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6*7132-*D32-0AA0
西门子
普通型
西门子模块6*7132-*D32-0AA0 型号,欢迎来电询价 6*7132-*D32-0AA0 6*7131-1BL01-0XB0 6*7131-*D01-0AA0 6*7131-*F00-0AA0 6*7132-1BL00-0XB0 6*7132-*B31-0AB0 6*7132-*D02-0AA0 6*7132-*D32-0AA0 6*7132-*F00-0AA0 6*7134-4FB01-0AB0 6*7134-4GB01-0AB0 6*7...
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MMD240S160B
MACMIC宏微
普通型
IGBT模块
其他
树脂封装
MMD70E120X MMD70E160X MMD70E180X MMD100E120X MMD100E160X MMD100E180X MMD150F120X MMD150F160X MMD150F180X MMD200F120X MMD200F160X MMD200F180X MMD250F120X MMD250F160X MMD25...
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FLS PB M12 DO 8 M12-2A
菲尼克斯
普通型
2736110 FLS PB M12 DO 8 M12-2A 用于PROFIBUS的一体化模块带有8个数字化输入,每个的负载能力为2 A。M12的连接使用了快速连接技术。 24 V DC的电源用于*短路和过载。 2736110 FLS PB M12 DO 8 M12-2A 关于此项目的信息 项目主页 附件 技术数据 /许可 PDF格式...
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SEMiX205MLI07E4
赛米控
无铅环保型
-
赛米控IGBT模块 IGBT模块,性能 赛米控在SEMITRANS、SEMiX、SKiM、MiniSKiiP和SEMITOP中提供的IGBT模块(绝缘栅双极型晶体管),在拓扑结构、额定电流和电压方面均不同。电流范围从4A到1700A,电压等级从600V到1700V。IGBT模块可用于各种领域,并采用了关键技...
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PJ/普罗强生
50N06
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
规格型号ID(A)PW(W)25℃BVdss(V)Vth(V)Vgs(V)Ron(10V)(Ω)封装形式应用领域MinMaxT*Max50N&plu*n;200.0180.023TO-252逆变器、电动工具、电动车控制器 公司供应...
电话:86 597 6633661
PJ/普罗强生
3N50
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
产品名称产品类型封装类别应用领域典型参数产品特性说明ID(A)VDSS(V)RDS(ON)Ω3N50场效应晶体管TO220/ TO220F电子整流器、常压*灯35002.8 3N50是N沟道增强型场效应晶体...
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PowerMos
PMS740P
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
PMS740P / PMS740F400V N沟道场效应管(N-channel Mosfet)特点:• 10.5A, 400V, RDS(on) = 0.53Ω @VGS = 10 V• 低栅电荷• *度&...
电话:86 592 5925389
友顺UTC/4N60
*缘栅MOSFET
MIX/混频
P-DIT/塑料双列直插
GE-N-FET锗N沟道
0(V)
0(V)
0(μS)
东莞乐拓实业有限公司代理FAIRCHILD、IR、友顺UTC等品牌的场效应管MOS管,12年专注成就今日,代理众多国内外品牌产品线供您选择。乐拓代理的产品线都备有大量库存现货,*产品*均是原...
电话:13806075921
RSM-RKM5711-2M
图尔克
普通型
厦门鼎源:韩汝连3 RSS4.5-PDP-TR RSM-RKM572-0,3M RSM-RKM572-0,5M RSM-RKM572-1M RSM-RKM572-1,5M RSM-RKM572-2M RKM572-0,3M RSM-2RKM57 RSM572-0,3M RSM57-TR2 WSM-WKM5711-0,5M WSM-WKM5711-1M WSM-WKM5711-1,5M WSM-WKM5711-2M WSM-WKM5711-3M WSM-WKM5...
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Alpha/阿尔法
AO3401/AO3401A
结型(JFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
SMD(SO)/表面封装
P-FET硅P沟道
厦门格亚电子科技有限公司是一家综合性、化的电子元器件*分销商;至今已成为福建市场多家知名品牌电子厂商的分销商、和合作伙伴;是福建市场较具规模的电子元器件供应商之一;自公司...
手机:
德国法勒
LTE/LTE-U10
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MIN/微型
CHIP/小型片状
GE-P-FET锗P沟道
德国vahle法勒 中国《厦门》办事处厦 门 科 比 特 自 动 化 技 术 有 限 公 司联 系 人 : 乐 彬联系 : 0 5 9 2 0 5Q Q: 9 6 3 9德国VAHLE移动供电系统VAHLE代理 VAHLE厂家 VAHLE价...
手机:
PHILIPS/飞利浦
BLF278
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
D-G双栅四*
LLCC/无引线陶瓷片载
GaAS-FET砷化镓
锦美电子代理飞利浦半导体器件,批量供应以下型号:CATV模块:BGD704 BGD712 BGD714 BGD804 BGD812 BGD814 BGD816L BGE67BO BGE787B BGE788 BGE847B0/FCO BGE847BO/SCO CGD914 CGD923 ...
手机:
PJ/普罗强生
8N60
结型(JFET)
N沟道
增强型
S/开关
8.7(μS)
7.5(mA)
福建*汀县品基电子产品制造有限公司是一家的电子元件供应商,专向生产开关电源,UPS,控制器,充电器,逆变器,照明,LED,工*,通信等提供相关电子元器件的厂商之一,主要经营:三*管...
手机:
BGS
MOS结型场效应管系列
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
公司供应型号:650V系列:1N65,2N65,4N65,5N65,7N65,8N65,10N65,12N65;600V系列:1N60,2N60,4N60,5N60, 7N60,8N60,10N60,12N60;500V系列:BF830,BF840;400V系列:BF730,BF740;200V系...
手机:
其他
HFS12N65S
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
V-FET/V型槽MOS
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
厦门格亚电子科技有限公司是一家综合性、化的电子元器件*分销商;至今已成为福建市场多家知名品牌电子厂商的分销商、和合作伙伴;是福建市场较具规模的电子元器件供应商之一;自公司...
电话:86 0592 6021896
TM218LDA24DRN
施耐德
10
普通型
直插式
卷带编带包装
*功率
福州京驰自动化设备有限公司是一家集工业自动化系统集成,自动化产品代理销售为一体的高新技术企业。公司以国际*的自动化产品为依托,以雄厚的技术力量为基础,同时拥有一批在工业自...
电话:0591-63121189
手机:13559155159
DW-JTG4-NPN-8
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多威
DC24(V)
是
属性值
全国诚招经销商!您身边的工业电气系统集成商:泉州市多威电气设备有限公司是一家从事工业电子领域产品,集开发、设计、制造和销售于一身的生产企业。本公司研发,设计,生产比例阀放...
电话:0595-22497819
电话:592-5650661
PJ/普罗强生
BF740
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
V-FET/V型槽MOS
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
规格型号ID(A)PW(W)25℃BVdss(V)Vth(V)Vgs(V)Ron(10V)(Ω)封装形式应用领域MinMaxT*MaxBF&plu*n;300.40.5TO251/220电子整流器、常压*灯公司供应型号: N型-650V...
电话:0597-6818887
国产
MOS-P LY5801
结型(JFET)
P沟道
增强型
S/开关
CHIP/小型片状
GE-P-FET锗P沟道
工作原理 场效应管工作原理用一句话说,就是“漏*-源*间流经沟道的ID,用以门*与沟道间的pn结形成的反偏的门*电压控制ID”。更正确地说,ID流经通路的宽度...
电话:0592-5933267
一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正
Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比(占空系数,外电路参数)di/dt---电流