ROHM开发出采用SOT－223－3小型封装的600V耐压Super Junction MOSFET

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出采用SOT-223-3小型封装（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐压Super Junction MOSFET*1“R6004END4/ R6003KND4 / R60...

分类：新品快报 时间：2023/12/8 阅读：440 关键词：电源

苹果、AMKOR 和台积电都将受益于美国的封装和测试

最近，Amkor宣布，将在亚利桑那州皮奥里亚建造一座价值 20 亿美元的先进封装和测试设施，该计划已经酝酿了近三年。　　与许多其他寻求在美国建立新工厂的半导体公司一样，...

分类：业界动态 时间：2023/12/7 阅读：511 关键词：苹果AMKOR 台积电

苹果和Amkor重磅宣布封装芯片

今天，Apple 宣布它将成为正在亚利桑那州皮奥里亚开发的新 Amkor 制造和包装工厂的第一个也是最大的客户。Amkor 将封装附近台积电工厂生产的苹果芯片，苹果也是该工厂最大...

分类：业界动态 时间：2023/12/1 阅读：438 关键词：Apple

英飞凌推出全新62 mm封装CoolSiC产品组合，助力实现更高效率和功率密度

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用成熟的62 mm 器件半桥拓扑设计...

分类：新品快报 时间：2023/11/30 阅读：380 关键词：MOSFET模块

HBM封装，SK海力士有了新想法

SK 海力士正准备推出“2.5D 扇出”封装作为其下一代存储半导体技术。由于今年在高带宽内存（HBM）领域的成功表现，SK海力士对下一代芯片技术领域充满信心，似乎正在加紧努...

分类：业界动态 时间：2023/11/28 阅读：496 关键词：SK海力士

微缩工艺加码、先进封装助力，芯片制造圈奋力应对算力挑战

AI快速走热的这一年多来，不断增长的算力需求对本就陷入瓶颈的芯片制程技术带来了挑战。微缩工艺可以通过不断缩小晶体管尺寸来提高芯片集成度和性能，但随着制程技术越来越...

分类：业界动态 时间：2023/11/27 阅读：254 关键词：芯片

SK 海力士利用下一代 HBM 为“扇出封装”做准备

SK 海力士正准备推出“2.5D 扇出”封装作为其下一代存储半导体技术。由于今年在高带宽内存（HBM）领域的成功表现，SK海力士对下一代芯片技术领域充满信心，似乎正在加紧努...

分类：名企新闻 时间：2023/11/27 阅读：350 关键词：SK海力士

美国投资30亿美元大力发展先进封装，意欲何为？

美国政府宣布，将投入约30亿美元的资金，用于芯片先进封装行业。这一举措旨在提高美国在先进封装领域的市场份额，补足其半导体产业链的短板。　　先进封装越来越重要　　业...

分类：业界动态 时间：2023/11/23 阅读：777 关键词：芯片

VisIC Technologies 以采用先进的顶部冷却隔离封装的 V22TG D3GAN，革新汽车动力电子技术

VisIC Technologies Ltd 是一家先进氮化镓 (GaN) 电力电子解决方案的全球领先企业，怀着激动的心情推出备受期待的电源封装 V22TG D3GAN。这种革命性的电源封装采用先进的鸥...

分类：新品快报 时间：2023/11/15 阅读：178 关键词：动力电子

安森美总裁Hassane El-Khoury：封装技术助力碳化硅领域突破创新

安森美总裁兼首席执行官Hassane El-Khoury来到北京，举办媒体交流会。在会议上，他与众多媒体代表共同探讨了碳化硅等宽禁带半导体产业的趋势洞察及技术创新。　在快速发展...

分类：名企新闻 时间：2023/11/13 阅读：321 关键词：安森美

消息称台积电先进封装预计明年月产将比原目标再增加20% 达 3.5 万片

根据了解，台积电CoWoS封装需求增长，苹果、AMD、博通、Marvell、英伟达都在大幅度追单，台积电已经在努力加快 CoWoS 先进封装产能扩充脚步，预计明年月产将比原目标再增加...

分类：业界动态 时间：2023/11/13 阅读：175 关键词：台积电

高集成度 小封装 TMI8123全能芯片，满足你对电机驱动的所有要求

按摩椅的核心部件主要分为主板、导轨、机芯、电机、气囊，而我们关心的按摩效果（揉捏、敲打、振动、行走、滚轮）这些功能，都是由电机（即马达）这一部件所实施的，可以说...

分类：新品快报 时间：2023/11/7 阅读：211 关键词：TMI8123

Transphorm推出TOLL封装FET，将氮化镓定位为支持高功率能耗人工智能应用的最佳器件

SMD的高功率系统带来了SuperGaN的常闭型(Normally-Off D-Mode)平台优势，此类高功率系统需要在高功率密度的情况下实现更高的可靠性和性能，并产生较低的热量　新世代电力系...

分类：新品快报 时间：2023/11/7 阅读：188 关键词：Transphorm