深圳雷曼光电科技有限公司总经理李漫铁于2009年9月6日在深圳会展中心五楼会议厅举行的2009LED照明技术及发展论坛上发表题为《几种前沿领域的LED封装器件》的精彩演讲，引起业界广泛关注。李总指出，LED器件的封装已经有四十年的历史，近...
分类：业界要闻 时间：2009/9/7 阅读：937 关键词：lead
深圳雷曼光电科技有限公司总经理李漫铁将于2009年9月6-7日在深圳会展中心五楼会议厅举行的2009LED照明技术及发展论坛上发表题为《中国LED封装技术与国外的差异》的精彩演讲，欢迎大家踊跃参加。LED产业链总体分为上、中、下游，分别是LED...
分类：业界要闻 时间：2009/9/7 阅读：853 关键词：lead
飞兆半导体采用 Power 56封装的30V MOSFET器件率先突破1mOhmRDS(ON)障碍
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)为服务器、刀片式服务器和路由器的设计人员带来业界首款RDS(ON)低于1mOhm的30VMOSFET器件，采用Power56封装，型号为FDMS7650。FDMS7650可以用作负载开关
凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出一款采用纤巧表面贴装型封装和内含电感器的完整双通道DC/DCuModule稳压器系统LTM4614。该系统能够调节两个输出电压在0.8V至5V范围(各在高达4A的电流条件下)
分类：维库行情 时间：2009/9/3 阅读：3997 关键词：稳压器
LTC3612:采用 3mm x 4mm QFN 封装的 3A、4MHz、同步降压型稳压器
凌力尔特公司(LinearTechnologyCorporation)推出高效率、4MHz同步降压型稳压器LTC3612，该器件采用恒定频率、电流模式架构。它采用3mmx4mmQFN封装或耐热增强型TSSOP-20封装，在输出电压低至0.6V时可提
分类：新品快报 时间：2009/9/2 阅读：382 关键词：稳压器
金融危机影响了大部分产品的销路，但在萎靡不振的市场气氛中功率器件的表现却相当抢眼。iSuppli调查研究显示，2009年4月功率MOSFET的需求出现上涨，功率MOSFET的平均销售价格小幅上扬。预计到2009年中期，MOSFET的平均销售价格将会
分类：业界要闻 时间：2009/9/1 阅读：836 关键词：封装
8月起LED封装厂业绩全面起飞！东贝（2499）在接获国际大厂LED照明订单后，营收将连续三个月创下单新高；亿光（2393）本月营收也有望突破10亿元新台币；因大陆市场开花结果，佰鸿（3031）创新高机率也大大增加。2009年，东贝是成长动能最...
分类：业界要闻 时间：2009/8/27 阅读：954 关键词：lead
来自台湾媒体的报道，LED封装厂亿光25日公告将现金增资发行新股以及发行第4次无担保可转换公司债，总计募资额度达新台币50亿元。亿光总经理刘邦言表示，此次募资用途，主要作为扩充产能之用，包括SMD、高功率LED以及红外线产品。刘邦言进...
分类：业界要闻 时间：2009/8/26 阅读：180 关键词：lead
LED产业进入8月的旺季度，加上LED背光应用于笔记本计算机和液晶电视，进一步刺激LED的需求，不少厂商将展开营收创新高之旅，LED封装厂业绩将全面起飞！东贝在接获国际大厂LED照明订单后，营收将连续三个月创下单新高；亿光本月营收也有望...
分类：业界要闻 时间：2009/8/24 阅读：673 关键词：lead
飞兆半导体推出1mm x 1mm WL-CSP封装20V P沟道MOSFET
飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)宣布推出1mmx1mmWL-CSP封装20VP沟道MOSFET器件FDZ371PZ，该器件设计采用飞兆半导体的专有PowerTrench工艺技术，为手机、医疗、便携和消费应用设计人员带来
日前，飞兆半导体公司(FairchildSemiconductor)宣布推出1mmx1mmWL-CSP封装20VP沟道MOSFET器件FDZ371PZ，该器件设计采用飞兆半导体的专有PowerTrench工艺技术，为手机、医疗、便携和消费应用设计人
全球半导体业龙头英特尔于越南胡志明市兴建的IC封装及测试工厂，似乎受到无预期的困难影响，投产时间将延后达3季左右。英特尔于2006年宣布兴建的胡志明市工厂，原本预定今年底投产。不过根据《EETimes》引述英特尔越南地区发言人表示，该...
分类：业界要闻 时间：2009/8/18 阅读：859 关键词：英特尔
Vishay推出采用热增强PowerPAK SC-75封装的N沟道功率MOSFET
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出采用热增强PowerPAKSC-75封装、提供8V～30VVDS的功率MOSFET，扩大了N沟道TrenchFET家族的阵容。今天发布的器件包括业界首款采用1.6mmx1.6mm占
IR推出25V IRF6718采用新款大罐式DirectFET封装
国际整流器公司(InternationalRectifier，简称IR)推出IRF6718DirectFETMOSFET。这款新型25V器件提供业界的通态电阻(RDS(on))，并且使动态ORing、热插拔及电子保险丝等DC开关应用达到效果
分类：新品快报 时间：2009/8/12 阅读：306
MURATA推出小型SIP封装3A PoL DC-DC转换器OKR-T/3-W12-C
小型3-A，SIP模式扩充了Okami系列非隔离负载点(PoL)DC-DC转换器。OKR-T/3-W12-C非常适合在有限电路板空间需要宽输入电压范围和高效的设计。典型应用于数据路由器和服务器、LED标志系统、POS系统和功率放大器。OKR-T/3
分类：新品快报 时间：2009/8/12 阅读：406 关键词：转换器
