形式：

    sot-23-6

  • 环保类别：

    普通型

  • 安装方式：

    贴片式

  • 包装方式：

    单件包装

  • 功率特征：

    小功率

产品型号：OGFD6703（替代AO6604/MT2701）封装：SOT-26（TSOP6） N+P 双芯片 场效应管 我们在国内外均建有强大的经验丰富的自主研发科技团队,产品主要针对电源管理和功率器件领域。我...

  • 无锡羿胜华业科技公司
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：生产企业
  • 地区:江苏无锡

    • 电话：0510-82864500

    手机：18118913227

华晶MOS管5N60晶圆，5N60裸片，华晶5N60芯片
华晶MOS管5N60晶圆，5N60裸片，华晶5N60芯片
  • 品牌/商标：

    华晶

  • 型号/规格：

    CS5B6002A

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    UNI/一般用途

  • 封装外形：

    WAFER/裸芯片

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

注①:此处是「华晶」品牌*，可查看企业实名或公司诚信档案。注②:此处所标单价均为建设网站而虚构，并非真实价格，故不作为成交依据。注③如需产品资料,样品及报价，可以来电或咨询。...

原厂--中压MOS管晶圆（8寸）
原厂--中压MOS管晶圆（8寸）
  • 品牌/商标：

    NCE

  • 型号/规格：

    3050,3080,3010,3012,7580,7190,8580,8290,01H10等等

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形：

    WAFER/裸芯片

  • 材料：

    GE-N-FET锗N沟道

原厂大量供应原装3050、3080、3010、3012、55H12、60H10、7080、7190、7578、7580、8290、8580......中压系列晶圆，型号*。采用的8英寸芯片制程工艺；器件电参数的稳定性好。 主要团...

场效应管 MOS管-IRF3205
场效应管 MOS管-IRF3205
  • 品牌/商标：

    YR

  • 型号/规格：

    IRF3205

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

无锡亚润半导体技术有限公司坐落于风景秀美的太湖之滨--无锡高新科技园，毗邻太湖、紧靠环太湖*公路、沪宁*，距离南京、上海、杭州各200多公里，距苏州、常州三十多公里。公司生产面...

批量MOS场效应管2N60
批量MOS场效应管2N60
  • 品牌：

    国产

  • 型号：

    2N60

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

  • 材料：

    GaAS-FET砷化镓

*，批量供应MOS管 质优价廉。型号有 2N60 4N60 5N60 10N60 75N08 50N06 GPF730 GPF740 GPF830 GPF840产品特点】： 原装，*合欧洲ROHS条例，体积小，重量轻，耐温耐压高， 漏电流和介...

无锡华晶mos管CS4N60A3HD原厂*
无锡华晶mos管CS4N60A3HD原厂*
  • 型号/规格：

    CS4N60A3HD

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 品牌/商标：

    华晶

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 导电方式：

    耗尽型

注1:此处是「华晶」品牌*，请*网页的企业实名或查看公司诚信档案。 注2:此处所示单价均为网站建设需要，且单价随行就市,故不作为成交的依据。 注3如需产品资料,样品及报价，可以来电...

场效应管2SK117GR、2SK117、K117
场效应管2SK117GR、2SK117、K117
  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 型号/规格：

    2SK117GR

  • 用途：

    A/宽频带放大

  • 品牌/商标：

    TOSHIBA/东芝

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 导电方式：

    增强型

1.低噪声高灵敏音频放大2.电源开关3.仪器仪表

KA3842 RL207 6A-10 IN5408
KA3842 RL207 6A-10 IN5408
  • 品牌/商标：

    Directed美国

  • 型号/规格：

    3842

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    MIX/混频

  • 封装外形：

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料：

    M*金属半导体

本公司诚接配套业务经营范围如下：配套电动车冲电器、控制器、开关电源等全套元器件。质量*，价格优惠。*： : 何先生,陈 【运费说明】★方案1：顺丰快递【国内速度*快、服务】资费说...

NCE75H21T场效应管
NCE75H21T场效应管
  • 品牌/商标：

    新洁能

  • 型号/规格：

    NCE75H21T

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    D/变频换流

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

  • 开启电压：

    2-4（V）

NCE75H21T (75V210A，TO247封装) "

IRF3205 场效应管 60V 115A 200W
IRF3205 场效应管 60V 115A 200W
  • 品牌/商标：

    玉祁东顺

  • 型号/规格：

    IRF3205

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    SW-REG/开关电源

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

我公司成立于2000年。公司拥有现代化的标准厂房1000多平方米。拥有完整，科学的质量管理体系，拥有*、的检测和生产设备。产品内部空间大，可以根据客户的要求生产加工，并能提供芯片...

大量优惠MOS BUZ11 MOS 管
大量优惠MOS BUZ11 MOS 管
  • 品牌/商标：

    国产

  • 型号/规格：

    BUZ11

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    D/变频换流

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

特征：•30A，50V•RDS(0N)=0.04Ω•SOA is Power Dissipation Limited•Nanosecond Switching Speeds•...

NCE7580大功率MOS场效应管
NCE7580大功率MOS场效应管
  • 品牌/商标：

    新洁能

  • 型号/规格：

    NCE7580

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    CC/恒流

NCE7580采用*引线框架的高端封装，具有良好的散热性能。特点：1、升温慢2、平衡温度低3、持续大电流时间长无锡恒尚工控技术有限公司，致力于工业和民用电源系统以及电机驱动系统的研...

场效应管2SK4145B
场效应管2SK4145B
  • 品牌/商标：

    NEC/日本电气

  • 型号/规格：

    2SK4145B,K4145B

  • 种类：

    结型(JFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    耗尽型

  • 用途：

    逆变器，控制器

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

现货供应NEC场效应管2SK4145B,供应场效应管2SK4145B,现货供应NEC场效应管2SK4145B,供应场效应管2SK4145B,现货供应NEC场效应管2SK4145B,供应场效应管2SK4145B,现货供应NEC场效应管2SK4...

原厂*结MOS管 场效应管NCE20N60 600V/20A
原厂*结MOS管 场效应管NCE20N60 600V/20A
  • 品牌/商标：

    NCE

  • 型号/规格：

    NCE20N60

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    V-FET/V型槽MOS

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

产品特征：卓越的功率转换效率 *低的导通功率损耗源于*低的特征导通电阻（Ron*A） *低的开关功率损耗和驱动功率损耗源于*低的FOM（Ron*Qg) 卓越的Eas能力（100%Eas测试） 产品应用：...

FUJI富士通(高压MOS管)2SK3683-01MR*
FUJI富士通(高压MOS管)2SK3683-01MR*
  • 品牌/商标：

    FUJI/富士通

  • 型号/规格：

    2SK3683-01MR

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    L/功率放大

  • 封装外形：

    CER-DIP/陶瓷直插

本月优惠活动，富士(高压MOS管)2SK3683-01MR，*出售，有需求的或者做相关产品的朋友请联系我！无锡纽斯特科技有限公司，电子元件销售，*品质与价格的优势，欢迎来电咨询洽谈！网址：w...

场效应管(图)
场效应管(图)
  • 品牌/商标：

    SR

  • 型号/规格：

    1-100A/50-600V

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

  • 用途：

    DC/直流

  • 封装外形：

    P-DIT/塑料双列直插

  • 材料：

    N-FET硅N沟道

生产厂家,采用*和国内品牌生产商芯片,全自动生产线,产品*,通过质量管理体系和*,期待与您合作!"

场效应管 MOS管-50N06 65N06 75N08
场效应管 MOS管-50N06 65N06 75N08
  • 品牌/商标：

    YR

  • 型号/规格：

    50N06 65N06 75N08

  • 种类：

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型：

    N沟道

  • 导电方式：

    增强型

无锡亚伦科技有限公司坐落于风景秀美的太湖之滨--无锡高新科技园，毗邻太湖、紧靠环太湖*公路、沪宁*，距离南京、上海、杭州各200多公里，距苏州、常州三十多公里。公司生产面积12000...

  • 无锡亚伦科技有限公司
  • 供应商等级： 免费会员
  • 企业类型：生产加工
  • 地区:江苏无锡

    • 电话：86 510 68937001

    手机：13951562276

场效应管MOSFET技术资料

  • 场效应管（MOSFET）检测方法与经验[2009-11-14]

    一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正

  • 场效应管（mosfet）参数符号意义[2008-05-28]

    Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流

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