ON/安森美
RU190N08Q
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
A/宽频带放大
CER-DIP/陶瓷直插
GE-N-FET锗N沟道
RU190N08Q 190A 80V TO-247场效应管 原装 适用于焊机,逆变器等。 沈阳电子市场先科电子商店 经销批发的电子元件,二三*管,场效应管,可控硅消费者市场,在消费者当中享有较高的*,...
电话:86 024 24146223
手机:13842089682
WAFER/裸芯片
3N50
N-FET硅N沟道
SW-REG/开关电源
*
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型
我司经销MOS场效应管芯片/晶圆/3N50,质量*。芯片基本性质:芯片型号Model3N50 芯片尺寸:2.55*2.55 硅片直径(㎜)φ125/φ150 正面电*金属铝 背面电*金属银 VD...
手机:
国产
3DJ3
结型(JFET)
N沟道
增强型
*二、三*管、刹车整流器、 高压硅堆、桥式整流器、可控硅 二*管类: 温度补偿稳压二*管(2DW231-2DW236、1/2W8-12.6V)、低噪声温度补偿稳压二*管(2DW14A-14C、2DW15A-2DW15C、2DW16A-...
手机:13052619669
国产
XDS510-U*2.0
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MIN/微型
SP/*外形
ALGaAS铝镓砷
特点:⊙支持215 个厂商,34441 颗可编程器件。⊙本产品采用SUPERPRO/5000内核,与SUPERPRO/5000等速度一致,采用48脚驱动电路,支持器件略低于SUPERPRO/3000U (以器件支持清单为准)。⊙...
手机:13700080592
DC-DC定电压隔离非稳压系列
其它
普通型
类型 电源模块 品牌 广州金升阳科技有限公司 型号 DC-DC定电压隔离非稳压系列 封装 SIP/SMD 批号 DC-DC001 定电压输入、隔离非稳压、双隔离双输出、*小型SMD/DIP封装、正负双路/单路输出、1W/2W DC-DC模块电源。产品特点 * 工作温度:-40 ~ +85℃。 * *小型SI...
电话:024-24143576
品牌:国产 型号:7N60 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 开启电压:-(V) 夹断电压:-(V) 低频跨导:-(μS) *间电容:-(pF) 低频噪声系数:-(dB) 漏*电流:7000(mA) 耗散功率:48000(mW)产品简介7N60N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管,可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高...
电话:0415-6161121
品牌:- 型号:6N60 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:SW-REG/开关电源 封装外形:WAFER/裸芯片 材料:N-FET硅N沟道我公司经销MOS场效应管芯片/晶圆6N60,质量*。我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系,共同发展!产品介绍:6N60是专为*开关电源而设计的一种*的高压MOSFET,具有...
电话:0415-3178696
电话:024-22518356
种类:晶体管模块 品牌:SEMIKRON 型号:SKM400GB12E4制造商: SEMIKRON 库存编号: 1761363 制造商编号: SKM400GB12E4RoHS协从产品:是描述封装类型:SEMITRANS 3表面安装器件:螺丝
电话:0411-82200500
TW
IRF640
品牌/商标 TW 型号/规格 IRF640 种类 *缘栅 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 夹断电压 200(V) 饱和漏*电流 18(mA) 我公司经销MOS场效应管芯片/晶圆IRF640,质量*。我们真诚地希望各生产企业、贸易公司建立友好、互利的合作关系,共同发展! 芯片基本性质::芯片型号ModelIRF640芯片尺寸:3.59*4.59VDSS200VRDS(on)0.18...
电话:0415-2188181
M57959L
三菱
无铅*型
沈阳齐威电子是国内*早接触电子元器件行业的先驱之一。公司多年来致力于诚信,务实,开拓,*,服务的经营理念。主要经营西门康,西门子,三社,三菱,IXYS可控硅模块、整流管模块、IGBT模块;M57962AL、M57962L、M57959L、EXB841;单相、三相整流桥、半控桥、全...
电话:024-22518356
DE
2N60
绝缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
MOSFET场效应管,1N60,TO-251详情 我司为几十年晶体管生产厂家,有着多年场效应管封测经验,现引进进口封测MOSFET设备和进口芯片,高性价比。欢迎采购。 订购:高经理产品图片公司介...
电话:8604156135907
手机:13941517731
TW
2N60芯片
绝缘栅(MOSFET)
P沟道
耗尽型
UNI/一般用途
WAFER/裸芯片
ALGaAS铝镓砷
2N60是专为高效开关电源而设计的一种先进的高压MOSFET,具有快速开关的特点。芯片基本性质::芯片型号Model2N60芯片尺寸:2.30*2.89 VDSS600VRDS(on)4.5(max)ID2.1A 正面电极金属铝 ...
电话:8604152188181
手机:13904956321
SEMiX603GAL066HDs
西门康
普通型
SEMiX603GAL066HDs 720A 斩波器模块 SEMIX 3s
电话:0411-84618527
一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正
Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比(占空系数,外电路参数)di/dt---电流