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场效应管MOSFET

(共找到“5”条查询结果)
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郑州
源头工厂
  • 品牌/型号:

    松下

  • 种类:

    结型JFET

  • 特色标志:

    新品

  • 材料:

    ALGaAS铝镓砷

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 沟道类型:

    N沟道

供应微波变压器、2M167B-M11、2M210-M1、2M244-M1/M6、2M210、2M167B、2M189、2M137、2M262、2M259、2M289、2M265、2M256、2M244、2M236等  2m167b-m11参数;2M167B-M11...

  • 品牌/商标:

    IR/国际整流器

  • 型号/规格:

    IRFPG50

  • 种类:

    结型(JFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    耗尽型

  • 用途:

    MOS-INM/*组件

  • 封装外形:

    SMD(SO)/表面封装

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

场效应IRF540100V33A120W场效应11N90 0场效应9N90 0场效应85N10 0场效应IRF540 0场效应IRF540100V33A120W场效应IRF540100V33A120W场效应IRF540100V33A120W场效应IRFPG50 场效应8N60 ...

  • 品牌/商标:

    FAIRCHILD/*童

  • 型号/规格:

    160N60

  • 种类:

    *缘栅(MOSFET)

  • 沟道类型:

    N沟道

  • 导电方式:

    增强型

  • 用途:

    MW/微波

  • 封装外形:

    CHIP/小型片状

  • 材料:

    N-FET硅N沟道

耐电压600V,耐电流160A场效应G60N100 场效应IRFP4227 场效应IRF540 场效应20N60 场效应12N60 场效应10N60 场效应7N60 场效应8N60 场效应12N60 场效应10N60 场效应7N60 场效应8N60 场...

  • 张培阳
  • 供应商等级: 免费会员
  • 企业类型:经销商
  • 地区:河南郑州
  • 电话:0371-66930171

    品牌:FSD 型号:单路开关 种类:LED外延 显示颜色:全彩 显示方式:翻页显示 像素直径:Ф4.8(mm) 像素间距:5(mm) 模组尺寸:54*40(mm) 屏幕尺寸:任意(英寸) 亮度:高亮 灰度:256 像素:10000 分辨率:0 使用环境:半户外 安装方式:悬挂式批发说明:该产品10个起批,小于10个按*售,*售价为40元/个。 遥控开关产品说明: FSD-...

    • 型号/规格:

      7*R10SA(*)120/LWH

    • 品牌/商标:

      富士

    • *类别:

      无铅*型

    SKKT106/16E SKKT253/16E PK130FG160 PK110F/160 PK250HB160PK55F/160 PWB130A40 PWB100A40 PWB80A40 FS450R12KE3 FS300R12KE3 7*P150RA120 160MT160 DDB6U100N16R DDB6U100N16RR DFA75BA160 DFA100BA160 BSM100GD120DN2 BSM100GD120DLC PDT4004 PDT4008 PDT4...

    场效应管MOSFET技术资料

    • 场效应管(MOSFET)检测方法与经验[2009-11-14]

      一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正

    • 场效应管(mosfet)参数符号意义[2008-05-28]

      Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比(占空系数,外电路参数)di/dt---电流

    电子元器件产品索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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